波导管结构化组件及其制造方法技术

一种波导管结构化组件，包括：　　　　一上端壳体；　　　　一下端壳体，其具有输入ＲＦ信号和输出ＲＦ信号的波导管；　　　　一置于所述波导管之间的半导体芯片；其中，　　　　所述半导体芯片包括用于通过波导管传送ＲＦ信号的输入传输带部分和输出传输带部分；和　　　　所述上端壳体和下端壳体彼此耦合。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种波导管结构化组件(waveguide structured package)及其制造方法。更具体地说，涉及一种可以缩短处理时间从而可降低生产成本并可以防止其输入/输出匹配变差和性能恶化的波导管结构化组件。本专利技术还涉及制造这种波导管结构化组件的方法。
技术介绍
通常，用于超高频带的波导管结构化组件如图1A和1B所示。图1A是传统的波导管结构化组件的平面图，图1B是沿图1A中线I-I’剖切的波导管结构化组件的横截面图。其中，图1A是仅示出下端壳体而没有示出上端壳体的平面图。参见图1A和1B，传统的波导管结构化组件包括设有彼此组合的波导管110a、110b的下端壳体100和上端壳体200。半导体芯片130通过粘合剂120b结合到下端壳体100上，并且PCBs(印刷电路板)140、150通过粘合剂120a、120c分别结合到半导体芯片130的两侧。半导体芯片130和PCBs140、150彼此分开。此外，半导体芯片130和PCBs140、150通过焊接线160a、160b彼此连接。另一方面，上端壳体200与下端壳体100耦合，以作为用于保护与下端壳体100结合的半导体芯片130和PCBs140、150的盖。在上述传统波导管结构化组件中的RF信号流动情况如下。首先，RF信号被输入到置于下端壳体100左侧的波导管110a中。输入的RF信号被传送到置于PCB140内的探头140a中，然后通过微波传输-波导管转换部分140b被传送到微带线140c中。接下来，该RF信号通过焊接线160a被输入到置于半导体芯片130内的输入焊点(input pad)130a中，并且该输入的RF信号通过半导体芯片130内的主电路(未示出)被输出到焊接线160b再输出到输出焊点130e中。接下来，信号依次通过焊接线160b、置于PCB150内的微带线150c、微波传输-波导管转换部分150b和探头150a，再通过置于下端壳体100右侧的波导管110b输出该RF信号。但是，由于连接半导体芯片130和PCBs140、150的焊接线160a、160b产生的寄生成份使半导体芯片130的输入/输出匹配变差，而导致制造出波导管结构化组件后元件的性能恶化。此外，由于在制造波导管结构化组件的过程中焊接线160a、160b的长度可能略有改变，因此很难预测由此产生的寄生成份，从而导致其产品收得率降低，因而增加了生产成本。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题是提供一种可以缩短处理时间以降低生产成本的波导管结构化组件。本专利技术另一要解决的技术问题是改进半导体芯片的输入/输出匹配和性能。本专利技术再一要解决的技术问题是增加波导管结构化组件的产品收得率，以降低生产成本。本专利技术又一要解决的技术问题是减小波导管结构化组件的尺寸，以降低生产成本。根据本专利技术的一个方面，提供了一种波导管结构化组件，其包括一上端壳体和一下端壳体，该下端壳体包括输入RF信号和输出RF信号的波导管和安装在所述波导管之间的中心部分顶部的半导体芯片，其中，所述半导体芯片包括用于通过波导管传送RF信号的输入传输带部分和输出传输带部分，所述上端壳体和下端壳体彼此对应耦合。根据本专利技术另一方面，提供了一种制造所述波导管结构化组件的方法，包括(a)形成一上端壳体，该上端壳体的一部分上具有至少两个凹槽；(b)在对应于所述凹槽处形成波导管、并将一半导体芯片安装在所述波导管之间的中心部分的顶部、所述半导体芯片包括用于通过波导管传送RF信号的输入传输带部分和输出传输带部分、从而形成一下端壳体；和(c)将所述上端壳体和下端壳体彼此对应耦合。附图说明下面将结合附图对上面所提到的本专利技术的一些方面和其他的特征进行说明。附图中 图1A是传统的波导管结构化组件的平面图；图1B是沿图1A中线I-I’剖切的波导管结构化组件的横截面图；图2A是本专利技术优选实施方式的波导管结构化组件的平面图；图2B是沿图2A中线II-1I’剖切的波导管结构化组件的横截面图；图3是图2A和图2B中所示的半导体芯片的平面图；和图4到9是用于说明制造图2A和2B中所示的波导管结构化组件的方法的横截面图。具体实施例方式现在，将参考附图详细描述本专利技术的优选实施方式。当然，本专利技术并不局限于在下面的描述中所公开的优选实施方式，而可以作出各种不同的改变和改型。因此，本专利技术的这些实施方式用来向所属领域的技术人员提供本专利技术构思的信息。图2A是本专利技术一优选实施方式的波导管结构化组件的平面图，图2B是沿图2A中线II-II’剖切的波导管结构化组件的横截面图。此处，图2A是仅示出了下端壳体而没有示出上端壳体的平面图。参考图2A和2B，本专利技术一优选实施方式的波导管结构化组件具有这样一种结构，其下端壳体300和上端壳体400彼此相对应地耦合。波导管310a、310b位于下端壳体300内，通过波导管310a、310b输入RF信号和输出RF信号。此外，半导体芯片350被安装在位于下端壳体300内的波导管310a、310b之间的中心部分的顶部。此外，虚拟(dummy)PCB330置于半导体芯片350和下端壳体300之间，以防止半导体芯片350和下端壳体300由于外部碰撞而破裂。此外，虚拟PCB330的底部通过粘合剂320被结合到下端壳体300的中心部分的顶部，并且虚拟PCB330的顶部通过粘合剂340被结合到半导体芯片350的底部上。另一方面，在虚拟PCB330的预定部分内形成了多个用于将下端壳体300连接到半导体芯片350的接地端子上的通孔。如图3所示，半导体芯片350包括输入微波传输带部分(下文中称为“输入传输带部分”)352、主电路部分354和输出微波传输带部分(下文中称为“输出传输带部分”)356。输入传输带部分352包括探头352a、微波传输-波导管转换部分352b和微带线352c。输出传输带部分356与输入传输带部分352相似，包括探头356a、微波传输-波导管转换部分356b和微带线356c。主电路部分354包括用于接收从输入传输带部分352传送来的RF信号的输入焊点354a，用于RF接地的接地焊点354b、354d，用于使半导体芯片350工作的DC偏压焊点(bias pad)354c，和输出焊点354e。此外，主电路部分354还包括预定电路(未示出)。该预定电路可以根据半导体芯片的使用和设计方法进行不同设计。这里，使输入焊点354a和接地焊点354b或输出焊点354e和接地焊点354d具有一GSG结构，并在构成半导体芯片350时构成具有用于为DC接地所共有的GSG结构的焊点。根据本专利技术此优选实施方式的波导管结构化组件中的RF信号的流动情况如下。首先，将RF信号输入置于下端壳体300左侧的波导管310a中。该输入的RF信号被传送到置于半导体芯片350内的输入传输带部分352的探头352a中，然后通过微波传输-波导管转换部分352b被传送到微带线352c中。接下来，将该RF信号输入到置于半导体芯片350内的主电路部分354的输入焊点354a中，并通过电路将该输入的RF信号输出到置于半导体芯片350内的输出传输带部分356中。接着，使信号依次经过输出传输带部分356的微带线356c、微波传输-波导管转换部分356b和输出传输带部分356的探头356a，通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇镇，尹亨燮，金海千，赵庚翼，
申请(专利权)人：韩国电子通信研究院，
类型：发明
国别省市：