一种测量中子空间分布均匀性的方法技术

本发明专利技术公开了一种测量中子空间分布均匀性的方法，测试器件或设备有存储功能，且测试器件或设备呈阵列或圆面排布，配置器件或设备的内部存储设备，向所述内部存储设备中写入初始值，回读所述内部存储设备中写入值得到第一回读结果，进行辐照，辐照时回读所述内部存储设备中的写入值得到第二回读结果，比较第一回读结果和第二回读结果，统计二者数据不一致出现的次数，即发生的错误数，通过将辐照时的回读结果与辐照前的回读结果相比较，统计二者数据不一致出现的次数，即发生的错误数，直至错误数达到预设的错误数时停止试验，对比各存储类器件或设备的错误数，进而评价中子束流通量分布均匀性。分布均匀性。分布均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种测量中子空间分布均匀性的方法


[0001]本专利技术涉及单粒子效应应用
，具体为一种测量中子空间分布均匀性的方法。

技术介绍

[0002]在核探测领域，中子能谱、注量率测量一直是研究的热点，而注量率的测量严重依赖于探测器对中子能谱的响应。当前测量手段中，各类探测器仅对某一能量区间有响应或具有较高的测量精度，如对白光中子，则必须采用多种探测器组合才能完成对全能谱测量，注量率的测量则为各类探测器测量结果之和。基于此类方法，会产生三大问题：一、各类探测器响应的能量区间必然有叠加，可能会导致注量率求和得到的总注量率测量数据不准确；二、探测器必须与电子学匹配，其要求中子注量率局限在一定范围，高注量率可能会导致探测器计数不准确；三、当需测量某个区域中子通量的均匀性时，只能逐点测量，即时间上只能串行，当运行工况出现变化时，无法准确反应真实分布。
[0003]本专利技术中，专利技术了一种基于存储类器件或设备测量中子通量均匀性的方法，其原理利用了中子诱发的单粒子翻转效应。中子诱发的单粒子翻转效应可以分为两类：一、热中子与
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B反应产生α粒子和重离子；二、中高能中子与硅等半导体材料发生核反应或散裂反应产生如质子、反冲重核等。当上述两种产生次级带电粒子的机制发生在器件敏感体积内或附近时，带电粒子通过电离等方式沉积能量，一旦在敏感体积内收集到的电荷超过其临界电荷时，就会导致单粒子效应发生。上述机理决定了基于存储类器件测量中子通量均匀性的方法具备宽能谱的能力，且基本不受γ射线的影响。与此同时，不同工艺参数的器件，其数据的存取时间从毫秒到几纳秒，其敏感体积也在微米到纳米尺度，这决定了其由足够的能力应对高注量率的情形。

技术实现思路

[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种测量中子空间分布均匀性的方法，包括计算机，
[0005]S1：测试器件或设备有存储功能，且测试器件或设备呈阵列或圆面排布；
[0006]S2：配置器件或设备的内部存储设备，向所述内部存储设备中写入初始值，回读所述内部存储设备中写入值得到第一回读结果；
[0007]S3：进行辐照，辐照时回读所述内部存储设备中的写入值得到第二回读结果，比较第一回读结果和第二回读结果，统计二者数据不一致出现的次数，即发生的错误数；
[0008]S4：重复步骤S3直至单个存储器件或设备的错误数均达到预设的错误数时，停止试验，对比所有测试器件或设备中发生的错误数，进而评价中子束流通量分布均匀性。
[0009]优选的，所述内部存储部件为所述DSP、SRAM、DRAM、FLASH、FPGA、CAN、MCU、SoC等器件或设备中的存储器、寄存器或者内部缓存。
[0010]优选的，所述内部存储器件或设备个数为3～100之间的任意值。
[0011]优选的，所述预设的错误数为10～200之间的任意值。
[0012]优选的，所述辐照时中子注量率为102n/cm2.s～10
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n/cm2.s之间的任意值，所述辐照时中子能谱为10
‑9MeV～1.6
×
103MeV之间的任意值或子区间。
[0013]优选的，所述内部存储器当前为工作电流的情况下，判断当前电流是否超出预设电流范围。
[0014]优选的，所述内部存储器当前工作电压，判断当前工作电压是否超出预设电压范围。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0016]本专利技术通过将辐照时的回读结果与辐照前的回读结果相比较，统计二者数据不一致出现的次数，即发生的错误数，直至错误数达到预设的错误数时停止试验，对比各存储类器件或设备的错误数，进而评价中子束流通量分布均匀性。
附图说明
[0017]图1为本专利技术流程图；
[0018]图2为本专利技术原理框图；
[0019]图3为本专利技术原理流程图。
[0020]图中标号：1、计算机；2、内部存储器件；3、辐照板；4、第一回读结果；5、第二回读结果；6、辐照。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]本实施例一：请参阅图1
‑
3，本专利技术提供一种技术方案：一种测量中子空间分布均匀性的方法，包括计算机1，
[0023]S1：测试器件或设备有存储功能，且测试器件或设备呈阵列或圆面排布；
[0024]S2：配置器件或设备的内部存储设备，向内部存储设备中写入初始值，回读内部存储设备中写入值得到第一回读结果4；
[0025]S3：进行辐照6，辐照6时回读内部存储设备中的写入值得到第二回读结果5，比较第一回读结果4和第二回读结果5，统计二者数据不一致出现的次数，即发生的错误数；
[0026]S4：重复步骤S3直至单个存储器件或设备的错误数均达到预设的错误数时，停止试验，对比所有测试器件或设备中发生的错误数，进而评价中子束流通量分布均匀性。
[0027]内部存储部件为DSP、SRAM、DRAM、FLASH、FPGA、CAN、MCU、SoC等器件或设备中的存储器、寄存器或者内部缓存，例如，该预设存储器件为SRAM，内部存储器件2或设备个数为3～100之间的任意值，例如，该预设存储器件数可以为5*5的阵列，共25个，预设的错误数为10～200之间的任意值,例如，该预设错误数可以为100，辐照6时中子注量率为102n/cm2.s～10
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n/cm2.s之间的任意值，例如，该辐照6中子注量率可以为107n/cm2.s，辐照6时中子能谱为10
‑9MeV～1.6
×
103MeV之间的任意值或子区间,例如中子能谱10
‑6MeV～1.6
×
103MeV，内
部存储器当前为工作电流的情况下，判断当前电流是否超出预设电流范围,内部存储器当前工作电压，判断当前工作电压是否超出预设电压范围。
[0028]本实施例二：请参阅图1
‑
3，在试验之前，需对试验设备进行连接，将5*5SRAM阵列测试版用JTAG口与主板的FPGA端口相连接，数据经RS485通信接口将数据传输到至计算机1，并进行配置和初始化操作等，而后开始对SRAM进行试验，并进行数据比较；
[0029]步骤A：首先写入配置文件，对所有SRAM同时进行配置并写入初始值，而后对该内部存储进行回读，并进行保存得到第一回读结果4，同时记录工作电压和功耗电流；
[0030]步骤B：开始辐照6，辐照6时记录工作电压、电流、中子注量率；回读内部存储部件得到第二回读结果5，与辐照6前的第一回读结果4比较，统计发生的错误数；
[0031]步骤C：当每个SR本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测量中子空间分布均匀性的方法，包括计算机(1)，其特征在于：S1：测试器件或设备有存储功能，且测试器件或设备呈阵列或圆面排布；S2：配置器件或设备的内部存储设备，向所述内部存储设备中写入初始值，回读所述内部存储设备中写入值得到第一回读结果(4)；S3：进行辐照(6)，辐照(6)时回读所述内部存储设备中的写入值得到第二回读结果(5)，比较第一回读结果(4)和第二回读结果(5)，统计二者数据不一致出现的次数，即发生的错误数；S4：重复步骤S3直至单个存储器件或设备的错误数均达到预设的错误数时，停止试验，对比所有测试器件或设备中发生的错误数，进而评价中子束流通量分布均匀性。2.根据权利要求1所述的一种测量中子空间分布均匀性的方法，其特征在于：所述内部存储部件为所述DSP、SRAM、DRAM、FLASH、FPGA、CAN、MCU、SoC等器件或设备中的存储器、寄存器或者内部缓存。3.根据权利要求1所述的一种测量中子空间...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志良，于全芝，梁天骄，周斌，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：发明
国别省市：