【技术实现步骤摘要】
正压负压可调的电源、其控制方法及包含其的镀膜设备
[0001]本申请涉及脉冲电源
,尤其涉及正压负压可调的电源、其控制方法及包含其的镀膜设备。
技术介绍
[0002]在脉冲镀膜过程中,当脉冲电源工作时,高电压还原离子,形成膜层,当电流关闭或提供一个低反向电压时,阴极区域附近的离子恢复到初始浓度,浓度极化消失,避免或减少拉弧现象,有助于下一次高压还原离子形成膜层。
[0003]现有技术中,公开号为CN110649809A的专利(一种大功率不对称双极性脉冲偏压电源、方法及其应用)中,该电源包括A电源、B电源、C电源,C电源分别与A电源、B电源的输出端连接;A电源电路、B电源电路的输入端分别与三相380V交流电源经过全桥整流滤波后的输出端连接,C电源为包括四只可控开关管QC1,QC2,QC3,QC4形成桥臂。
[0004]上述现有技术存在以下缺点:
[0005]输出未接电感进行电流抑制,容易在负载突变或短路的情况下,出现电流激增情况,容易造成MOS管损坏,甚至对镀膜对象产生损坏,因此,需要设计一种正负压可调的,能够防止负载突变或短路时造成镀膜对象或MOS管损坏的脉冲电源。
技术实现思路
[0006]为克服相关技术中存在的问题,本申请提供一种正压负压可调的电源,该正压负压可调的电源,能够避免负载电流激增而导致镀膜对象损坏或者MOS管损坏的情况,有利于在镀膜进程中阴极区域附近的离子恢复到初始浓度,浓度极化消失,避免或减少拉弧现象,有助于下一次高压还原离子形成膜层,提高镀膜效率与质量 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种正压负压可调的电源,其特征在于,包括:用于调整负压的第一调压电路、用于调整正压的第二调压电路与输出处理电路;所述第一调压电路以及所述第二调压电路分别与所述输出处理电路连接;所述输出处理电路中设有MOS管Q2以及MOS管Q3,所述MOS管Q2以及所述MOS管Q3用于切换输入电压状态,其中,所述MOS管Q3与所述第一调压电路的输出端连接,所述MOS管Q2与所述第二调压电路的输出端连接;所述第二调压电路中设有滤波电感L2以及限流电感L3,所述滤波电感L2以及所述限流电感L3与所述输出处理电路连通,所述滤波电感L2以及所述限流电感L3用于对输出电流限制。2.根据权利要求1所述的正压负压可调的电源,其特征在于,还包括:用于拓宽正压范围的第三调压电路;所述MOS管Q2与所述第二调压电路以及所述第三调压电路串联后的输出端连接;所述第三调压电路中设有滤波电感L4以及限流电感L5,所述滤波电感L4以及所述限流电感L5与所述输出处理电路连通,所述滤波电感L4以及所述限流电感L5对输出处理电流限制;所述第一调压电路包括第一输入电路、整流桥D1以及负压调整电路,所述第一输入电路、所述整流桥D1以及所述负压调整电路依次连接;所述第二调压电路包括第二输入电路、整流桥D4以及第一正压调整电路,所述第二输入电路、所述整流桥D4以及所述第一正压调整电路依次连接;所述第三调压电路包括第三输入电路、整流桥D10以及第二正压调整电路,所述第三输入电路、所述整流桥D10以及所述第二正压调整电路依次连接。3.根据权利要求1、2所述的正压负压可调的电源,其特征在于,所述第一正压调整电路包括MOS管Q6、二极管D5、所述滤波电感L2、MOS管Q4、电容C5、二极管D6、所述限流电感L3以及MOS管Q5;所述MOS管Q6和所述二极管D5串联,且所述MOS管Q6和所述二极管D5串联的支路与所述整流桥D4之间设有储能电容C3以及储能电容C4;所述储能电容C3、所述储能电容C4以及所述MOS管Q6和所述二极管D5串联的支路依次并联;所述MOS管Q4、所述电容C5和所述二极管D6串联,所述MOS管Q4、所述电容C5和所述二极管D6串联的支路与所述二极管D5并联;所述限流电感L3与所述二极管D6并联,所述MOS管Q4关断时,所述二极管D6与所述限流电感L3构成一个续流回路。所述MOS管Q5与所述MOS管Q4、所述电容C5和所述二极管D6串联的支路并联;所述滤波电感L2的一端与所述MOS管Q5连接,所述滤波电感L2的另一端与所述二极管D5连接。4.根据权利要求1、2、3所述的正压负压可调的电源,其特征在于,所述第二正压调整电路包括MOS管Q9、二极管D11、所述滤波电感L4、MOS管Q7、电容C9、二极管D15、所述限流电感L5以及MOS管Q8;所述MOS管Q9和所述二极管D11串联,且所述MOS管Q9和所述二极管D11串联的支路与所述整流桥D10之间设有储能电容C7以及储能电容C8;所述储能电容C7、所述储能电容C8以及所述MOS管Q9和所述二极管D11串联的支路依次并联;
所述MOS管Q7、所述电容C9和所述二极管D15串联,所述MOS管Q7、所述电容C9和所述二极管D15串联的支路与所述二极管D11并联;所述限流电感L5与所述二极管D15并联;所述MOS管Q8与所述MOS管Q7、所述电容C9和所述二极管D15串联的支路并联;所述滤波电感L4的一端与所述MOS管Q8连接,所述滤波电感L4的另一端与所述二极管D11连接;所述M...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘力,张小彬,
申请(专利权)人:固赢科技深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。