用于无线应用的窄宽度双重/三重ISM频带PIFA制造技术

技术编号:3269780 阅读:195 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种天线,其包括:    一接地平面;    一辐射元件;    一短接器;    一馈电片;及    一寄生元件;其中,    所述接地平面包括一第一接地平面边缘和一第二接地平面边缘,所述第一接地平面边缘和所述第二接地平面边缘跨越一接地平面宽度位于所述接地平面的相对两侧;    所述接地平面包括一第三接地平面边缘和一第四接地平面边缘,所述第三接地平面边缘和所述第四接地平面边缘在所述第一接地平面边缘与所述第二接地平面边缘之间延伸,且沿一接地平面长度位于所述接地平面的相对两侧;    所述辐射元件包括一第一辐射元件边缘和一第二辐射元件边缘,所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘跨越一辐射元件宽度位于所述辐射元件的相对两侧;    所述辐射元件包括一第三辐射元件边缘和一第四辐射元件边缘,所述第三辐射元件边缘和所述第四辐射元件边缘在所述第一辐射元件边缘与所述第二辐射元件边缘之间延伸,且沿一辐射元件长度位于所述辐射元件的相对两侧;    所述短接器包括一第一短接器边缘和一第二短接器边缘,其中所述第一短接器边缘耦接至所述第一接地平面边缘,且所述第一辐射元件边缘将所述接地平面短接至所述辐射元件;    所述馈电片包括一第一馈电片边缘和一第二馈电片边缘,其中所述第一馈电片边缘耦接至所述第四辐射元件边缘,且所述第二馈电片边缘位于所述接地平面上方一第一预定距离处;且    所述寄生元件包括一第一寄生元件边缘和一第二寄生元件边缘,其中所述第二寄生元件边缘耦接至所述第三接地平面边缘,且所述第一寄生元件边缘位于所述辐射元件下方一第二预定距离处。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于无线应用的窄宽度双重/三重ISM频带PIFA
本专利技术是关于平面倒F天线(PIFA),更具体而言,是关于一种带有一紧凑接地平面的窄宽度单馈电双重或三重ISM频带PIFA。
技术介绍
当今世界已经见证了无线通信的飞速进步。短程无线电链接的新兴技术(例如蓝牙协议等)以及局域网系统应用已引起人们对工业科学医疗(“ISM”)频带的新的关注。传统上,ISM频带RF数据通信装置使用外接式天线。但是,这些装置可以使用内置式天线来避免外突的外接式天线。内置式天线具有多种优势,例如不容易受到外部损害、手持设备(handset)总体尺寸变小以及可携带性提高。在内置式天线的多种选择中,平面倒F天线(“PIFA”)看来具有广阔前景。相对于其它内置式天线,PIFA通常轻便、易于匹配和集成在一装置机架内、具有中等的带宽范围、具有位于垂直极化的正交主平面内的全向辐射模式、优化灵活以及具有多种潜在的缩小尺寸的方式。PIFA在多样化方案中亦有有益的应用。PIFA对垂直和水平极化的敏感性对于移动蜂窝/射频数据通信应用具有重要意义,因为其中不存在天线的固定定向,同时具有多路径传播状况。所有这些特点使PIFA成为移本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1、一种天线,其包括:一接地平面;一辐射元件;一短接器;一馈电片;及一寄生元件;其中,所述接地平面包括一第一接地平面边缘和一第二接地平面边缘,所述第一接地平面边缘和所述第二接地平面边缘跨越一接地平面宽度位于所述接地平面的相对两侧;所述接地平面包括一第三接地平面边缘和一第四接地平面边缘,所述第三接地平面边缘和所述第四接地平面边缘在所述第一接地平面边缘与所述第二接地平面边缘之间延伸,且沿一接地平面长度位于所述接地平面的相对两侧;所述辐射元件包括一第一辐射元件边缘和一第二辐射元件边缘,所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘跨越一辐射元件宽度位于所述辐射元件的相对两侧;所述辐射元件包括一第三辐射元件边缘和一第四辐射元件边缘,所述第三辐射元件边缘和所述第四辐射元件边缘在所述第一辐射元件边缘与所述第二辐射元件边缘之间延伸,且沿一辐射元件长度位于所述辐射元件的相对两侧;所述短接器包括一第一短接器边缘和一第二短接器边缘,其中所述第一短接器边缘耦接至所述第一接地平面边缘,且所述第一辐射元件边缘将所述接地平面短接至所述辐射元件;所述馈电片包括一第一馈电片边缘和一第二馈电片边缘,其中所述第一馈电片边缘耦接至所述第四辐射元件边缘,且所述第二馈电片边缘位于所述接地平面上方一第一预定距离处;且所述寄生元件包括一第一寄生元件边缘和一第二寄生元件边缘,其中所述-->第二寄生元件边缘耦接至所述第三接地平面边缘,且所述第一寄生元件边缘位于所述辐射元件下方一第二预定距离处。2、根据权利要求1所述的天线,其中:所述辐射元件和所述接地平面大体上平行。3、根据权利要求1所述的天线,其中:一具有复数种弯折形式的单一导体构成所述接地平面、所述寄生元件、所述短接器、所述辐射元件以及所述馈电片。4、根据权利要求3所述的天线,其中所述复数种弯折形式中的至少一弯折形式形成一90°角度。5、根据权利要求1所述的天线,其中所述辐射元件长度短于所述接地平面的长度。6、根据权利要求1所述的天线,其中所述寄生元件比所述馈电片更靠近所述短接器。7、根据权利要求1所述的天线,其中所述寄生元件与所述馈电片大体上平行。8、根据权利要求1所述的天线,其中所述接地平面的宽度与所述辐射元件的宽度相同。9、一种天线,其包括:一接地平面;一辐射元件;一短接器;一馈电片;一调谐短板;及一寄生元件;其中,所述接地平面包括一第一接地平面边缘和一第二接地平面边缘,所述第一接地平面边缘和所述第二接地平面边缘跨越一接地平面宽度位于所述接地平面-->的相对两侧;所述接地平面包括一第三接地平面边缘和一第四接地平面边缘,所述第三接地平面边缘和所述第四接地平面边缘在所述第一接地平面边缘与所述第二接地平面边缘之间延伸,且沿一接地平面长度位于所述接地平面的相对两侧;所述辐射元件包括一第一辐射元件边缘和一第二辐射元件边缘,所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘跨越一辐射元件宽度位于所述辐射元件的相对两侧;所述辐射元件包括一第三辐射元件边缘和一第四辐射元件边缘,所述第三辐射元件边缘和所述第四辐射元件边缘在所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘之间延伸,且沿一辐射元件长度位于所述辐射元件的相对两侧;所述短接器包括一第一短接器边缘和一第二短接器边缘,其中所述第一短接器边缘耦接至所述第一接地平面边缘,且所述第一辐射元件边缘将所述接地平面短接至所述辐射元件;所述馈电片包括一第一馈电片边缘和一第二馈电片边缘,其中所述第一馈电片边缘耦接至所述第四辐射元件边缘,且所述第二馈电片边缘位于所述接地平面上方一第一预定距离处;所述调谐短板包括一第一调谐短板边缘和一第二调谐短板边缘,其中所述第一调谐短板边缘耦接至所述第四辐射元件边缘,而所述第二调谐短板边缘位于所述接地平面上方一第二预定距离处;且所述寄生元件包括一第一垂直板边缘、一垂直板、一第二垂直板边缘、一水平板、一第一水平板边缘和一第二水平板边缘,其中所述第一垂直板边缘耦接至所述第二接地平面边缘,以使所述垂直板在所述接地平面上方延伸,且所述第二垂直板边缘耦接至所述第二水平板边缘,以使所述水平板向所述第二辐射元件边缘延伸。10、根据权利要求9所述的天线,其中所述辐射元件与所述接地平面大体上平行。-->11、根据权利要求9所述的天线,其中所述垂直板与所述短接器大体上平行。12、根据权利要求9所述的天线,其中所述水平板与所述辐射元件大体上平行。13、根据权利要求12所述的天线,其中所述水平板与所述辐射元件大体上位于相同的平面内。14、根据权利要求9所述的天线,其中所述调谐短板在所述馈电片与所述短接器之间耦接至所述第四辐射元件边缘。15、根据权利要求9所述的天线,其中所述第一预定距离与所述第二预定距离不同。16、根据权利要求9所述的天线,其中所述馈电片具有一馈电片延长部,且所述馈电片延长部位于所述接地平面上方一第三预定距离处。17、根据权利要求9所述的天线,其中所述第一水平板边缘位于距所述第二辐射元件边缘一第四预定距离处。18、根据权利要求9所述的天线,其中所述辐射元件的长度短于接地平面的长度。19、根据权利要求9所述的天线,其中所述接地平面宽度与所述辐射元件的宽度相同。20、根据权利要求9所述的天线,其中:一具有复数种弯折形式的单一导体构成所述接地平面、所述寄生元件、所述短接器、所述辐射元件、所述馈电片以及所述调谐短板。21、根据权利要求9所述的天线,其中所述馈电片与所述调谐短板大体上平行。22、一种天线,其包括:一接地平面;一辐射元件;-->一形成于所述辐射元件中的槽缝;一馈电片;一短接器;一第一调谐短板;一第二调谐短板;及一第三调谐短板;其中,所述接地平面包括一第一接地平面边缘和一第二接地平面边缘,所述第一接地平面边缘和所述第二接地平面边缘跨越一接地平面宽度位于所述接地平面的相对两侧;所述接地平面包括一第三接地平面边缘和一第四接地平面边缘,所述第三接地平面边缘和所述第四接地平面边缘在所述第一接地平面边缘与所述第二接地平面边缘之间延伸,且沿一接地平面长度位于所述接地平面的相对两侧;所述辐射元件包括一第一辐射元件边缘和一第二辐射元件边缘,所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘跨越一辐射元件宽度位于所述辐射元件的相对两侧;所述辐射元件包括一第三辐射元件边缘和一第四辐射元件边缘,所述第三辐射元件边缘和所述第四辐射元件边缘在所述第一辐射元件边缘与所述第二辐射元件边缘之间延伸,且沿一辐射元件长度位于所述辐射元件的相对两侧;所述短接器包括一第一短接器边缘和一第二短接器边缘,其中所述第一短接器边缘耦接至所述第三辐射元件边缘,且所述第二短接器边缘耦接至所述第三接地平面边缘,以将所述辐射元件短接至所述接地平面;所述馈电片包括一第一馈电片边缘和一第二馈电片边缘,其中所述第一馈电片边缘耦接至所述第一辐射元件边缘,且所述第二馈电片边缘位于所述接地平面上方一第一预定距离处;所述槽缝包括一在所述第三辐射元件边缘上的间隙,所述间隙包括一第一间隙侧和一第二间隙侧;-->所述第一短接器边缘在所述第一间隙侧与所述第一辐射元件边缘之间耦接在所述第三辐射元件边缘上;所述第一调谐短板包括一第一调谐短板第一边缘和一第一调谐短板第二边缘,其中所述第一调谐短板第一边缘耦接至所述第三辐射元件边缘,且所述第一调谐短板第二边缘位于所述接地平面上方一第二预定距离处,且所述第一调谐短板第一边缘在所述第二间隙侧与所述第二辐射元件边缘之间耦接在所述第三辐射元件边缘上;所述第二调谐短板包括一第二调谐短板第一边缘和一第二调谐短板第二边缘,其中所述第二调谐短板第一边缘耦接至所述第四辐射元件边缘,且所述第二调谐短板第二边缘位于所述接地平面上方一第三预定距离处;所述第三调谐短板包括一第三调谐短板第一边缘和一第三调谐短板第二边缘,其中所述第三调谐短板第一边缘耦接至所述第四辐射元件边缘,且所述第三调谐短板第二边缘位于所述接地平面上方一第四预定距离处;且所述第三调谐短板在所述第二调谐短板与所述第一辐射元件边缘之间耦接至所述第四辐射元件边缘。23、根据权利要求22所述的天线,其中所述辐射元件与所述接地平面大体上平行。24、根据权利要求22所述的天线,其中所述第一调谐短板、所述第二调谐短板以及所述第三调谐短板大体上平行。25、根据权利要求22所述的天线,其中所述槽缝构成一T形。26、根据权利要求22所述的天线,其中所述馈电片包括一馈电片延长部。27、根据权利要求26所述的天线,其中所述馈电片延长部大体上垂直于所述馈电片延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员:戈文德·R·卡达姆比布莱恩·R·贝特曼迈克尔·G·沃尔克默加里·A·库姆罗布拉德利·S·豪斯勒
申请(专利权)人:圣韵无线技术公司
类型:发明
国别省市:

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