SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的宏观台阶聚束的方法制造方法及图纸

本发明专利技术要解决的问题是提供一种抑制了宏观台阶聚束的形成的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明专利技术的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)并进行加热，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并形成温度梯度，其中，所述主体容器(20)具有：蚀刻空间(S1)，在将所述SiC衬底(10)配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器(20)的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成；以及Si蒸气供给源(25)，能够将Si蒸气供给到所述主体容器(20)内。能够将Si蒸气供给到所述主体容器(20)内。能够将Si蒸气供给到所述主体容器(20)内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的宏观台阶聚束的方法


[0001]本专利技术涉及抑制了宏观台阶聚束的形成的SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的宏观台阶聚束的方法。

技术介绍

[0002]SiC(碳化硅)半导体器件与Si(硅)或GaAs(砷化镓)半导体器件相比能够实现高耐压和高效率、高温工作，因而正在面向工业化进行开发。
[0003]通常，在用于器件制造的SiC衬底的从(0001)起略微倾斜的表面处形成有台阶
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平台结构。以往，在SiC衬底的表面控制中存在如下问题：在器件制造过程中台阶聚束化(bunching)而形成台阶聚束。
[0004]已知这种台阶聚束对SiC半导体器件的特性产生不良影响。具体地，已知分别存在以下情况：(1)当在形成有台阶聚束的表面处进行外延生长时，在外延生长层(以下，称为外延层)的表面处发生由台阶聚束而引起的缺陷；(2)在外延层表面处形成氧化膜来制造的MOSFET等SiC半导体器件中，台阶聚束的存在对动作性能和可靠性产生影响。
[0005]针对这种问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种SiC衬底的制造装置，其包括：主体容器，能够收纳SiC衬底，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉，收纳所述主体容器并进行加热，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并形成温度梯度，其中，所述主体容器具有：蚀刻空间，在将所述SiC衬底配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器的一部分和所述SiC衬底相对而形成；以及Si蒸气供给源，能够将Si蒸气供给到所述主体容器内。2.根据权利要求1所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述Si蒸气供给源配置成使所述主体容器内的Si/C原子数比超过1。3.根据权利要求1或权利要求2所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述主体容器具有衬底保持用具，所述衬底保持用具设置在所述SiC衬底和所述主体容器之间。4.根据权利要求1至3中任一项所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述主体容器由包含多晶SiC的材料构成。5.根据权利要求1至4中任一项所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述加热炉具有：高熔点容器，能够收纳所述主体容器；以及Si蒸气供给源，能够将Si蒸气供给到该高熔点容器内。6.根据权利要求5所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述高熔点容器由包含钽的材料构成，所述Si蒸气供给源为硅化钽。7.一种SiC衬底的制造方法，其包括：蚀刻步骤，在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压的主体容器的内部收纳SiC衬底和Si蒸气供给源，并且，加热所述主体容器，使得在包含Si元素的气相物种的蒸气压的环境下形成温度梯度，从而蚀刻所述SiC衬底。8.根据权利要求7所述的SiC衬底的制造方法，其中，所述Si蒸气供给源配置成使所述主体容器内的Si/C原子数比超过1。9.根据权利要求7或权利要求8所述的SiC衬底的制造方法，其中，所述蚀刻步骤在SiC
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Si平衡蒸气压环境下蚀刻SiC衬底。10.根据权利要求7至9中任一项所述的SiC衬底的制造方法，其中，所述蚀刻步骤具有：Si原子升华步骤，使Si原子从SiC衬底的表面热升华；以及C原子升华步骤，通过使残留在SiC衬底的表面处的C原子和所述主体容器内的Si蒸气反应来使C原子从SiC衬底的表面升华...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子忠昭，吉田奈都纪，青木一史，
申请(专利权)人：丰田通商株式会社，
类型：发明
国别省市：