片上多金属互联层组合天线制造技术

本发明专利技术涉及一种集成电路技术领域的片上多金属互联层组合天线，包括：多金属互联层辐射元件、馈电穿孔、短路穿孔、二氧化硅层和硅基片。多金属互联层辐射元件中心与馈电穿孔相连，两端与短路穿孔相连，形成多金属互联层组合天线。本发明专利技术因为采用了多层金属互联层组合结构，可以有效地增加片上天线的辐射体积，缩减片上天线的尺寸，增加片上天线的阻抗带宽，显著提高片上天线在无线互联应用的传输增益，并且不占用任何额外的芯片面积。另外，本发明专利技术与主流ＣＭＯＳ工艺全面兼容，适用于各种电阻率的硅基片，且不需要额外的阻抗匹配部件；同时也适用于多层低温共烧陶瓷工艺，具有广泛的工艺适应性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路
的天线，具体是一种片上多金属互联层组 合天线。
技术介绍
随着微电子工艺的不断发展，集成电路元件规模如莫尔定律所述成几何级数 增长。新近，微米、亚微米工艺的成熟和应用，使人们越发关注互连线的信号完 整性问题，即全局互连传输延迟问题、互连线功耗问题以及互连线可靠性等问题。 基于上述考虑，不少学者提出采用无线互连的方式代替现有的互连线系统，即采 用片上集成天线、功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、编解码器 (Coder/Decoder)等组件的无线收发系统来实现诸如局部互连、全局互联、全 局时钟线以及数据传输线等功能。高性能片上天线是高速集成电路和无线互联的 关键技术之一。传统的偶极子天线、折线天线、PIFA天线和缝隙天线等系统普 遍存在天线尺寸较大、传输性能不佳、性能易受附近金属元器件影响以及性能易 受封装结构影响等问题。经对现有技术的文献检索发现，基于CMOS工艺的片上天线，特别是应用于 无线互联的片上天线是现代集成电路技术中研究的热点之一，J. Branch等人在 2005年2月发表在电气与电子工程学会电子器件快报(IEEE Electr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片上多金属互联层组合天线，包括：多金属互联层辐射元件（１）、馈电穿孔（２）、短路穿孔（３）、二氧化硅层（４）和硅基片（５），所述硅基片（５）在最下方，其上方是二氧化硅层（４），其特征在于，所述二氧化硅层（４）上方是多金属互联层辐射元件（１）、馈电穿孔（２）和短路穿孔（３），所述多金属互联层辐射元件（１）中心与所述馈电穿孔（２）相连，两端与所述短路穿孔（３）相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴琦，金荣洪，耿军平，叶声，毛军发，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]