辐射型漏泄同轴电缆制造技术

一种辐射型漏泄同轴电缆，包括：内导体；绝缘层，包覆于内导体外部；外导体，套合于绝缘层外部，外导体上成形有多个漏泄槽孔；外护套，包覆于外导体外部。其中，漏泄槽孔包括沿第一方向延伸的第一部分和自第一部分的一端沿第二方向延伸的第二部分，第一部分的长度不大于１２０ｍｍ，宽度不大于１５ｍｍ，第二部分的长度小于第一部分的长度，宽度大于所述第一部分的宽度。该漏泄同轴电缆应用３Ｇ频段等高频信号传输时，传输衰减大大降低，从而增加了漏泄同轴电缆的无线盲区覆盖距离；并且在高频传输时５０％和９５％耦合损耗值偏差小，数据信号传输时误码率小且稳定。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种信号电缆，尤其涉及一种辐射型漏泄同轴电缆。技术背景漏泄同轴电缆通过在其外导体上设置开口而向外界辐射并从外界"l妾收电 磁波信号，因而兼有信号传输线和收发天线的双重功能，主要用于无线电信 号传播不良的场合，如隧道、坑道、地下铁路、地下建筑、山区等环境中。 现有漏泄同轴电缆有两种结构形式， 一种是辐射型漏泄同轴电缆，其主要用于低频段；另一种是耦合型漏泄同轴电缆。辐射型漏泄同轴电缆仅适用于频率为900MHz以下的频段。如果将其应 用于频率为1800MHz以上的场合，则电缆传输衰减4艮大，不能满足3G高频 (1800-2400MHz)传输时的使用要求。耦合型漏泄同轴电缆属于宽频漏缆，其使用频段宽，但传输衰减与耦合 损耗之和(即系统损耗)较大，致使其传输距离较短，不能满足长距离的无 线盲区信号覆盖要求。此外，它的耦合损耗受其所处环境的影响较大，在传 输高频(1800-2400MHz)信号时很不稳定，50 %和95 %耦合损耗值偏差太大， 数据信号传输误码率大。因此，耦合型漏泄同轴电缆也不能满足高频段(如 3G频段)的使用要求。
技术实现思路
本技术克服上述现有技术之不足，提供一种能应用于3G等高频场合 (1800-2400MHz)时传输衰减小的辐射型漏泄同轴电缆。按照本技术提供的一种辐射型漏泄同轴电缆，包括内导体；绝缘 层，包覆于所述内导体外部；外导体，套合于所述绝缘层外部，所述外导体 上成形有多个第一漏泄槽孔；外护套，包覆于所述外导体外部。其中，所述 漏泄槽孔包括沿第一方向延伸的第一部分和自所述第一部分的一端沿第二方 向延伸的第二部分，所述第一部分的长度不大于120mm，宽度不大于15mm; 所述第二部分的长度小于所述第一部分的长度，所述第二部分的宽度大于所 述第一部分的宽度。优选地，所述第二部分的长度不大于20mm，宽度不大于25mm。 优选地，所述第二部分的宽度与所述第一部分的宽度之差不大于10mm。优选地，所述第一部分和第二部分相互垂直，所述第一方向为所述外导 体的轴线方向，所述第二方向为所述外导体的切线方向。优选地，相邻的两所述漏泄槽孔构成一组，且二者的第二部分朝相反的方向延伸，所述漏泄槽孔的节距不小于200mm,不大于500mm。优选地，相邻的两所述漏泄槽孔之间的间距不小于10mm,不大于100mm。 按照本技术提供的另一种辐射型漏泄同轴电缆，包括内导体；绝 缘层，包覆于所述内导体外部；外导体，套合于所述绝缘层外部，所述外导 体上成形有多个第一漏泄槽孔；外护套，包覆于所述外导体外部。其中，所 述第一漏泄槽孔大体为矩形，其长度方向为所述外导体的切线方向，所述第 一漏泄槽孔的长度不大于120mm，宽度不大于15mm。优选地，相邻的两所述第一漏泄槽孔之间的间距不小于10mm，不大于 IOO讓。优选地，所述外导体上还成形有第二漏泄槽孔，所述第二漏泄槽孔大体 为矩形，其长度方向为所述外导体的轴线方向。优选地，所述第二漏泄槽孔的面积不大于所述第一漏泄槽孔的面积的八 分之一，且所述第一漏泄槽孔与所述第二漏泄槽孔间隔地设置。按照本技术提供的辐射型漏泄同轴电缆，由于其漏泄槽孔采用了特 殊的结构尺寸(沿电缆轴线方向的最长长度不大于120mm，沿电缆切线方向 的最小宽度不大于15mm)，因此可有效降低平行于电缆的横向极化，使横向 极化的辐射最小化，因而电缆圓周方向的电场相互叠加，即使得辐射电场集 中在电缆圆周方向向前传输，接收天线沿电缆移动时，接收的是电缆圓周方 向相互叠加的场，而轴向场相互抵消，即轴向没有辐射能量损失或者损耗很 小。因而与现有漏泄同轴电缆相比，该同轴电缆工作于3G频段或更高频率的 频段时，传输衰减大大降低，从而增加了漏泄同轴电缆的无线盲区覆盖距离； 并且在高频传输时50%和95%耦合损耗值偏差小，数据信号传输时误码率小 且稳定。因此，本技术的辐射型漏泄同轴电缆能满足信号在3G高频率传 输时对漏泄同轴电缆性能指标的要求。附图说明图1为按照本技术提供的辐射型漏泄同轴电缆的横截面剖视示意图；图2为按照本技术的一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体上 漏泄槽孔的结构分布示意图；图3为按照本技术的另一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体 上漏泄槽孔的结构分布示意图；图4为按照本技术的再一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体分布示意图；图5为按照本技术的还一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体 上漏泄槽孔的结构分布示意图。具体实施方式参见图1，按照本技术提供的辐射型漏泄同轴电缆，包括位于电缆中 央的内导体l,包覆于内导体1外部的绝缘层2，套合于绝缘层2外部的外导 体3和包覆于外导体3外部的外护套4。内导体l、绝缘层2、外导体3和外 护套4的材料及厚度均根据公知技术选用，此处不赘述。本技术提供的辐射型漏泄同轴电缆主要用于3G频段，因此，在设计 时根据漏泄同轴电缆工作频率下限公式F=C/ ( P(l+erAl/2))及工作截止频率 公式fc = 1.91 x 105/ ( er ( D+d))，使其工作频率范围为800MHz ~ 2400MHz。参见图2，在本技术的一种优选实施方案中，外导体3上成形有多个 漏泄槽孔5。漏泄槽孔5包括沿第一方向延伸的第一部分51和自第一部分51 的一端沿第二方向延伸的第二部分52。第一部分51的长度L1不大于120mm, 宽度B1不大于15mm，第二部分52的长度L2小于第一部分51的长度Ll, 第二部分52的宽度B2大于第一部分51的宽度Bl。由于采用这种结构尺寸 的漏泄槽孔，本技术的辐射型漏泄同轴电缆工作于3G频段或更高频率的 频段时，能有效降低平行于电缆的横向极化，而使电缆圓周方向的电场相互 叠加，因而接收天线沿电缆移动时，接收的是电缆圓周方向相互叠加的场。 因此，与现同轴电缆相比，本技术的传输衰减大大降低，增加了漏泄同 轴电缆的无线盲区覆盖距离，并且在高频传输时，其50%和95%耦合损耗值 偏差小，凄t据信号传输时误码率小且稳定。因此，这种辐射型漏泄同轴电缆 能满足信号在3G高频率传输时对漏泄同轴电缆性能指标的要求。如图所示，相邻两漏泄槽孔5的第二部分52朝相反方向延伸，该槽孔结 构设计，降低了平行于电缆轴的横向极化，从而使横向极化的辐射最小化， 并使电缆圆周方向的电场相互叠加，使得辐射电场集中在电缆圓周方向向前 传输，因而接收天线沿电缆移动时，接收的是电缆圓周方向相互叠加的场， 而轴向场相互抵消，即可使电缆衰减减少至最低。如图所示，相邻两漏泄槽孔5构成一组，漏泄槽孔5在以组为单4立在外 导体3均匀分布。漏泄槽孔5之间的节距D1 (即相邻两组漏泄槽孔之间的间 距)不小于200mm,不大于500mm。相邻的两个漏泄槽孔5之间的间距D2 不小于10mm,不大于100mm。漏泄槽孔间距位于该范围内的漏泄同轴电缆 工作在3G频段时，不仅传输衰减小，而且50%和95%耦合损耗偏差值也小， 因而误码率低，可稳定传输和接收信号。为进一步降低传输衰减，可对所述第二部分52的尺寸进行设计。优选地， 第二部分52的长度L2不大于20mm,宽度B2不大于25imn。第二部分52 的宽度B2与第一部分5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射型漏泄同轴电缆，包括：　　　　内导体（１）；　　　　绝缘层（２），包覆于所述内导体（１）外部；　　　　外导体（３），套合于所述绝缘层（２）外部，所述外导体（３）上成形有多个漏泄槽孔（５）；以及　　　　外护套（４），包覆于所述外导体（３）外部；　　　　其特征在于，所述漏泄槽孔（５）包括沿第一方向延伸的第一部分（５１）和自所述第一部分（５１）的一端沿第二方向延伸的第二部分（５２），所述第一部分（５１）的长度（Ｌ１）不大于１２０ｍｍ，宽度（Ｂ１）不大于１５ｍｍ；所述第二部分（５２）的长度（Ｌ２）小于所述第一部分（５１）的长度（Ｌ１），所述第二部分（５２）的宽度（Ｂ２）大于所述第一部分（５１）的宽度（Ｂ１）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王革，王念立，王胜军，胡玮，
申请(专利权)人：焦作铁路电缆工厂，
类型：实用新型
国别省市：41[中国|河南]