本实用新型专利技术涉及一种晶圆清洁装置及晶圆清洁设备。晶圆清洁装置包括：清洗槽体和阻值监测计。清洗槽体包括：清洗槽、旁流槽以及隔板。旁流槽设置于清洗槽的旁侧。隔板设置于旁流槽和清洗槽之间。隔板上设有多个连通结构，连通结构用于连通清洗槽和旁流槽，以使清洗槽体内的晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间流通。阻值监测计设置于旁流槽内，用于对晶圆清洗液进行阻值监测。上述晶圆清洁装置能够快速准确地监测晶圆清洗液的阻值，以提升晶圆的清洗效率和清洗良率。率和清洗良率。率和清洗良率。
【技术实现步骤摘要】
晶圆清洁装置及晶圆清洁设备
[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及晶圆清洁装置及晶圆清洁设备。
技术介绍
[0002]在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的制作过程中，通常会选择晶圆作为TFT的承载基板。由于晶圆的洁净度会影响薄膜晶体管的制备质量，所以在晶圆上执行镀膜以及光刻等工艺以制备TFT之前，需要采用酒精、丙酮或异丙醇等化学溶剂对晶圆进行清洗，以去除晶圆表面附着的杂质。
[0003]在采用化学溶剂清洗晶圆之后，晶圆的表面容易有化学溶剂及杂质残留，往往需要采用快速倾倒冲洗(Quick Dump Rinse，简称QDR)的方法再次清洗晶圆。在QDR过程中，晶圆清洗液的阻值会在冲洗晶圆的过程中因为残留在晶圆上的化学溶剂和杂质而不断发生变化。由于晶圆清洗液的阻值过大或过小，都会对晶圆的洁净度产生影响。所以在QDR过程中，需要监测清洗槽体内的晶圆清洗液的阻值，以根据阻值监测结果排出阻值异常的晶圆清洗液，并重新向清洗槽体内注入阻值正常的晶圆清洗液，从而确保QDR可以具有良好的清洗效果。
[0004]因此，如何快速准确地监测QDR过程中晶圆清洗液的阻值是亟需解决的问题。
技术实现思路
[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种晶圆清洁装置及晶圆清洁设备，旨在解决如何快速准确地监测QDR过程中晶圆清洗液的阻值的问题。
[0006]一种晶圆清洁装置，包括：清洗槽体和阻值监测计。清洗槽体包括：清洗槽、旁流槽以及隔板。旁流槽设置于清洗槽的旁侧。隔板设置于旁流槽和清洗槽之间。隔板上设有多个连通结构，连通结构用于连通清洗槽和旁流槽，以使清洗槽体内的晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间流通。其中，阻值监测计设置于旁流槽内，阻值监测计用于对晶圆清洗液进行阻值监测。
[0007]上述晶圆清洁装置中，利用隔板将清洗槽体分隔成清洗槽和旁流槽两个区域，且在隔板上设置多个连通结构，可以使清洗槽体内的晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间快速流通，以实现晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间的内循环，从而确保旁流槽内的晶圆清洗液与清洗槽内的晶圆清洗液具有相同的阻值。如此，旁流槽内的阻值监测计监测的阻值，能够准确表征清洗槽内的晶圆清洗液的阻值。晶圆清洁装置采用如上结构，能够对晶圆清洗液的阻值进行快速且准确地监测，以提升晶圆的清洗效率和清洗良率。
[0008]可选的，晶圆清洁装置还包括：晶圆台。晶圆台设置于清洗槽内，用于承载晶圆。晶圆台的台面与旁流槽的槽底面位于同一平面。
[0009]上述晶圆清洁装置中，晶圆台的台面与旁流槽的槽底面位于同一平面，方便于根据实际需求，设计隔板和连通结构的形状及尺寸，例如使隔板在竖直方向上具有较大的平面面积。
[0010]可选的，阻值监测计可拆卸地设置于旁流槽的槽底面上。
[0011]由于受残留化学药剂和残留杂质的影响，位于不同深度区域的晶圆清洗液的阻值可能不同。并且，化学药剂和杂质需要一定的时间才能均匀地扩散于晶圆清洗液中。所以位于晶圆台附近的晶圆清洗液的阻值通常略大。基于此，上述晶圆清洁装置中，晶圆台的台面与旁流槽的槽底面位于同一平面，且阻值监测计设置于旁流槽的槽底面上，方便于使旁流槽内的阻值监测计及时监测晶圆台附近阻值略大的晶圆清洗液，以根据晶圆清洗液的阻值判断晶圆台上晶圆的清洗质量(例如洁净度)，从而进一步提升晶圆的清洗效率和清洗良率。
[0012]另外，由于阻值监测计长时间地浸泡在晶圆清洗液内易被晶圆清洗液锈蚀，出现阻值监测计异常或被损坏的情况。因此，上述晶圆清洁装置中，旁流槽的槽底面上的阻值监测计可以进行拆卸。这样在阻值监测计出现异常或被损坏的情况下，方便于及时更换阻值监测计，从而避免因阻值监测计出现异常或被损坏而出现影响晶圆清洗效率和洁净度的情况。
[0013]可选的，连通结构包括：沿隔板的厚度方向贯穿隔板的连通孔。
[0014]可选的，多个连通孔的横截面积沿远离旁流槽的槽底面的方向逐渐减小。
[0015]上述晶圆清洁装置中，多个连通孔的横截面积沿远离旁流槽的槽底面的方向逐渐减小以形成具有梯度的结构，可以在必要时，根据清洗槽内不同深度的晶圆清洗液的阻值，利用连通孔的横截面积调整晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间的循环流量，以确保靠近晶圆台的晶圆清洗液可以以较大流量的方式流通至旁流槽，而远离晶圆台的晶圆清洗液以较小流量的方式流通至旁流槽。如此，方便于利用设置于旁流槽槽底面上的阻值监测计，及时监测到晶圆台附近晶圆清洗液的阻值，以作为晶圆清洗液阻值的监测结果。
[0016]可选的，多个连通孔的横截面积相同。
[0017]上述晶圆清洁装置中，各连通孔的横截面积相同，可以使晶圆清洗液在不同的连通孔中具有相同的流量，以使旁流槽内处于不同深度的晶圆清洗液的阻值快速均匀化。如此，方便于利用设置于旁流槽槽底面上的阻值监测计，及时监测到晶圆清洗液的均匀阻值，以作为晶圆清洗液阻值的监测结果。
[0018]可选的，至少一个连通结构的靠近旁流槽的部分边缘与旁流槽的槽底面位于同一平面；或，至少一个连通结构的靠近旁流槽的部分边缘与旁流槽的槽底面之间的竖直距离小于第一阈值。
[0019]上述晶圆清洁装置中，将连通结构的靠近旁流槽的部分边缘与旁流槽的槽底面设置于同一平面，或使连通结构的靠近旁流槽的部分边缘与旁流槽的槽底面之间的竖直距离小于第一阈值，可以使晶圆台附近的晶圆清洗液无阻碍地或仅克服较小的阻碍而快速流入旁流槽内。从而方便于使旁流槽内的阻值监测计及时监测晶圆台附近阻值略大的晶圆清洗液，以根据晶圆清洗液的阻值判断晶圆台上晶圆的清洗质量(例如洁净度)，进一步提升晶圆的清洗效率和清洗良率。
[0020]可选的，多个连通结构呈阵列状分布。
[0021]上述晶圆清洁装置中，多个连通结构呈阵列状分布，这样可以在清洗槽和旁流槽之间形成具有一定规律的通道，以控制晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间的循环速度。
[0022]可选的，旁流槽的数量为两个。两个旁流槽分别设置于清洗槽的相对的两侧，且每
个旁流槽内均设置有阻值监测计。
[0023]上述晶圆清洁装置中，在清洗槽相对的两侧分别设置旁流槽，并在两个旁流槽中分别设置阻值监测计，可以利用两个阻值监测计分别在两个方向上同时对晶圆清洗液的阻值进行监测。如此，可以避免因某一阻值监测计发生异常而影响晶圆清洁装置监测阻值的准确性。
[0024]可选的，隔板与清洗槽体可拆卸连接。
[0025]上述晶圆清洁装置中，隔板可以进行拆卸。如此，可以在必要时，拆除隔板，以对隔板或清洗槽体分别进行清洗，或使清洗槽体具有较大的清洗容积。
[0026]基于同样的专利技术构思，本申请实施例还提供了一种晶圆清洁设备，该晶圆清洁设备包括至少一个前述一些实施例中的晶圆清洁装置。前述晶圆清洁装置所能实现的技术效果，该晶圆清洁设备也均能实现，此处不再详述。
附图说明
[0027]图1为本申请实施例提供的一种晶圆清洁装置的截面示意图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洁装置，其特征在于，包括：清洗槽体和阻值监测计；所述清洗槽体包括：清洗槽；旁流槽，设置于所述清洗槽的旁侧；以及，隔板，设置于所述旁流槽和所述清洗槽之间；所述隔板上设有多个连通结构，所述连通结构用于连通所述清洗槽和所述旁流槽，以使所述清洗槽体内的晶圆清洗液在所述清洗槽和所述旁流槽之间流通；其中，所述阻值监测计设置于所述旁流槽内，所述阻值监测计用于对所述晶圆清洗液进行阻值监测。2.如权利要求1所述的晶圆清洁装置，其特征在于，所述晶圆清洁装置还包括：晶圆台，设置于所述清洗槽内，用于承载晶圆；所述晶圆台的台面与所述旁流槽的槽底面位于同一平面。3.如权利要求1或2所述的晶圆清洁装置，其特征在于，所述阻值监测计可拆卸地设置于所述旁流槽的槽底面上。4.如权利要求1或2所述的晶圆清洁装置，其特征在于，所述连通结构包括：沿所述隔板的厚度方向贯穿所述隔板的连通孔。5.如权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰升友，徐瑞林，易熊军，文成龙，王浪，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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