基于MOS管软启动的隔离电路以及软启动控制方法技术

技术编号:32645843 阅读:22 留言:0更新日期:2022-03-12 18:27
本申请是关于一种基于MOS管软启动的隔离电路。该电路包括:依次连接的MOS管软启电路、升压电路、全桥逆变器、变压器T1以及桥式整流器D11;MOS管软启电路与升压电路之间设有储能电容C2,升压电路与全桥逆变器之间设有储能电容C1,桥式整流器D11的正极隔离输出端与负极隔离输出端之间设有储能电容C3;MOS管软启电路中包含第一MOS管控制支路以及第二MOS管控制支路,第一MOS管控制支路与第二MOS管控制支路并联,第一MOS管控制支路中设有软启电阻R1。本申请提供的方案,能够解决继电器使用寿命短以及体积过大的问题,满足高压大电流的电源高性能应用需求,降低软启电阻对正常运行时的电路所产生的损耗,提升电路的运行效率。提升电路的运行效率。

【技术实现步骤摘要】
基于MOS管软启动的隔离电路以及软启动控制方法


[0001]本申请涉及电路
,尤其涉及基于MOS管软启动的隔离电路以及软启动控制方法。

技术介绍

[0002]在输入电源导入隔离电路时,由于隔离电路中的电容的初始电压为零,输入电源直接对该电容进行充电的话,会在该电容处形成很大的瞬时冲击电流,产生过流现象,而过流现象会对隔离电路或者其他的电路回路都会产生较大影响,情况严重的会导致相关电路或者后端设备发生故障,甚至损坏。为防止产生过流现象,需要软启动电路对在电容处形成的电流进行控制,现有的技术手段通常会采用基于继电器的软启电路来进行软启动,但由于继电器普遍的使用寿命较短,而且满足高压大电流的继电器普遍体积过大,软启电阻会对正常运行时的电路产生损耗,降低了电路的运行效率。
[0003]现有技术中,公开号为CN111865062A的专利(一种基于单相/三相升压电路的辅助电源启动电路)中,提出了基于单相升压电路的辅助电源启动电路包括输入电源、单相升压电路、第一电容及第二电容,输入电源电连接于单相升压电路,单相升压电路的输出正负极之间串接有第一电容及第二电容,输入软启电路包括常闭开关、软启电阻及常开开关;常闭开关与软启电阻串联,以构成第一串联支路,第一串联支路与常开开关并联,以构成并联支路,并联支路一端电连接于输入电源,另一端电连接于单相升压电路。
[0004]上述现有技术存在以下缺点:
[0005]该方案采用空气开关来进行线路切换从而实现软启动,使用寿命较短,能够满足高压大电流的应用需求的空气开关体积较大,容易产生噪音,无法减小软启电阻对正常运行时的电路所产生的损耗。

技术实现思路

[0006]为克服相关技术中存在的问题,本申请提供一种基于MOS管软启动的隔离电路,该基于MOS管软启动的隔离电路,能够解决继电器使用寿命短以及体积过大的问题,满足高压大电流的电源高性能应用需求,降低软启电阻对正常运行时的电路所产生的损耗,提升电路的运行效率。
[0007]本申请第一方面提供一种基于MOS管软启动的隔离电路,包括:
[0008]MOS管软启电路、升压电路、全桥逆变器、变压器T1以及桥式整流器D11;
[0009]MOS管软启电路、升压电路、全桥逆变器、变压器T1以及桥式整流器D11依次连接;
[0010]MOS管软启电路与升压电路之间设有储能电容C2,升压电路与全桥逆变器之间设有储能电容C1,桥式整流器D11的正极隔离输出端与负极隔离输出端之间设有储能电容C3;
[0011]MOS管软启电路中包含第一MOS管控制支路以及第二MOS管控制支路,第一MOS管控制支路与第二MOS管控制支路并联,第一MOS管控制支路中设有软启电阻R1。
[0012]在一种实施方式中,第一MOS管控制支路包含软启电阻R1、二极管D2、MOS管Q3以及
二极管D3;
[0013]软启电阻R1与MOS管Q3串联;
[0014]二极管D2与软启电阻R1并联;
[0015]二极管D3与MOS管Q3并联。
[0016]在一种实施方式中,第二MOS管控制支路包含MOS管Q1以及二极管D1;
[0017]MOS管Q1与二极管D1并联。
[0018]在一种实施方式中,MOS管软启电路的输入端与整流器D6的输出端连接,整流器D6的输入端与输入交流电接通;
[0019]储能电容C2与整流器D6并联。
[0020]在一种实施方式中,升压电路包括电感L1、二极管D4、二极管D5、储能电容C1、MOS管Q4和MOS管Q5;
[0021]电感L1和MOS管Q3串联,MOS管Q4与电感L1串联,二极管D4与MOS管Q4并联;
[0022]MOS管Q5与储能电容C2并联,二极管D5与MOS管Q5并联;
[0023]储能电容C1与MOS管Q5并联;
[0024]储能电容C1与全桥逆变器的输入端连接。
[0025]在一种实施方式中,全桥逆变器包含MOS管Q7、MOS管Q8、MOS管Q9、MOS管Q10、二极管D7、二极管D8、二极管D9以及二极管D10;
[0026]二极管D7和二极管D8串联,二极管D9和二极管D10串联,二极管D7和二极管D8串联连接的支路,与二极管D9和二极管D10串联连接的支路并联;
[0027]MOS管Q7与二极管D7并联,MOS管Q8与二极管D8并联,MOS管Q9与二极管D9并联,MOS管Q10与二极管D10并联;
[0028]变压器包括原边绕组以及副边绕组;
[0029]原边绕组与全桥逆变器的输出端连接,副边绕组与桥式整流器的输入端连接。
[0030]本申请第二方面提供一种软启动控制方法,用于控制如上任一项所述的基于MOS管软启动的隔离电路进行软启动,包括:
[0031]获取整流器D6的第一输出电压以及升压电路的第二输出电压;
[0032]将第一输出电压与预设电压范围进行对比,并将第二输出电压与第一预设电压进行对比,根据对比结果确定是否启动全桥逆变器;
[0033]若启动全桥逆变器,则当第二输出电压小于第二预设电压时,导通隔离电路中的第一MOS管控制支路;第二预设电压小于第一预设电压,且第二预设电压大于零;
[0034]当第二输出电压达到第一输出电压时,导通隔离电路中的第二MOS管控制支路,启动升压电路。
[0035]在一种实施方式中,预设电压范围包含欠压范围以及过压范围;
[0036]根据对比结果确定是否启动全桥逆变器,包括:
[0037]若第一输出电压大于欠压范围的上限值且小于过压范围的下限值,且第二输出电压小于第一预设电压,则启动全桥逆变器。
[0038]在一种实施方式中,导通隔离电路中的第一MOS管控制支路,包括:
[0039]驱动第一MOS管控制支路中的MOS管Q3导通。
[0040]在一种实施方式中,导通隔离电路中的第二MOS管控制支路,包括:
[0041]驱动第二MOS管控制支路中的MOS管Q1导通。
[0042]本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果:
[0043]通过将MOS管软启电路、升压电路、全桥逆变器、变压器T1以及桥式整流器D11依次连接,MOS管软启电路与升压电路之间设有储能电容C2,升压电路与全桥逆变器之间设有储能电容C1,桥式整流器D11的正极隔离输出端与负极隔离输出端之间设有储能电容C3,使得当全桥逆变器启动时,储能电容C1中的储备电量能够对储能电容C3进行低压充电,使得储能电容C3的初始电压不为零;MOS管软启电路中包含第一MOS管控制支路以及第二MOS管控制支路,第一MOS管控制支路与第二MOS管控制支路并联,第一MOS管控制支路中设有软启电阻R1,从而在第一MOS管控制支路导通时,能够对储能电容C1以及储能电容C2进行充电,从而能够对储能电容C3进行充电,完成软启动,在第二MOS管控制支路也完成接通后,对第一MO本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS管软启动的隔离电路,其特征在于,包括:MOS管软启电路、升压电路、全桥逆变器、变压器T1以及桥式整流器D11;所述MOS管软启电路、所述升压电路、所述全桥逆变器、所述变压器T1以及所述桥式整流器D11依次连接;所述MOS管软启电路与所述升压电路之间设有储能电容C2,所述升压电路与所述全桥逆变器之间设有储能电容C1,所述桥式整流器D11的正极隔离输出端与负极隔离输出端之间设有储能电容C3;所述MOS管软启电路中包含第一MOS管控制支路以及第二MOS管控制支路,所述第一MOS管控制支路与所述第二MOS管控制支路并联,所述第一MOS管控制支路中设有软启电阻R1。2.根据权利要求1所述的基于MOS管软启动的隔离电路,其特征在于,所述第一MOS管控制支路包含所述软启电阻R1、二极管D2、MOS管Q3以及二极管D3;所述软启电阻R1与所述MOS管Q3串联;所述二极管D2与所述软启电阻R1并联;所述二极管D3与所述MOS管Q3并联。3.根据权利要求1所述的基于MOS管软启动的隔离电路,其特征在于,所述第二MOS管控制支路包含MOS管Q1以及二极管D1;所述MOS管Q1与所述二极管D1并联。4.根据权利要求1所述的基于MOS管软启动的隔离电路,其特征在于,所述MOS管软启电路的输入端与整流器D6的输出端连接,所述整流器D6的输入端与输入交流电接通;所述储能电容C2与所述整流器D6并联。5.根据权利要求2所述的基于MOS管软启动的隔离电路,其特征在于,所述升压电路包括电感L1、二极管D4、二极管D5、所述储能电容C1、MOS管Q4和MOS管Q5;所述电感L1和所述MOS管Q3串联,所述MOS管Q4与所述电感L1串联,所述二极管D4与所述MOS管Q4并联;所述MOS管Q5与所述储能电容C2并联,所述二极管D5与所述MOS管Q5并联;所述储能电容C1与所述MOS管Q5并联;所述储能电容C1与所述全桥逆变器的输入端连接。6.根据权利要求1所述的基于MOS管软启动的隔离电路,其特征在于,所述全桥逆变器包含MOS管Q7、M...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘力张小彬
申请(专利权)人:固赢科技深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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