数字移相器制造技术

一种数字移相器，包括串联连接的可控移相位（３ａ－３ｋ），其中每个可控移相位引入通过信号中的确定的相位延迟量，其中根据开关相位元件（３ｋ）的控制信号发生相位变化并且把相位变化加到其用于各个元件（３）中的开关元件（１１、２１、２２、３１、３２）的控制终端（４ｋ），其特征在于将具有正或负的夹断电压的分立式Ｐ－ＨＥＭＴ（赝结构高电子迁移率晶体管）用作开关元件（１１、２１、２２、３１、３２）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及微波数字控制移相器，它是在需要信号相位改变的场合能够在不同的通讯范围中使用微波数字控制移相器。数字移相器适用于用作波束控制和极化倾斜补偿的相控阵列天线。本专利技术也能够用作相位调制器(BPSK)或(QPSK)。
技术介绍
目前的数字移相器用作在MESFET(金属半导体场效应晶体管)或者P-HEMT(赝结构高电子迁移率晶体管)技术中实现的开关元件p-i-n二极管和FET(场效应晶体管)。分立式移相器由一些p-i-n二极管组成，且不管其极优良的微波性能，它们有某些缺点，像高的功率损耗、复杂的驱动电路和较长的开关时间。FET的应用克服了这些缺点。在美国专利US003545239中描述基于FET的固态移相器。这种固态移相器是5位器件并且使用跟踪移相元件负载线、混合耦合反射类型、高低通类型和Schiffman类型。所使用GaAs FET是三电极器件。实现移相器的微波单片集成电路化(MMIC)在其改善可靠性、频带、工作频率和用更紧凑的尺寸产出器件的进程中前进了一步。与分立的对应部分相比，单片移相器众所周知的难处是由于GaAs衬底造成的需要大量初期资金投入、不能后生产协调和高插入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数字移相器，包括串联连接的可控移相位（３ａ－３ｋ），其中每个可控移相位引入通过信号中的确定的相位延迟量，其中根据开关相位元件（３ｋ）的控制信号发生相位变化并且把相位变化加到其用于各个元件（３）中的开关元件（１１、２１、２２、３１、３２）的控制终端（４ｋ），其特征在于将具有正或负的夹断电压的分立式Ｐ－ＨＥＭＴ（赝结构高电子迁移率晶体管）用作开关元件（１１、２１、２２、３１、３２）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯塔尼迷尔卡梅诺普尔斯基，
申请(专利权)人：雷塞特塞浦路斯有限公司，
类型：发明
国别省市：CY[塞浦路斯]