一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法，属于电池制备技术领域。生产钝化接触晶硅电池步骤中首先进行切割步骤，将硅片分成至少两片分片、和/或在硅片表面切割形成切割槽。本发明专利技术提供的一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池的制备方法，将对电池的切割工序优化改变成对硅片的切割，设置到钝化接触电池生产工序之前，从根源上解决了电池片的切割损失。通过背面处理工艺步骤和正面钝化及背面钝化等步骤对切割面进行化学腐蚀修复和钝化修复，使得切割面被包裹在钝化层中，杜绝与空气的接触，解决了边缘切割损失，避免了电池少子寿命的降低，提升电池转换效率的同时增加封装的组件功率输出。同时增加封装的组件功率输出。同时增加封装的组件功率输出。

【技术实现步骤摘要】
一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法，属于电池制备


技术介绍

[0002]近年来绿色无污染的太阳能光伏发电应用越来越广。光伏不断发展的目标就是实现平价上网，所以市场上的客户对低成本高功率的产品有更大的需求热情。
[0003]原来组件的封装均采用全片设计，因此组件方面随着输出电流的不断提高，内部损耗造成的影响越来越大，而且提高组件功率方式已到瓶颈，为了降低组件内部损耗提高组件的输出功率，组件封装逐步更新到现在的半片或者多片技术，通过电池半片切割后可以降低电池串联的电流1/2，根据内部损耗＝I2R的原理，内部损耗可以降低到1/4，如果是三分之一片的话，内部损耗可以降低到1/9。从而可实现组件功率的大幅度提升。
[0004]由于现在的电池的切割都是在组件端进行，通过激光热熔和物理破坏相结合的方法，切割后的电池侧面有一定的物理损伤，更重要的是钝化接触电池的硅基体全部裸露在空气中，悬挂键的大量存在和晶格缺陷都会导致太阳能电池的复合增加，减少整本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、切割：使用激光对硅片进行分片切割；S2、制绒：将步骤S1切割后的硅片进行碱式制绒；S3、硼扩散：将步骤S2处理后的硅片形成硼扩散层；S4、背面处理：将步骤S3处理后的硅片背面和步骤S1形成的切割面进行处理，去除所述硅片背面由所述步骤S4形成的硼硅玻璃，并对所述切割面和背面进行化学腐蚀；S5、背钝化：将步骤S4处理得到的硅片背面生长氧化硅薄层，在所述氧化硅薄层上沉积掺杂形成多晶硅层；S6、去除背面磷硅玻璃、正面绕镀和正面硼硅玻璃：将步骤S5处理得到的硅片使用酸溶液去除背面磷硅玻璃，使用碱溶液去除正面和切割面的多晶硅层，使用酸溶液去除正面硼硅玻璃；S7、正镀膜：将步骤S6处理得到的硅片的正面及切割面形成氧化铝和氮化硅叠层钝化减反膜；S8、背镀膜：将步骤S7处理得到的硅片的背面及切割面形成氮化硅的钝化膜；S9、正背金属化以及烧结：将步骤S8处理得到的硅片使用丝网印刷或者电镀在正面和背面形成正背电极，通过烧结方式形成合金；其中，所述步骤S1中激光装置上设置有硬性或柔性的光路导管，所述激光导管用于通过并聚集激光光束，所述切割步骤中光路导管和硅片间距离设置为0
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2mm。2.如权利要求1所述的无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中切割将硅片分成至少两片分片、和/或在硅片表面切割形成切割槽。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱洪强，张树德，原庆东，蔡霞，周海龙，荆蓉蓉，
申请(专利权)人：山东腾晖新能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：