温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种压阻式MEMS传感器及其制备方法，包括SOI晶圆，SOI晶圆由依次设置的体硅层、埋氧层和器件硅层组成，器件硅层上生长有一层金属薄膜，金属薄膜上通过作图案化构造有压敏电阻,压敏电阻外还沉积一层顶部绝缘层，顶部绝缘层上作图案化形成...
该专利属于贵州航天智慧农业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过贵州航天智慧农业有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。