SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的加工变质层的方法制造方法及图纸

本发明专利技术解决的问题是提供一种减少了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。此外，本发明专利技术解决的问题是提供一种去除了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明专利技术的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)，并且加热所述主体容器(20)，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并且形成温度梯度，其中，所述主体容器(20)具有蚀刻空间(S1)，所述蚀刻空间(S1)是在将所述SiC衬底配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器(20)的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成的。的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成的。的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的加工变质层的方法


[0001]本专利技术涉及去除了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置和用于减少SiC衬底的加工变质层的方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)衬底是通过对使用升华法等制造的单晶SiC的锭实施机械加工(切片、研磨和抛光)形成的。在被实施了机械加工的SiC衬底的表面处，存在具有在加工时所导入的伤痕、晶体应变等的表面层(以下称为加工变质层)。为了在器件制造步骤中不降低成品率，有必要去除该加工变质层。
[0003]常规上，去除该加工变质层的主流方法是通过使用金刚石等磨粒进行表面加工来去除。近年来，对于不使用磨粒的技术，已经提出了各种方案。
[0004]例如，在专利文献1中记载了通过在Si蒸气压下加热SiC晶片来进行蚀刻的蚀刻技术(以下也称为Si蒸气压蚀刻)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2008
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16691号公报

技术实现思路

>[0008]专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种SiC衬底的制造装置，其包括：主体容器，能够收纳SiC衬底，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉，收纳所述主体容器，并加热所述主体容器使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并形成温度梯度；其中，所述主体容器具有蚀刻空间，所述蚀刻空间是在将所述SiC衬底配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器的一部分和所述SiC衬底相对而形成的。2.根据权利要求1所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述主体容器具有衬底保持用具，所述衬底保持用具设置在所述SiC衬底和所述主体容器之间。3.根据权利要求1或2所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述主体容器由包含多晶SiC的材料构成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述加热炉具有：高熔点容器，能够收纳所述主体容器；和Si蒸气供给源，能够将Si蒸气供给到该高熔点容器内。5.根据权利要求4所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述高熔点容器由包含钽的材料构成，所述Si蒸气供给源为硅化钽。6.一种SiC衬底的制造方法，包括：蚀刻步骤，在用于在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压的主体容器的内部收纳SiC衬底，并且，加热所述主体容器，使得在包含Si元素的气相物种的蒸气压的环境下形成温度梯度，从而蚀刻所述SiC衬底。7.根据权利要求6所述的SiC衬底的制造方法，其中，所述蚀刻步骤具有：Si原子升华步骤，使Si原子从SiC衬底的表面热升华；和C原子升华步骤，通过使残留在SiC衬底的表面处的C原子和所述主体容器内的Si蒸气反应来使C原子从SiC衬底的表面升华。8.根据权利要求6或权利要求7所述的SiC衬底的制造方法，其中，在所述蚀刻步骤中，使配置在所述温度梯度的高温侧的所述SiC衬底和配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器的一部分相对来进行蚀刻。9.一种用于减少SiC衬底的加工变质层的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子忠昭，吉田奈都纪，青木一史，
申请(专利权)人：丰田通商株式会社，
类型：发明
国别省市：