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本发明涉及一种集成电路技术领域的片上多金属互联层组合天线，包括：多金属互联层辐射元件、馈电穿孔、短路穿孔、二氧化硅层和硅基片。多金属互联层辐射元件中心与馈电穿孔相连，两端与短路穿孔相连，形成多金属互联层组合天线。本发明因为采用了多层金属互联...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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