一种射频离子源离子束稳定性判断方法技术

本发明专利技术涉及一种射频离子源离子束稳定性判断方法，包括，S1，射频离子源开启时间t满足条件ta≤t≤tb时，每间隔时间

【技术实现步骤摘要】
一种射频离子源离子束稳定性判断方法


[0001]本专利技术涉及射频离子源离子束刻蚀加工
，尤其涉及一种射频离子源离子束稳定性判断方法。

技术介绍

[0002]不论是光学薄膜的制备还是纳米尺度的离子束刻蚀和抛光，高性能的离子束流都是不可缺少的。离子束超精密加工研究中，离子源起着非常重要的作用。离子源是产生离子束流的装置，又是离子束设备中的关键部件。
[0003]射频离子源具有结构简单、无极放电的优点，采用射频离子源离子束溅射镀膜所镀制的膜层具有吸收少、漂移小、效率高、致密性好的优点。射频离子源也用于精密制造领域的离子束抛光，离子束抛光通常用于超精密光学元件的最终加工，是一种去除精度达到原子级别的抛光技术。由于射频感应产生的等离子体中只有单电荷离子，几乎没有双电荷离子，因此使屏栅溅射引起的污染尤为减小，同时也增加了离子束的均匀性。射频离子源工作时，气体通过石英放电室，通过一定射频功率进行射频放电，离化气体产生等离子体。带电粒子经由静电场加速，控制离子束电压，增大放电室功率，提高放电等离子体浓度，再经过离子三栅光学系统的聚焦加速形成一定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频离子源离子束稳定性判断方法，其特征在于：包括，S1，射频离子源开启时间t满足条件ta≤t≤tb时，每间隔时间
△
t对离子束进行法拉第扫描并获取对应时刻ti的束流度实际测量数值Ii和峰值束流密度Jmaxi，其中i＝1,2
…
n，n≤tb/
△
t；S2，计算时刻ti的束流分布特征量Hi及体积去除率Vmi；S3，判断束流度实际测量数值Ii、峰值束流密度Jmaxi、束流分布特征量Hi及体积去除率Vmi的偏差是否均满足对应设定范围，若是，则判断为射频离子源离子束稳定性好，否则，稳定性不好。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：判断束流度实际测量数值Ii偏差是否满足设定范围的方法为，对ti时刻束流度实际测量数值Ii进行采样，得到多个采样值Iij，其中j为ti时刻的采样次数，计算Iij与理论计算拟合数值Iqj的偏差，计算公式为
△
S＝(Iij
‑
Iqj)/Iqj，总偏差为S＝|∑
△
S|，判断总偏差S是否满足设定范围。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述束流分布特征量Hi的获取方法为，由束流度实际测量值Ii得到束流分布曲线，做束流分布曲线顶点即峰值束流密度Jmaxi处的切线L1，再按照束流密度大小一半的高度处做平行于L1的直线L2，直线L2与束流分布曲...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓静，聂景江，赵仕燕，吴鹏飞，
申请(专利权)人：中国兵器科学研究院宁波分院，
类型：发明
国别省市：