【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于磁记录介质的底层
[0001]本专利技术总体上涉及数据存储系统,并且更具体地涉及用于磁记录介质的磁记录层。
技术介绍
[0002]在磁存储系统中,磁换能器从磁记录介质读取数据并将数据写入到磁记录介质上。通过将磁记录换能器移动到介质上方要存储数据的位置,将数据写入磁记录介质上。磁记录换能器然后产生磁场,该磁场将数据编码到磁介质中。通过类似地定位磁性读取换能器然后感测磁性介质的磁场来从介质读取数据。读取和写入操作可以独立地与介质的移动同步,以确保可以从介质上的期望位置读取数据和将数据写入介质上的期望位置。
[0003]数据存储行业中的重要且持续的目标是增加存储在介质上的数据的密度。对于磁带存储系统,该目标导致增加记录磁带上的轨道和线性位密度,并减小磁带介质的厚度。然而,小覆盖区、更高性能的带驱动系统的发展产生了从用于这种系统的磁头部组件的设计到处理带尺寸不稳定性的各种挑战。
技术实现思路
[0004]根据一个方法的产品包括磁性记录介质的底层。底层具有封装的纳米颗粒,每个纳米颗粒包含由芳香族聚合物封装的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种产品,包括:磁性记录介质的底层,所述底层具有:多个封装的纳米颗粒,每个纳米颗粒包含由芳香族聚合物封装的磁性纳米颗粒,和结合多个所述封装的纳米颗粒的聚合物粘合剂;以及形成在所述底层之上的磁性记录层。2.根据权利要求1所述的产品,其中,多个所述磁性纳米颗粒具有小于200奥斯特(Oe)的平均磁场强度。3.根据前述权利要求中任一项所述的产品,其中,多个所述封装的纳米颗粒在所述底层中的平均浓度是至少35vol%。4.根据前述权利要求中任一项所述的产品,其中,所述底层的特征在于,在拉伸储能模量(E
’
)对温度的曲线图中具有至少35℃的起始玻璃化转变温度。5.根据前述权利要求中任一项所述的产品,其中,所述底层是导电的。6.根据前述权利要求中任一项所述的产品,其中,多个所述磁性纳米颗粒包括氧化铬。7.根据前述权利要求中任一项所述的产品,其中,多个所述磁性纳米颗粒的平均直径在2纳米至15纳米的范围内。8.根据前述权利要求中任一项...
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