一种太阳能电池制备方法及太阳能电池技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，属于光伏技术领域。本发明专利技术提供的太阳能电池的制备方法，通过在制备太阳能电池的过程中，保留预设厚度的硼硅玻璃层，并对其在预设活化温度下反应预设活化时间从而激活其钝化活性，获得发射极的第一钝化层，由于硼化玻璃层是在对硅基底的正面进行硼扩散处理时自然形成的，因此，能够很好的兼容太阳能电池的原制备工艺，避免了氧化铝工艺的引入，有效简化了太阳能电池的制备工艺，硼化玻璃层不易被空气污染，降低了后续其它功能层的制备难度，无需引入对硅基底的高效清洗方法即可有效发挥其钝化作用，提升了太阳能电池的制备效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池制备方法及太阳能电池


[0001]本专利技术涉及光伏
，更具体地，涉及一种太阳能电池制备方法及太阳能电池。

技术介绍

[0002]TOPCON(Tunnel Oxide Passivating Contacts，隧穿氧化层钝化接触)电池是一种高效率的太阳能电池，通过在电池背面采用钝化接触技术，有效提升了太阳能电池的转换效率。
[0003]目前，常规的N型TOPCON电池采用氧化铝/氧化硅薄膜，或其他光学薄膜对P型区域进行钝化，通过氧化铝的场钝化效应、负电荷效应在P型区形成场效应，氧化铝在场钝化效应下形成电场势垒，在载流子浓度梯度中，形成界面态的固定电荷，进而提升钝化能力。
[0004]但是，在制备N型TOPCON电池的过程中，还要另外引入氧化铝的制备工艺，使得工艺复杂化；另外，氧化铝不稳定，易被空气污染从而影响钝化能力，因此，需要短时间内制备其他光学薄膜保护氧化铝，使得工艺复杂化、难度高；最后，制备氧化铝前需要在硅片表面进行有效清洗，通常需要引入半导体中的高效清洗方法，如RCA标准清洗(1965年由Kern和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在硅基底的正面进行硼扩散处理，形成依次层叠的发射极和硼硅玻璃层，所述硅基底具有绒面结构；对所述硼硅玻璃层进行部分去除处理，保留预设厚度的所述硼硅玻璃层；使所述预设厚度的所述硼硅玻璃层在预设活化温度下反应预设活化时间，形成第一钝化层；在所述硅基底的背面形成钝化接触结构；分别对所述钝化接触结构以及第一钝化层远离所述硅基底的一侧依次制备钝化结构和电极结构，形成太阳能电池。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设厚度为10nm～30nm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设活化温度为700℃～800℃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设活化时间为20秒。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化接触结构包括隧穿氧化层和磷掺杂介质层，所述在所述硅基底的背面形成钝化接触结构，包括：在所述硅基底的背面形成依次层叠的隧穿氧化层与多晶硅层；对所述多晶硅层进行磷掺杂处理，形成磷掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：李家栋，刘勇，朴松源，王洪喆，
申请(专利权)人：一道新能源科技衢州有限公司，
类型：发明
国别省市：