一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种集成电路用的硅蚀刻液，属于刻蚀液制备技术领域，包括以下质量百分比的原料：18

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法


[0001]本专利技术属于刻蚀液制备
，具体地，涉及一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着信息社会的发展，微机械加工技术越来越广泛地应用于微电子机械系统(MEMS)中。体硅加工技术一般是指利用蚀刻工艺对块状硅进行准三维结构的微加工，其中体硅的各项异性腐蚀技术是微机械加工技术工艺主要技术之一，它被广泛地应用于加工各种各样的微结构如凹槽结构(带膜或者无膜的孔腔)、凸出结构(金字塔的针尖、台面结构)、到金字塔的孔腔结构以及悬臂结构等，近年来也被用于各种纳米结构的制作。
[0003]一般各向异性硅蚀刻液采用碱性物质，其中TMAH硅蚀刻液具有性能较好、不引入金属离子、无毒等优势，但存在蚀刻速率过慢的问题，并且对硅蚀刻过程中会产生氢气气泡，这些气泡吸附在硅基体表面后隔绝了刻蚀液与硅基体的接触，影响蚀刻经常，减慢蚀刻速率，并且现有的集成电路、半导体设备、MEMS部件的制造工序中，作为在以布线为首的各组部件使用的材料大部分含有Cu，Cu无论是与硅存在同一基板上，还是存在于同时浸渍的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，包括以下质量百分比的原料：18
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25％份四甲基氢氧化铵、2
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3％氢氧化钾、0.3
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0.5％催化剂、0.1％助剂、0.1％金属捕集剂、0.05
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0.1％表面活性剂，余量为去离子水；其中，助剂由以下步骤制成：步骤A1、将含氢硅油、甲基丙烯酸缩水甘油醚和无水乙醇混合，通入氮气搅拌10
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15min，将体系温度升高至70
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80℃，加入氯铂酸，保温反应4
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5h，减压蒸馏，得到中间产物1；步骤A2、氮气保护下，向三口烧瓶中加入中间产物1、全氟三丁胺和无水乙醇，升温至60
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70℃，搅拌反应3
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4h，加入冰醋酸调节体系pH值6
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7，反应4
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8h后，减压蒸馏，得到助剂。2.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤A1中含氢硅油中的Si
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H含量为0.27
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0.4％。3.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤A1中无水乙醇的用量为含氢硅油和甲基丙烯酸缩水甘油醚总质量的20
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30％。4.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤A1中氯铂酸的用量为含氢硅油和甲基丙烯酸缩水甘油醚总质量的0.05
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0.1％。5.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，金属捕集剂由以下步骤制成：步骤B1、向三口烧瓶中加入THF和3
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羧基吗啉，加入质量分数10％的氢氧化钠溶液，冰水浴条件下，滴加二硫化碳的THF溶液，升温至室温，搅拌反应2h，滴加氯乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：戈士勇，何珂，展红峰，
申请(专利权)人：江苏中德电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：