一种压阻式MEMS传感器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种压阻式MEMS传感器及其制备方法，包括SOI晶圆，SOI晶圆由依次设置的体硅层、埋氧层和器件硅层组成，器件硅层上生长有一层金属薄膜，金属薄膜上通过作图案化构造有压敏电阻,压敏电阻外还沉积一层顶部绝缘层，顶部绝缘层上作图案化形成有连通至压敏电阻的通孔，顶部绝缘层上还沉积一层导电金属层，导电金属层上作图形化形成有金属焊盘和金属连接线，压敏电阻通过导电金属层连接形成惠斯通电桥，体硅层上刻蚀形成有压力敏感薄膜。以解决压阻式MEMS压力传感器的灵敏度与膜厚之间的折中问题。属于MEMS传感技术领域。之间的折中问题。属于MEMS传感技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种压阻式MEMS传感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种压阻式MEMS传感器及其制备方法，属于MEMS传感


技术介绍

[0002]MEMS传感器因为能够利用半导体工艺制作，具有体积小、成本低、易集成等的特点被广泛使用。常用的MEMS压力传感器有压阻式、变电容式、压电式。MEMS压阻式的压力传感器是一种利用压阻效应来检测压力的传感器，它的可靠性强，制作非常简单，灵敏度也很高，所以占据的MEMS压力传感器市场份额达90％以上。
[0003]在例如航空航天、汽车驾驶、农业应用等方面，压强是一个至关重要的物理参数。理想的传感器不仅测压精度高，而且能够承受的压强范围大。但是对于常用的方形或者圆形的压力敏感膜来说，要么膜很厚来承受大范围的压强；要么薄膜被减薄来提高灵敏度，此时压强变化的范围非常小。因此，我们往往是根据不同的应用场景对压力传感器的精度或者测压范围做出折中处理。目前，对一款灵敏度高并且承压范围大的传感器的需要很迫切。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目在于：提供一种压阻式MEMS传感器及其制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压阻式MEMS传感器，其特征在于，包括SOI晶圆，SOI晶圆由依次设置的体硅层(4)、埋氧层(20)和器件硅层(30)组成，器件硅层(30)上生长有一层金属薄膜，金属薄膜上通过作图案化构造有压敏电阻(2),压敏电阻(2)外还沉积一层顶部绝缘层(40)，顶部绝缘层(40)上作图案化形成有连通至压敏电阻(2)的通孔，顶部绝缘层(40)上还沉积一层导电金属层(50)，导电金属层(50)上作图形化形成有金属焊盘和金属连接线，压敏电阻(2)通过导电金属层(50)连接形成惠斯通电桥，体硅层(4)上刻蚀形成有压力敏感薄膜(1)。2.根据权利要求1所述一种压阻式MEMS传感器，其特征在于：所述压力敏感薄膜(1)的形态为规则的类多角星型压力敏感膜，且该类多角星型压力敏感膜的外角处均为截断的断角结构。3.根据权利要求2所述一种压阻式MEMS传感器，其特征在于：所述类多角星型压力敏感膜断角处夹角α1为100
°
～160
°
，类多角星型压力敏感膜内角α2为200
°
～270
°
。4.根据权利要求2所述一种压阻式MEMS传感器，其特征在于：所述压力敏感薄膜(1)的形态为规则的类四角星型压力敏感膜，所述压敏电阻(2)共有四个，四个压敏电阻(2)分别正对设置于类四角星型压力敏感膜的四个内角处。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈果，吴世海，李江龙，鲍义东，王江，
申请(专利权)人：贵州航天智慧农业有限公司，
类型：发明
国别省市：