一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料及其制备方法技术

技术编号:32664666 阅读:22 留言:0更新日期:2022-03-17 11:16
本发明专利技术公开了一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料及其制备方法,涉及厚膜电阻浆料技术领域,厚膜电阻浆料按重量百分比计包括以下组分:20~50wt%的含银导电玻璃粉,5~30wt%的RuO2或15~30wt%的Pb2Ru2O6,25~30wt%的有机粘合剂,0.5~20wt%的TCR调节剂;所述TCR调节剂由ZrO2、Al2O3、SnO按照任意比例混合而成;所述TCR调节剂的总量不超过含银导电玻璃粉、RuO2或Pb2Ru2O6、有机粘合剂总重量的15wt%。制备方法为:先制备含银导电玻璃粉,再将其与其他原料搅拌混匀,经过三辊机充分分散加工得到玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料。克服了传统玻璃釉电位器用电阻浆料在耐磨与接触电阻指标之间的矛盾;烧结出来的电位器电阻膜层同时具备良好的耐磨特性和优异的接触电阻特性以及较低的TCR特性。低的TCR特性。

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及厚膜电阻浆料
,更具体的是涉及玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料及其制备方法


技术介绍

[0002]厚膜电阻浆料是集电子、化工、冶金三位一体的搞技术产品,是当今电子信息产业中的最基础的电子材料之一。目前厚膜电阻浆料主要以钌系电阻浆料为主,其主要导电成分是氧化钌或钌酸盐,如钌酸铅、钌酸铋等,电阻浆料中含含有一定量的玻璃粉,玻璃粉与导电成分比例的不同可以形成不同阻值的电阻浆料。
[0003]过去已有众多的专利技术介绍了有关电阻浆料的制造方法,主要都是由2~50wt%的RuO2,或15~50wt%Pb2Ru2O6,加上30~50wt%的是玻璃粉,2~10wt%的添加剂组成。作为导电相的RuO2或Pb2Ru2O6和作为无机粘合剂的玻璃料混合以后再分散在有机粘合剂中。玻璃相与导电相搭配调节电阻值大小,同时玻璃相起到粘结作用,还能确保电阻浆料烧结膜层的强度。作为玻璃釉电位器使用,玻璃相还对电位器电阻膜层的耐磨性能起到关键作用。
[0004]但是目前制备的电阻浆料由于电阻体烧结膜层玻璃的存在,会大大提高玻璃釉电位器电阻膜层表面与电刷的接触电阻,以及电刷滑动过程中的接触电阻变化(CRV),耐磨和接触电阻两个指标是一个矛盾。玻璃含量多,会提高膜层强度,改善膜层耐磨特性,但由于玻璃的绝缘性也同时导致膜层表面与电刷的接触电阻增大;玻璃含量少,接触电阻降低,但耐磨特性会变差。所以现有产品往往很难将两个指标同时兼顾,导致玻璃釉电位器产品的总体性能较低

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于解决现有技术中存在的玻璃釉电位器产品的总体性能较低的问题,为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料及其制备方法。
[0006]本专利技术为了实现上述目的具体采用以下技术方案:
[0007]一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料,所述厚膜电阻浆料按重量百分比计包括以下组分:20~50wt%的含银导电玻璃粉,5~30wt%的RuO2和/或15~30wt%的Pb2Ru2O6,25~30wt%的有机粘合剂,0.5~20wt%的TCR调节剂;
[0008]所述TCR调节剂由ZrO2、Al2O3、SnO按照任意比例混合而成;
[0009]所述TCR调节剂的总量不超过含银导电玻璃粉、RuO2、Pb2Ru2O6、有机粘合剂总重量的15wt%。
[0010]进一步的,所述含银导电玻璃粉按重量百分比计包括以下组分:10~35wt%的AgNO3,40~75%的Bi2O3,10~30wt%的SiO2,1~15wt%的Al2O3。
[0011]进一步的,所述含银导电玻璃粉的组成成分中还包括其他无机氧化物,所述其他无机氧化物的重量百分比为0~5wt%。
[0012]进一步的,所述其他无机氧化物包括MgO、CaO、BaO、B2O3、SrO、SnO、PbO中的任意一种或两种组合而成的混合物或多种组合而成的混合物。
[0013]在导电玻璃粉中加入上述无机氧化物,不但没有任何的弊病,相反地,还可以显著地改善电阻的特性。
[0014]进一步的,所述有机粘合剂包括乙基纤维素与松油醇的混合溶液。
[0015]进一步的,所述乙基纤维素与松油醇的混合溶液的浓度为3

10wt%。
[0016]为了实现上述目的,本申请还提出了一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料的制备方法,具体包括以下步骤:
[0017]步骤1:将10~35wt%的AgNO3,40~75%的Bi2O3,10~30wt%的SiO2,1~15wt%的Al2O3和0~5wt%的其它无机氧化物混合,得到混合产物;
[0018]步骤2:将步骤1中得到的混合产物在高温下熔炼,得到熔炼产物;
[0019]步骤3:将步骤2中得到的熔炼产物进行淬火冷却、研磨,制成含银导电玻璃粉;
[0020]步骤4:将5~30wt%的RuO2或15~30wt%的Pb2Ru2O6,20~50wt%的含银导电玻璃粉混合,然后加入1~10wt%的ZrO2、1~15wt%的Al2O3、0.5~20wt%的SnO、25~30wt%的乙基纤维素与松油醇的混合溶液,将所有原料搅拌混合均匀,经过三辊机充分分散加工得到玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料。
[0021]进一步的,步骤2中的熔炼温度为1000~1350℃;熔炼时间不低于30分钟。
[0022]进一步的,步骤3中的淬火冷却的冷却方法为将熔炼产物倒入到去离子水中冷却。
[0023]熔炼产物经过淬火冷却处理之后有利于研磨。
[0024]进一步的,其他无机氧化物包括MgO、CaO、BaO、B2O3、SrO、SnO、PbO中的任意一种或两种组合而成的混合物或多种组合而成的混合物。
[0025]本专利技术的有益效果如下:
[0026](1)本专利技术通过改变电阻浆料所采用的玻璃粉,即用导电玻璃粉代替传统的玻璃粉,克服了传统玻璃釉电位器用电阻浆料在耐磨与接触电阻指标之间的矛盾;
[0027](2)采用本专利技术的制备方法制造的玻璃釉电位器用电阻浆料,其烧结出来的电位器电阻膜层同时具备良好的耐磨特性和优异的接触电阻特性以及较低的TCR特性。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。
[0029]因此,以下对本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围,而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0030]实施例1
[0031]本实施例提供一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料的制备方法,具体包括以下步骤:
[0032]步骤1:将10wt%的AgNO3,55%的Bi2O3,25wt%的SiO2,5wt%的Al2O3和5wt%的B2O3混合,得到混合产物;
[0033]步骤2:将步骤1中得到的混合产物在1350℃的温度下熔炼30分钟,得到熔炼产物;
[0034]步骤3:将步骤2中得到的熔炼产物进行淬火冷却、研磨,制成含银导电玻璃粉;
[0035]步骤4:将30wt%的Pb2Ru2O6,35wt%的含银导电玻璃粉混合,然后加入5wt%的TCR调节剂、30wt%的乙基纤维素与松油醇的混合溶液,将所有原料搅拌混合均匀,经过三辊机充分分散加工得到玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料。
[0036]对比例1
[0037]与实施例1不同的是,对比例1中使用常规玻璃粉替代了实施例1中的导电玻璃粉。
[0038]实验验证1
[0039]将实施例1中制备得到的浆料样品1#和对比例1中制备得到的电阻浆料样品2#分别进行性能实验验证,采用250目的不锈钢丝网;漏印在96%本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料,其特征在于,所述厚膜电阻浆料按重量百分比计包括以下组分:20~50wt%的含银导电玻璃粉,5~30wt%的RuO2或15~30wt%的Pb2Ru2O6,25~30wt%的有机粘合剂,0.5~20wt%的TCR调节剂;所述TCR调节剂由ZrO2、Al2O3、SnO按照任意比例混合而成;所述TCR调节剂的总量不超过含银导电玻璃粉、RuO2、有机粘合剂总重量的15wt%;或所述所述TCR调节剂的总量不超过含银导电玻璃粉、Pb2Ru2O6、有机粘合剂总重量的15wt%。2.根据权利要求1所述的一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料,其特征在于,所述含银导电玻璃粉按重量百分比计包括以下组分:10~35wt%的AgNO3,40~75%的Bi2O3,10~30wt%的SiO2,1~15wt%的Al2O3。3.根据权利要求2所述的一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料,其特征在于,所述含银导电玻璃粉的组成成分中还包括其他无机氧化物,所述其他无机氧化物的重量百分比为0~5wt%。4.根据权利要求3所述的一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料,其特征在于,所述其他无机氧化物包括MgO、CaO、BaO、B2O3、SrO、SnO、PbO中的任意一种或两种组合而成的混合物或多种组合而成的混合物。5.根据权利要求1所述的一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料,其特征在于,所述有机粘合剂包括乙基纤维素与松油醇的混合溶液。6.根据权利要求5所述的一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料,其特征在于,所述乙基纤维素与松油醇的混合溶液的浓度为3

【专利技术属性】
技术研发人员:杨长印赵波荣伟
申请(专利权)人:西安欣贝电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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