【技术实现步骤摘要】
芯片互连封装结构及芯片互连的封装方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种芯片互连封装结构及芯片互连的封装方法。
技术介绍
[0002]双面互连封装是将芯片的背面贴于引线框上,并将芯片的正面进行重布线,通过重布线使得一引线框上的芯片的正面与相邻的另一引线框连通,从而使得一引线框上的芯片的正面与相邻的另一引线框上的芯片的背面连通,进而实现双面互连。
[0003]参阅图1,将芯片12的背面采用导电胶13贴于引线框11上,并在芯片12的正面形成重布线层,重布线层包括形成于芯片12正面的多个铜柱14以及与铜柱14电连接的铜线15,塑封层16将引线框11、芯片12、粘结层13、铜柱14和铜线15塑封起来。其中,一引线框11上的芯片12的正面通过铜柱14和铜线15与相邻的另一引线框11电连接,从而使得一引线框11上的芯片12的正面与相邻的另一引线框11上的芯片12的背面电连接,进而实现了芯片12的双面互连。
[0004]但是,图1所示的双面互连封装结构存在如下问题:
[0005](1)芯片12贴 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片互连的封装方法,其特征在于,包括:提供载板及第一芯片,其中所述第一芯片的正面形成有第一焊盘;将所述第一芯片的正面朝向所述载板贴装;在所述载板之上形成第一塑封层,以对所述第一芯片进行封装;去除所述载板,并在所述第一塑封层靠近所述第一芯片正面的一侧形成凹槽;至少在所述凹槽底面及侧面形成第一重布线层;提供第二芯片,其中所述第二芯片的正面形成有第二焊盘;放置所述第二芯片于所述凹槽底面的第一重布线层之上,其中所述第二芯片的背面朝向所述凹槽底面;形成覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的第二塑封层;于所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一重布线层和所述第二塑封层上形成第二重布线层,且所述第一焊盘和所述第一重布线层通过所述第二重布线层实现电连接。2.如权利要求1所述的芯片互连的封装方法,其特征在于,所述第二芯片与所述凹槽侧面的第一重布线层之间存在间隙,所述第二塑封层还填充于所述间隙中。3.如权利要求1所述的芯片互连的封装方法,其特征在于,所述第一重布线层位于所述凹槽的部分或全部的底面及侧面上。4.如权利要求1所述的芯片互连的封装方法,其特征在于,所述第一重布线层从所述凹槽的侧面延伸至所述第一塑封层的顶面。5.如权利要求1所述的芯片互连的封装方法,其特征在于,在所述第一塑封层靠近所述第一芯片正面的一侧形成所述凹槽之前,先以所述第一芯片在所述第一塑封层中的实际位置为基准,根据设计的所述第二芯片与所述第一芯片之间的理论距离,以确定所述凹槽在所述第一塑...
【专利技术属性】
技术研发人员:涂旭峰,王鑫璐,
申请(专利权)人:矽磐微电子重庆有限公司,
类型:发明
国别省市:
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