一种超宽频平面共轭天线，是操作于一超宽频特性下，其包括一绝缘基板，于绝缘基板的第一表面形成一具有辐射部的第一元件，在绝缘基板的第二表面形成一具有第二接地部的第二元件，两者形成对称的电性单极天线。由该辐射部、该第一接地部及该第二接地部三者配合界定出一第一槽部及一对称的第二槽部，该第一槽部及该第二槽部形成对称的槽形天线，从而可符合超宽频天线操作频宽特性。借着在绝缘基板的表面上形成天线，可有效缩小超宽频天线尺寸、降低成本并易整合于一模块中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种平面共轭天线，特别是涉及一种应用于超宽频频宽的平面共轭天线。
技术介绍
超宽频已成为无线个人区域网路WPAN(Wireless personal areanetwork)的一项重要技术，其操作的频宽范围是在3.1GHz～10.6GHz。图1及图2所示是为传统的倒F天线1以及槽形天线2，上述两者的操作频宽皆无法完全涵盖超频宽的频宽范围。图3显示一典型应用于超宽频特性的天线，其缺点为辐射元件11垂直于接地面12设置，且接地面12的面积(10cm×10cm)亦较大，如此造成天线尺寸过大，不易整合于一电路板上。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种符合超宽频要求、小尺寸且平面化的超宽频平面共轭天线。于是，本专利技术的一种超宽频平面共轭天线，其特征在于该平面共轭天线，包括一绝缘基板，具有一第一表面，一与该第一表面相反的一第二表面，一第一边及平行于该第一边且相对该第一边的一第二边；一第一元件，具有一辐射部及一连接于该辐射部一旁侧的连接部，该辐射部具有一邻近且平行于该第一边的底边，二由该底边相反两端向该第二边方向宽度渐减地延伸的侧边，且该两侧边末端交会于一交点；一馈入元件，一端连接该辐射部，另一端向该第二边方向延伸；一第二元件，设于该绝缘基板的第二表面上，并位于该第一元件旁侧及下方，具有一电性连接该连接部的第一接地部，及一第二接地部，该第一接地部具有垂直于该第一边的一第一侧边，及一直立连接于该第一侧边远离该第一边一端的一第二侧边，该第二接地部的底端连接该第二侧边并向该第一边的方向延伸至顶端，使该顶端相对位于该第一元件的交点下方，且该第二接地部的宽度由该底端朝该顶端的方向渐减；及由该第一元件其一邻近该第一接地部的第一侧边的侧边、该第一接地部的第一侧边以及该第二接地部三者配合界定出一第一槽部、由该第一元件其另一远离该第一接地部的第一侧边的侧边与该第二接地部二者配合界定出对称于该第一槽部的一具有一开放端的第二槽部。本专利技术的又一种超宽频平面共轭天线，其特征在于该平面共轭天线，包括一绝缘基板，具有一第一表面，及一与该第一表面相反的一第二表面，在该第一表面上定义有一第一轴线及一垂直于该第一轴线的第二轴线，及该第一轴线与该第二轴线交会于一第一交点；一第一元件，具有一辐射部及一连接于该辐射部一旁侧的连接部，该辐射部具有一平行于该第一轴线且通过该第二轴线的底边，二由该底边相反两端向该第一交点宽度渐减地延伸的侧边，且该两侧边末端交会于该第一交点处；一馈入元件，一端连接该辐射部的该两侧边末端交会处，另一端沿该第二轴线向远离该第一轴线的方向延伸；一第二元件，设于该第二表面，并位于该第一元件下方及旁侧，具有一电性连接该连接部的第一接地部，及一第二接地部，该第一接地部具有平行该第二轴线的一第一侧边，及一直立地连接于该第一侧边远离该第一元件一端且通过该第二轴线的一第二侧边，该第二接地部具有一底端及一顶端，该底端连接该第二侧边，并向该第一交点方向延伸至该位于该第一交点的顶端，且该第二接地部的宽度由该底端朝该顶端的方向渐减；及由该第一元件其一邻近该第一接地部的第一侧边的侧边、该第一接地部的第一侧边以及该第二接地部三者配合界定出一第一槽部、由该第一元件其另一远离该第一接地部的第一侧边的侧边与该第二接地部二者配合界定出一对称于该第一槽部及一具一开放端的第二槽部。本专利技术的超宽频平面共轭天线，是操作于一超宽频特性下，其包括一绝缘基板，于绝缘基板的第一表面形成一具有辐射部的第一元件，在绝缘基板的第二表面形成一具有第二接地部的第二元件，两者形成对称的电性单极天线。由该辐射部、该第一接地部及该第二接地部三者配合界定出一第一槽部及一对称的第二槽部，该第一槽部及该第二槽部形成对称的槽形天线，从而可符合超宽频天线操作频宽特性。借着在绝缘基板的表面上形成天线，可有效缩小超宽频天线尺寸、降低成本并易整合于一模块中。附图说明下面通过最佳实施例及附图对本专利技术平面共轭天线进行详细说明，附图中图1是一结构视图，说明习知一倒F天线。图2是一结构视图，说明习知一槽状天线。图3是一结构视图，说明习知一超宽频天线。图4是一平面示意图，说明本专利技术超宽频平面天线的一第一较佳实施例。图5是一实验数据图，说明该第一较佳实施例的电压驻波比值。图6是一平面示意图，说明本专利技术超宽频平面天线的一第二较佳实施例。图7是一实验数据图，说明该第二较佳实施例的电压驻波比值。图8是一平面示意图，说明本专利技术超宽频平面天线的一第三较佳实施例。图9是一实验数据图，说明该第三较佳实施例的电压驻波比值。具体实施方式有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合三个较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。第一较佳实施例参阅图4，本专利技术的超宽频平面共轭天线的第一较佳实施例，以下简称天线3，包括一绝缘基板30、一第一元件31、一馈入元件32及一第二元件33。绝缘基板30例如为由Rogers Corp.所提供的RO4003C基板，其材料特性适用于超宽频的频宽下操作；或是FR4的印刷电路板。本实施例绝缘基板30呈矩形。该绝缘基板30具有一第一表面300及与该第一表面300相反的第二表面301。第一表面300具有一第一边302及平行于该第一边302的一第二边303，绝缘基板30上定义有一水平的第一轴线(X)及一垂直该第一轴线(X)的第二轴线(Y)，两轴线相交于一第一交点304。第一元件31例如为一金属铜箔面，其是以习知的光罩及蚀刻技术蚀刻第一表面300上的铜箔形成，第一元件31概呈一倒三角形，其具有一辐射部310与一连接部311，辐射部310具有一底边312及两侧边313，该底边312邻近第一边302且平行于第一边302及第一轴线(X)，且通过该第二轴线(Y)。该两侧边313由该底边312相反两端向该第二边303的方向延伸，并宽度渐减地交会于该第一交点304处。由该底边312及该两侧边313界定形成一三角形区域的辐射面。连接部311例如呈一矩形区域，其是连接于该辐射部310的底边312一端。在连接部311上设有复数贯孔314(via)。馈入元件32例如为一金属微带线，其一端连接辐射部310的两侧边313交会处，另端沿该第二轴线(Y)并向第二边303的方向延伸至实质切齐该第二边303。第二元件33例如为一金属铜箔面，其以习知的光罩及蚀刻技术蚀刻第二表面310上的铜箔形成。第二元件33位于第一元件31部分位于第一元件31左侧，部分位于第一元件31下方)，具有一第一接地部330及一第二接地部331。第一接地部330为一L形区域，其部分与连接部311重叠，且在与该连接部311重叠部分亦设有贯孔(图未示)并与连接部311的贯孔314电性连接。第一接地部330具有一垂直于该第一边302及平行于第二轴线(Y)的第一侧边3312，以及一垂直连接于该第一侧边3312一端且通过第二轴线(Y)的第二侧边3310(如虚线3310标示处，在此虚线3310是用来便于显示第一接地部330的区域用，在实际布局时并不会出现)。第二接地部331底端是连接该第二侧边3310，其具有一身部332及一连接该身部332的头部333，身部332为一截头锥形区域，其宽度由该底端向该头部333方向渐缩。头部333在此实施例为一梯形，其具有一底端(本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超宽频平面共轭天线，其特征在于：该平面共轭天线，包括：一绝缘基板，具有一第一表面，一与该第一表面相反的一第二表面，一第一边及平行于该第一边且相对该第一边的一第二边；一第一元件，具有一辐射部及一连接于该辐射部一旁侧的连接部，该辐射部具有一邻近且平行于该第一边的底边，二由该底边相反两端向该第二边方向宽度渐减地延伸的侧边，且该两侧边末端交会于一交点；一馈入元件，一端连接该辐射部，另一端向该第二边方向延伸；一第二元件，设于该绝缘基板的第二表面上，并位于该第一元件旁侧及下方，具有一电性连接该连接部的第一接地部，及一第二接地部，该第一接地部具有垂直于该第一边的一第一侧边，及一直立连接于该第一侧边远离该第一边一端的一第二侧边，该第二接地部的底端连接该第二侧边并向该第一边的方向延伸至顶端，使该顶端相对位于该第一元件的交点下方，且该第二接地部的宽度由该底端朝该顶端的方向渐减；及由该第一元件其一邻近该第一接地部的第一侧边的侧边、该第一接地部的第一侧边以及该第二接地部三者配合界定出一第一槽部、由该第一元件其另一远离该第一接地部的第一侧边的侧边与该第二接地部二者配合界定出对称于该第一槽部的一具有一开放端的第二槽部。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许哲崇，
申请(专利权)人：环隆电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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