芯片级封装发光二极管制造技术

提供一种芯片级封装发光二极管。在根据本实施例的发光二极管中，使焊盘金属层暴露的开口部与使形成于台面上的欧姆反射层暴露的下部绝缘层的开口部隔开。因此，能够防止焊料，特别是Sn扩散而污染欧姆反射层。别是Sn扩散而污染欧姆反射层。别是Sn扩散而污染欧姆反射层。

【技术实现步骤摘要】
芯片级封装发光二极管
[0001]本申请是申请日为2017年8月31日、申请号为201780051117.4、题为“芯片级封装发光二极管”的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种芯片级封装形态的发光二极管。

技术介绍

[0003]通常，诸如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等III族元素的氮化物热稳定性良好且具有直接跃迁型能带(band)结构，因此近来作为可见光及紫外线区域的光源用物质而备受瞩目。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色发光二极管及绿色发光二极管应用于大规模自然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、高分辨率输出系统及光通信等多种应用领域。
[0004]最近，对于发光二极管正在进行关于在芯片级执行封装工艺的芯片级封装形态的发光二极管的研究。由于这种发光二极管的尺寸小于一般的封装件，并且无需单独执行封装工艺，因此能够进一步简化工艺，从而能够节约时间及成本。
[0005]芯片级封装形态的发光二极管大体具有倒装芯片形状的电极结构，因此散热特性良好。然而，这样的发光二极管通常制造为具有倒装芯片形状的电极结构，因此具有为了防止倒装焊接时使用的焊料扩散，而使发光二极管的结构相当复杂的问题。然而，焊料(特别是，Sn)可能扩散到发光二极管内部，从而污染欧姆反射层并导致发光二极管的不良。
[0006]因此，需要提供一种能够简化发光二极管的结构并且可靠的发光二极管的努力。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]本专利技术要解决的课题在于提供如下的一种发光二极管：无需复杂地变更发光二极管的结构也能够有效地防止焊料等焊接材料的扩散，从而能够提高可靠性。
[0009]本专利技术要解决的又一课题在于提供一种能够在有限的设计范围内有效地防止焊料的扩散的发光二极管。
[0010]本专利技术要解决的又一课题在于提供一种能够防止焊料在包括多个发光单元的发光二极管中扩散的发光二极管。
[0011]技术方案
[0012]根据本专利技术的一实施例的一种发光二极管包括：基板；第一导电型半导体层，布置于所述基板上；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包含活性层及第二导电型半导体层；欧姆反射层，布置于所述台面上，并电连接于所述第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述台面及欧姆反射层，并包含使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，
并通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及，上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，并包含使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开。
[0013]由于上部绝缘层的第二开口部与下部绝缘层的第二开口部隔开，因此能够阻断焊料向欧姆反射层扩散。
[0014]进而，从所述下部绝缘层的第二开口部到所述上部绝缘层的第二开口部的最短距离可以大于从所述下部绝缘层的第二开口部到所述第二焊盘金属层的边缘部位的最短距离。虽然上部绝缘层及下部绝缘层阻断焊料扩散，但是焊料可能沿下部绝缘层与第二焊盘金属层的交界到达下部绝缘层的第二开口部。因此，通过在有限的设计范围内使下部绝缘层的第二开口部远离上部绝缘层的第二开口部隔开，能够增加焊料的扩散路径，从而能够防止焊料扩散导致的不良发生。
[0015]另外，所述下部绝缘层的第一开口部可以沿所述台面周围使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层具有：外部接触部，沿所述台面周围接触于所述第一导电型半导体层暴露。由于第一焊盘金属层沿台面周围接触于第一导电型半导体层，因此能够提高发光二极管的电流分散性能。
[0016]并且，所述台面可以包括使所述第一导电型半导体层暴露的凹陷部，所述下部绝缘层的第一开口部在所述凹陷部内进一步使所述第一导电型半导体层暴露。进而，所述第一焊盘金属层还可以包括：内部接触部，在所述凹陷部内接触于所述第一导电型半导体层。由于第一焊盘金属层在台面边缘及台面内部接触于第一导电型半导体层，因此进一步强化发光二极管的电流分散性能。
[0017]进而，所述内部接触部可以与所述外部接触部连接，然而本专利技术并不局限于此，内部接触部与外部接触部也可以相互隔开。
[0018]另外，所述下部绝缘层的第二开口部可以具有在与所述上部绝缘层的第二开口部相向的侧凸出的形状，所述上部绝缘层的第二开口部具有对应于所述下部绝缘层的第二开口部的凸出的形状而凹入的形状。所述下部绝缘层的第二开口部可以具有相对小于所述上部绝缘层的第二开口部的大小。因此，所述下部绝缘层具有凸出的形状有利于图案化。并且，通过使所述上部绝缘层的第二开口部具有凹入部，能够增大与下部绝缘层的隔开距离。
[0019]在若干实施例中，通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层可以是焊料直接焊接的焊接焊盘。因此，焊料接触于通过上部绝缘层的开口部暴露的第一焊盘金属层及第二焊盘金属层的上表面。
[0020]在另一实施例中，所述发光二极管还可以包括：第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，分别覆盖通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层。通过采用第一凸起焊盘及第二凸起焊盘能够加长焊料的扩散路径。
[0021]进一步，所述第一凸起焊盘及第二凸起焊盘可以分别覆盖所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部而密封。因此，能够防止焊料直接接触于第一焊盘金属层及第二焊盘金属层。
[0022]另外，所述第二凸起焊盘还可以覆盖所述下部绝缘层的第二开口部上部的上部绝缘层。
[0023]根据本专利技术的又一实施例的一种发光二极管包括：基板；第一发光单元及第二发光单元，相邻地布置于所述基板上，并且均包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，分别布置于所述第一发光单元及第二发光单元的第二导电型半导体层上；下部绝缘层，覆盖所述第一发光单元、第二发光单元及欧姆反射层，并具有使所述第一发光单元及第二发光单元的第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一发光单元上的第一开口部电连接于所述第一发光单元的第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第二发光单元的第二开口部电连接于所述第二发光单元上的欧姆反射层；以及，上部绝缘层，具有使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开。
[0024]因此，能够提供一种能够防止焊料在包括多个发光单元的发光二极管中的扩散的发光二极管。
[0025]进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：基板；第一导电型半导体层，布置于所述基板上；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包含活性层及第二导电型半导体层；欧姆反射层，布置于所述台面上，并电连接于所述第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述台面及欧姆反射层，并包含使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，并包含使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开。2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，从所述下部绝缘层的第二开口部到所述上部绝缘层的第二开口部的最短距离大于从所述下部绝缘层的第二开口部到所述第二焊盘金属层的边缘部位的最短距离。3.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述下部绝缘层的第一开口部沿所述台面周围使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层具有：外部接触部，沿所述台面周围接触于所述第一导电型半导体层。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴世熙，金钟奎，李俊燮，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：