【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种非水电解质二次电池用负极的制造方法与使用了该负极的非水电解质二次电池，其可以降低负极的不可逆容量，并防止非水电解质二次电池的容量下降。
技术介绍
近年来，随着电子设备朝便携化以及无绳化的方向发展，对小型、轻量且具有高能量密度的非水电解质二次电池的期望不断提高。现在，石墨等碳素材料作为非水电解质二次电池的负极活性物质已经实用化。但是，其理论容量密度为372mAh/g(833mAh/cm3)。因此，为了进一步使非水电解质二次电池实现高能密度化，与锂合金化的硅(Si)、锡(Sn)、锗(Ge)、它们的氧化物以及合金等正在研究之中。这些负极活性物质材料的理论容量密度超过833mAh/cm3，比碳素材料要大。在它们当中，Si粒子和氧化硅粒子等含硅粒子由于价格便宜，所以正在广泛研究之中。但是，通常非水电解质二次电池在使用碳素材料和理论容量密度超过833mAh/cm3的负极活性物质的情况下，由于存在较大的不可逆容量，所以不能得到大电池容量的非水电解质二次电池。在此，所谓不可逆容量，是指初次充放电损失的容量。也就是说，在以前的非水电解质二次电池的充放电反应中，...
【技术保护点】
一种能够嵌入／脱嵌锂离子的非水电解质二次电池用负极的制造方法，其包括以下步骤：用气相法在载体基材上形成锂金属层的步骤；将所述载体基材上形成有所述锂金属层的整个面与集电体上形成的负极活性物质层进行叠合的步骤；在非水电解 液中使所述锂金属层嵌入负极活性物质层的步骤；以及将所述载体基材从所述负极活性物质层取下的步骤。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：武泽秀治，佐藤俊忠，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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