一种射频模组及射频器件制造技术

本发明专利技术公开了一种射频模组及射频器件，其中射频模组包括：N条相互串联和/或并联的射频单元；每一条所述射频单元包括：微同轴传输层；包括第一微同轴传输线和第二微同轴传输线，所述第一微同轴传输线包括第一信号传输金属和第一屏蔽金属；所述第二微同轴传输线包括第二信号传输金属和第二屏蔽金属；射频芯片，电连接在所述第一信号传输金属与所述第二信号传输金属之间；塑封层，覆盖设置在所述微同轴传输层上；其中，所述塑封层上设置有第一植球，通过第一导体柱连接至所述第一信号传输金属；第二植球，通过第二导体柱连接至所述第二信号传输金属。上述射频模组能够有效地将多种不同功能的射频芯片集成。能的射频芯片集成。能的射频芯片集成。

【技术实现步骤摘要】
一种射频模组及射频器件


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种射频模组及射频器件。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的不断发展，芯片要求体积越来越小，促使多种功能的射频芯片或射频部件集成的需求提出，给芯片集成技术和封装技术带来了新的挑战。并且，射频芯片之间的信号传输需要特殊的传输线，如何将多种射频芯片以及信号传输线集成并封装在一起，是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种射频模组及射频器件，以解决或者部分解决目前多种射频芯片集成、封装困难的技术问题。
[0004]为解决上述技术问题，根据本专利技术一个可选的实施例，提供了一种射频模组，所述射频模组包括：N条相互串联和/或并联的射频单元；
[0005]每一条所述射频单元包括：
[0006]微同轴传输层；包括第一微同轴传输线和第二微同轴传输线，所述第一微同轴传输线包括第一信号传输金属和第一屏蔽金属；所述第二微同轴传输线包括第二信号传输金属和第二屏蔽金属；
[0007]射频芯片，电连接在所述第一信号传输金属与所述第二信号传输金属之间；
[0008]塑封层，覆盖设置在所述微同轴传输层上；其中，所述塑封层上设置有第一植球，通过第一导体柱连接至所述第一信号传输金属；第二植球，通过第二导体柱连接至所述第二信号传输金属。
[0009]可选的，所述射频模组还包括钝化层，设置在所述微同轴传输层与所述塑封层之间；
[0010]所述钝化层中设置有第一重布线层，设置在所述第一导体柱与所述第一信号传输金属之间；第二重布线层，设置在所述第二导体柱与所述第二信号传输金属之间。
[0011]可选的，所述射频芯片设置在所述微同轴传输层内，并电连接在所述第一信号传输金属与所述第二信号传输金属之间。
[0012]进一步的，射频模组还包括：连接金属层，设置在所述射频芯片与所述塑封层之间；所述连接金属层一端连接所述第一屏蔽金属，另一端连接所述第二屏蔽金属。
[0013]可选的，所述射频芯片设置在所述塑封层之内，并通过第三重布线层连接所述第一信号传输金属，通过第四重布线层连接所述第二信号传输金属。
[0014]可选的，所述钝化层的材质为绝缘有机材料或绝缘无机材料。
[0015]可选的，在所述第一信号传输金属与所述第一屏蔽金属之间填充有介质层。
[0016]可选的，所述射频芯片为功率放大器，低噪声放大器，滤波器，双工器，射频开关中的任意一种。
[0017]可选的，所述射频模组还包括衬底，所述微同轴传输层形成在所述衬底上。
[0018]根据本专利技术另一个可选的实施例，提供了一种射频器件，包括前述技术方案中的任一项射频模组。
[0019]通过本专利技术的一个或者多个技术方案，本专利技术具有以下有益效果或者优点：
[0020]本专利技术提供了一种射频模组，包括多个射频单元；在每一条射频单元里，将射频芯片连接至两条微同轴传输线之间，利用微同轴传输线具有良好的射频传输性能，通过微同轴传输线进行电学互联，实现射频芯片的信号传输；多条射频单元通过并联和/或串联的方式整合在一起，通过在微同轴传输层上形成塑封层，并在塑封层中形成连接微同轴信号线的植球，从而获得集成多种射频芯片，具有多功能的射频模组。本专利技术提供的射频模组有效地将多种不同功能的射频芯片集成在一起，且射频模组具有标准的封装形式，方便直接使用。
[0021]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0022]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0023]图1示出了根据本专利技术一个实施例的射频单元的结构示意图；
[0024]图2示出了根据本专利技术一个实施例的微同轴传输层的示意图；
[0025]图3示出了根据本专利技术的附图2中的AA剖面图；
[0026]图4A示出了根据本专利技术一个实施例的在衬底上旋涂介质材料的示意图；
[0027]图4B示出了根据本专利技术一个实施例的沉积第一层金属的示意图；
[0028]图4C示出了根据本专利技术一个实施例的沉积第二层金属的示意图；
[0029]图4D示出了根据本专利技术一个实施例的沉积第三层金属的示意图；
[0030]图4E示出了根据本专利技术一个实施例的沉积第四层金属的示意图；
[0031]图5A示出了根据本专利技术一个实施例的在微同轴传输层上刻蚀出射频芯片安装位置的示意图；
[0032]图5B示出了根据本专利技术一个实施例的安装了射频芯片后的微同轴传输层示意图；
[0033]图5C示出了根据本专利技术一个实施例的在微同轴传输层上形成钝化层的示意图；
[0034]图5D示出了根据本专利技术一个实施例的在钝化层上进行重布线的示意图；
[0035]图5E示出了根据本专利技术一个实施例的在重布线层上形成铜柱的示意图；
[0036]图5F示出了根据本专利技术一个实施例的对射频单元进行塑封的示意图；
[0037]图6示出了根据本专利技术一个实施例的在射频单元中设置金属连接层的示意图；
[0038]图7示出了根据本专利技术另一个实施例的将芯片倒装在微同轴传输层上方的射频单元示意图；
[0039]图8示出了根据本专利技术又一个实施例的射频模组应用示例图；
[0040]附图标记说明：
[0041]1、微同轴传输层；11、第一微同轴传输线；111、第一信号传输金属；112、第一屏蔽金属；12、第二微同轴传输线；121、第二信号传输金属；122、第二屏蔽金属；13、介质层；2、射频芯片；3、塑封层；31、第一植球；32、第二植球；33、第一导体柱；34、第二导体柱；4、钝化层；41、第一重布线层；42、第二重布线层；43、第三重布线层；44、第四重布线层；5、连接金属层；6、衬底。
具体实施方式
[0042]为了使本申请所属
中的技术人员更清楚地理解本申请，下面结合附图，通过具体实施例对本申请技术方案作详细描述。在整个说明书中，除非另有特别说明，本文使用的术语应理解为如本领域中通常所使用的含义。因此，除非另有定义，本文使用的所有技术和科学术语具有与本专利技术所属领域技术人员的一般理解相同的含义。若存在矛盾，本说明书优先。除非另有特别说明，本专利技术中用到的各种设备等，均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
[0043]进一步的研究表明，考虑到多种射频芯片的信号传输，使用微同轴结构是一种良好的解决方案，然而微同轴结构的中空结构不利于后续与其他射频器件集成，也为后续的封装带来了不便；并且，在一些微同轴和其他射频芯片集成的相关技术中，射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频模组，其特征在于，所述射频模组包括：N条相互串联和/或并联的射频单元；每一条所述射频单元包括：微同轴传输层；包括第一微同轴传输线和第二微同轴传输线，所述第一微同轴传输线包括第一信号传输金属和第一屏蔽金属；所述第二微同轴传输线包括第二信号传输金属和第二屏蔽金属；射频芯片，电连接在所述第一信号传输金属与所述第二信号传输金属之间；塑封层，覆盖设置在所述微同轴传输层上；其中，所述塑封层上设置有第一植球，通过第一导体柱连接至所述第一信号传输金属；第二植球，通过第二导体柱连接至所述第二信号传输金属。2.如权利要求1所述的射频模组，其特征在于，还包括钝化层，设置在所述微同轴传输层与所述塑封层之间；所述钝化层中设置有第一重布线层，设置在所述第一导体柱与所述第一信号传输金属之间；第二重布线层，设置在所述第二导体柱与所述第二信号传输金属之间。3.如权利要求2所述的射频模组，其特征在于，所述射频芯片设置在所述微同轴传输层内，并电连接在所述第一信号传输金...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁骥，陆原，裘进，张光瑞，张栓，陈学志，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：