反射性电极保护层用化合物以及包含所述化合物的背面发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种以下述化学式1表示的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物。<化学式1>式1>式1>式1>

【技术实现步骤摘要】
反射性电极保护层用化合物以及包含所述化合物的背面发光元件


[0001]本专利技术涉及一种反射性电极保护层用化合物以及包含所述化合物的背面发光元件。

技术介绍

[0002]在有机发光元件中作为有机物层使用的材料大体上可以根据其功能分为发光材料、空穴注入材料、空穴输送材料、电子输送材料以及电子注入材料等。
[0003]此外，所述发光材料可以根据发光机制分为源于电子的单重激发态的荧光材料、源于电子的三重激发态的磷光材料以及源于从三重激发态到单重激发态的电子移动的延迟荧光材料，而且可以根据发光颜色分为蓝色、绿色、红色以及为了实现更加优秀的天然色而需要的黄色以及朱黄色发光材料。
[0004]一般的有机发光元件可以采用在基板上部形成阳极，并在所述阳极上部依次形成空穴输送层、发光层、电子输送层以及阴极的结构。其中，空穴输送层、发光层以及电子输送层是由有机化合物构成的有机薄膜。
[0005]如上所述结构的有机发光元件的驱动原理如下所述。
[0006]当在所述阳极以及阴极之间加载电压时，从阳极注入的空穴将经由空穴输送层移动到发光层，而从阴极注入的电子将经由电子输送层移动到发光层。所述空穴以及电子将在发光层重新结合并生成激子。在所述激子从激发态转换成基态的过程中将生成光线。
[0007]此外，有机发光元件的效率通常可以分为内部发光效率以及外部发光效率。内部发光效率与在如空穴输送层、发光层以及电子输送层等介于第1电极与第2电极之间的有机层中生成激子并实现光转换的效率相关，理论上荧光的内部发光效率为25％，而磷光为100％。
[0008]对于如上所述的正面发光元件，一直以来都在为了光线的提取而努力开发出具有高折射率的覆盖层材料。
[0009]而与此相反，对于背面发光元件，将利用反射性阴极反射的光线向驱动薄膜晶体管方向即透明阳极一侧放射。此时，为了对容易发生有机发光元件的腐蚀的反射性电极进行保护而形成的保护膜通常使用热稳定性优秀的Alq3，但是因为会在沉积时发生灰分(ash)而形成不均匀的保护膜，因此会在电极与保护膜之间形成间隙并造成水分或氧气的渗透，从而导致较短的使用寿命。为了弥补所述缺点，作为保护膜的材质使用有机保护膜用化合物，但是为了提升逐渐大型化的背面发光元件的使用寿命，一直以来都在努力开发出一种可以形成更加均匀的薄膜、沉积温度较低且热稳定性优秀的反射性电极保护膜用化合物。

技术实现思路

[0010]因此，本专利技术的目的在于提供一种通过配备可以在水分、氧气以及外部污染下对
反射性电极以及背面发光元件的内部进行保护、形成均匀的薄膜且热稳定性优秀的保护层而进一步改善使用寿命的背面发光元件。
[0011]接下来，将对如上所述的课题以及追加课题进行详细的说明。
[0012]作为解决如上所述的课题的手段，
[0013]作为本专利技术的一实施例，提供一种以下述化学式1表示的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物：
[0014]<化学式1>
[0015][0016]在所述化学式1中，
[0017]X为NAr、O、S、或CRR`，
[0018]Ar、Ar1至Ar4各自独立地为取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，
[0019]L1以及L2各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂亚芳基，
[0020]R、R`、R1以及R2各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，相邻的R以及R`之间可以通过相互结合而形成或不形成环，
[0021]l以及m各自独立地为0至3的整数。
[0022]此外，作为本专利技术的一实施例，
[0023]提供一种背面发光元件，包括：第1电极以及第2反射性电极；1层以上的有机物层，介于所述第1电极以及第2反射性电极的内侧；以及，反射性电极保护层，配置在第2反射性电极的外侧，含有所述反射性电极保护层用化合物。
[0024]根据本专利技术的反射性电极保护层用化合物是通过具有5元环的3环稠合基连接的2个芳胺化合物，因为分子间薄膜排列优秀而可以有效地改善在氧气、水分以及外部污染下的元件的稳定性，而且因为可以轻易地提升化合物的纯度而对沉积时的异物生成进行抑制。此外，在所述芳胺基包含扩展的芳基、稠合芳基、杂芳基的情况下，可以具有较高的玻璃化转变温度(Tg)以及较高的分解温度(Td)，因此可以防止分子间的重结晶并在背面发光元件的驱动过程中产生热量时维持薄膜的稳定状态，从而实现较低的沉积温度。
[0025]接下来，将对如上所述的效果以及追加效果进行详细的说明。
附图说明
[0026]图1是对根据本专利技术的一实施例的背面发光元件的构成进行图示的概要性截面图。
[0027]图2是对薄膜的均匀度进行测定的电子显微镜照片(SEM)。
[0028]【符号说明】
[0029]200：空穴注入层
[0030]300：空穴输送层
[0031]400：发光层
[0032]500：电子输送层
[0033]600：电子注入层
[0034]1000：第1电极(阳极，透明电极)
[0035]2000：第2电极(阴极，反射性电极)
[0036]3000：反射性电极保护层
具体实施方式
[0037]在对本专利技术进行详细的说明之前需要理解的是，在本说明书中所使用的术语只是用于对特定的实施例进行记述，并不是为了对本专利技术的范围进行限定，本专利技术的范围只应通过随附的权利要求书的范围做出限定。除非另有明确的说明，否则在本说明书中所使用的所有技术术语以及科学术语的含义与具有一般知识的人员所通常理解的含义相同。
[0038]在整个本说明书以及权利要求书中，除非另有明确的说明，否则被记载为包含(comprise、comprises、comprising)的术语只是表明包含所提及的物件、步骤或一系列物件以及步骤，并不是事先排除任意其他物件、步骤或一系列物件或一系列步骤。
[0039]在整个本说明书以及权利要求书中，术语“芳基”可以是指如包含苯基、苄基、萘基、联苯基、三联苯基、芴基、菲基、三亚苯基、亚苯基、基、荧蒽基、苯并芴基、苯并三亚苯基、苯并基、蒽基、茋基以及芘基等芳环的C5～50的芳烃环基，而“杂芳基”是指如包含吡咯基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、噻吩基以及由吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、吲哚环、喹啉环、吖啶环、吡咯烷环、二烷环、哌啶环、吗啉环、哌嗪环、咔唑环、呋喃环、噻吩环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种以下述化学式1表示的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物：化学式1在所述化学式1中，X为NAr、O、S、或CRR`，Ar、Ar1至Ar4各自独立地为取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，L1以及L2各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂亚芳基，R、R`、R1以及R2各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，相邻的R以及R`之间可以通过相互结合而形成或不形成环，l以及m各自独立地为0至3的整数。2.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar、Ar1至Ar4各自独立地为3环以下的芳基、或3环以下的杂芳基。3.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar、Ar1至Ar4各自独立地为1环的芳基、1环的杂芳基、稠合的2环的芳基、或稠合的2环的杂芳基。4.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar、Ar1至Ar4中2个以上各自独立地为3环以下的包含N的杂芳基。5.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar、Ar1至Ar4各自独立地为苯基、联苯基、吡啶基、苯基吡啶基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸昊完，安贤哲，金东骏，李东炫，林东焕，安慈恩，权桐热，李成圭，诸焕日，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：