芳胺化合物及其在有机电致发光器件中的应用制造技术

本发明专利技术涉及芳胺化合物及其在有机电致发光器件中的应用，该芳胺化合物具有通式(1)所示结构：上述芳胺化合物通过在联萘基团的8和8

【技术实现步骤摘要】
芳胺化合物及其在有机电致发光器件中的应用


[0001]本专利技术涉及光电材料，特别涉及芳胺化合物及其在有机电致发光器件中的应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光现象是指利用有机物质将电能转化为光能的现象。利用有机电致发光现象的有机电致发光元件通常具有正极与负极以及在它们中间包含有机物层的结构。为了提高有机电致发光元件的效率与寿命，有机物层通常具有多层结构，每一层包含有不同的有机物质。具体的，可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。在这种有机电致发光元件中，在两个电极之间施加电压，则由正极向有机物层注入空穴，由负极向有机物层注入电子，当注入的空穴与电子相遇时形成激子，该激子跃迁回基态时发出光。这种有机电致发光元件具有自发光、高亮度、高效率、低驱动电压、广视角、高对比度、高响应性等特性。
[0003]为了实现高效的有机电致发光器件，除了开发高性能的发光材料外，传输材料的开发也很重要。根据现有技术，在空穴传输层中或在空穴注入层中使用的空穴传输材料多是如下结构的三芳胺类衍生物，
[0004][0005]然而，在这些化合物中由于N原子的影响使得苯环上C-H键较为活泼，这是因为这类材料结构中N原子的孤对电子，共轭到苯环中，形成电子云密度较大、反应活性较高的C-H键，致使这类型化合物的化学/环境稳定性较差、器件寿命较短。

技术实现思路

[0006]基于此，有必要提供一种能够提高器件使用寿命的芳胺化合物及其在有机电致发光器件中的应用。
[0007]一种芳胺化合物，具有通式(1)所示结构：
[0008][0009]其中：
[0010]Y每次出现，独立选自CR3R4、NR4、C＝O、-(CR4＝CR4)-、O、S、S＝O、S＝(O)2或不存在；
[0011]Ar1和Ar2独立地选自：取代或者未取代的有5至30个环原子的芳香基团、取代或者未取代的有5至30个环原子的杂芳香基团或非芳香族环基；
[0012]R1和R2独立地选自：取代或未取代的具有1至30个C原子的烷基、取代或未取代的具有5至61个环原子的芳香基团、或取代或未取代的具有5至61个环原子的杂芳香基团；
[0013]R，R3和R4每次出现时，分别独立选自：H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有1至20个C原子的直链烷氧基、具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状的烷基、具有3至20个C原子的支链烷氧基、具有3至20个C原子的支链硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个C原子的酮基、具有2至20个C原子的烷氧基羰基、具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯、异硫氰酸酯、羟基、硝基、CF3、Cl、Br、F、可交联的基团、取代或未取代的具有5至60个环原子的芳香基团、取代或未取代的具有5至60个环原子的杂芳香基团、取代或未取代的具有5至60个环原子的芳氧基、取代或未取代的具有5至60个环原子的杂芳氧基基团，或这些体系的组合；
[0014]n为1、2、3、4或5；
[0015]m为0、1、2或3。
[0016]一种混合物，包含上述芳胺化合物，及另一种有机功能材料。
[0017]一种组合物，包括上述芳胺化合物和有机溶剂。
[0018]一种有机电子器件，包括功能层，所述功能层包含有上述芳胺化合物或如上所述的混合物或由上述组合物制备而成。
[0019]上述芳胺化合物通过在联萘基团的8和8'位上引入了烷基或芳环基取代基，使得联萘的共轭平面被扭曲，降低了分子间堆叠的影响，有利于提高电致发光效率，延长器件寿命。同时，上述芳胺有机化合物，在三苯胺单元上引入多个共轭体系，从而有效地分散了氮原子孤对电子对于三苯胺苯环上C-H键的影响，使得其化学结构较为稳定，有较好的器件寿命，可作为有机电致发光元件中的空穴传输层材料，达到提高电致发光效率、延长器件寿命的目的。
具体实施方式
[0020]为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述，并给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0021]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0022]术语解释
[0023]本专利技术中，“取代”表示被取代基中的氢原子被取代基所取代。
[0024]本专利技术中，“取代或未取代”表示所定义的基团可以被取代，也可以不被取代。当所定义的基团被取代时，应理解为任选被本领域可接受的基团所取代，包括但不限于：C
1-30
烷基、含有3-20个环原子的杂环基、含有5-20个环原子的芳基、含有5-20个环原子的杂芳基、
硅烷基、羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、-NRR
′
、氰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、三氟甲基、硝基或卤素，且上述基团也可以进一步被本领域可接受取代基取代；可理解的，-NRR
′
中的R和R
′
各自独立地为本领域可接受的基团所取代，包括但不限于H、C
1-6
烷基、含有3-8个环原子的环烷基、含有3-8个环原子的杂环基、含有5-20个环原子的芳基或含有5-10个环原子的杂芳基；所述C
1-6
烷基、含有3-8个环原子的环烷基、含有3-8个环原子的杂环基、含有5-20个环原子的芳基或含有5-10个环原子的杂芳基任选进一步被一个或多个以下基团取代：C
1-6
烷基、含有3-8个环原子的环烷基、含有3-8个环原子的杂环基、卤素、羟基、硝基或氨基。
[0025]在本专利技术中，“环原子数”表示原子键合成环状而得到的结构化合物(例如，单环化合物、稠环化合物、交联化合物、碳环化合物、杂环化合物)的构成该环自身的原子之中的原子数。该环被取代基所取代时，取代基所包含的原子不包括在成环原子内。关于以下所述的“环原子数”，在没有特别说明的条件下也是同样的。例如，苯环的环原子数为6，萘环的环原子数为10，噻吩基的环原子数为5。
[0026]在本专利技术中，“烷基”可以表示直链、支链和/或环状烷基。本专利技术中，未指明碳原子数的烷基，指可以为任选数目，烷基的碳数可以为1至50；进一步，烷基的碳数可以为1至30；进一步，烷基的碳数可以为1至20；进一步，烷基的碳数可以为1至10；进一步，烷基的碳数可以为1至6；进一步，烷基的碳数可以为1至4。包含该术语的短语，例如，“C1～C9烷基”是指包含1～9个碳原子的烷基，每次出现时，可以互相独立地为C1烷基、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芳胺化合物，其特征在于，具有通式(1)所示结构：其中：Y每次出现，独立选自CR3R4、NR4、C＝O、-(CR4＝CR4)-、O、S、S＝O、S＝(O)2或不存在；Ar1和Ar2独立地选自：取代或者未取代的有5至30个环原子的芳香基团、取代或者未取代的有5至30个环原子的杂芳香基团或非芳香族环基；R1和R2独立地选自：具有1至30个C原子的烷基、取代或未取代的具有5至61个环原子的芳香基团、或取代或未取代的具有5至61个环原子的杂芳香基团；R，R3和R4每次出现时，分别独立选自：H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有1至20个C原子的直链烷氧基、具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状的烷基、具有3至20个C原子的支链烷氧基、具有3至20个C原子的支链硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个C原子的酮基、具有2至20个C原子的烷氧基羰基、具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯、异硫氰酸酯、羟基、硝基、CF3、Cl、Br、F、可交联的基团、取代或未取代的具有5至60个环原子的芳香基团、取代或未取代的具有5至60个环原子的杂芳香基团、取代或未取代的具有5至60个环原子的芳氧基、取代或未取代的具有5至60个环原子的杂芳氧基基团，或这些体系的组合；n为0、1、2、3、4或5；m为0、1、2或3。2.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，具有通式((2-1)或(2-2)所示结构：3.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，具有通式((2-3)或(2-4)所示结构：其中：Y每次出现，独立选自CR3R4、NR4、C＝O、O、S、S＝O或S＝(O)2。4.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，Ar1和Ar2各自独立地选自(B-1)-(B-7)任一基团：
其中：X1选自N或CR5；Y1每次出现时独立选自O、S、S＝O、SO2、NR6、PR6、CR6R7或SiR6R7；...

【专利技术属性】
技术研发人员：温华文，刘爱香，宋晶尧，
申请(专利权)人：广州华睿光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：