半导体装置的制造方法及衬底处理装置制造方法及图纸

实施方式提供一种可抑制对衬底进行处理的处理液变质的半导体装置的制造方法及衬底处理装置。实施方式的半导体装置的制造方法是将衬底搬入到处理容器内，将被搬入衬底的处理容器密封，将经密封的处理容器内减压，向经减压的处理容器内供给处理液，使用处理液实施衬底的处理，将用于处理的处理液从处理容器排出，在排出处理液后，将处理容器开封，从处理容器中搬出处理后的衬底。器中搬出处理后的衬底。器中搬出处理后的衬底。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法及衬底处理装置
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以日本专利申请案2020
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152917号(申请日：2020年9月11日)及日本专利申请案2020
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201582号(申请日：2020年12月4日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照这些基础申请案而包含基础申请案的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式是涉及一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置。

技术介绍

[0004]在半导体装置的制造工序中，有时将衬底收容到衬底处理装置的处理容器内，并供给镀覆液、冲洗液等处理液，对衬底实施特定处理。然而，在将衬底搬入到处理容器及从处理容器搬出时，处理液有时会暴露在大气中而发生变质。

技术实现思路

[0005]一实施方式提供一种可抑制对衬底进行处理的处理液变质的半导体装置的制造方法及衬底处理装置。
[0006]实施方式的半导体装置的制造方法是将衬底搬入到处理容器内，将被搬入所述衬底的所述处理容器密封，对经密封的所述处理容器内减压，向经减压的所述处理容器内供给处理液，使用所述处理液实施所述衬底的处理，将用于所述处理的所述处理液从所述处理容器排出，在排出所述处理液后，将所述处理容器开封，从所述处理容器中搬出所述处理后的所述衬底。
附图说明
[0007]图1是表示实施方式的衬底处理装置的构成的一例的图。
[0008]图2(a)～(d)是表示实施方式的衬底处理装置所执行的晶圆的搬入动作至冲洗液的排出动作的示意图。
[0009]图3(a)～(c)是表示实施方式的衬底处理装置所执行的针对晶圆的镀覆处理的示意图。
[0010]图4(a)～(d)是表示实施方式的衬底处理装置所执行的后洗净处理至晶圆的搬出动作的示意图。
[0011]图5(a)及(b)是表示通过实施方式的衬底处理装置所执行的镀覆处理而在晶圆形成金属膜的情况的示意图。
[0012]图6是表示实施方式的衬底处理装置中的镀覆处理的顺序的一例的流程图。
[0013]图7是表示实施方式的衬底处理装置1的更详细构成的一例的图。
具体实施方式
[0014]以下，参照图式，对本专利技术详细地进行说明。另外，并非通过下述实施方式来限定本专利技术。另外，下述实施方式中的构成要素中，包括业者可容易想到的构成要素或实质上相同的构成要素。
[0015](衬底处理装置的构成例)
[0016]图1是表示实施方式的衬底处理装置1的构成的一例的图。如图1所示，衬底处理装置1具备处理容器10、氮气供给部21、离子交换水供给部22、镀覆液供给部23、排气部31、离子交换水排出部32、镀覆液排出部33、晶圆保持部40及控制部60。
[0017]处理容器10具备晶圆收容部11及顶板12。作为衬底收容部的晶圆收容部11具有上部打开的箱形，构成为可收容作为衬底的晶圆W。作为盖部的顶板12是构成为将晶圆收容部11上部的开口闭合的板状构件。在晶圆收容部11与顶板12接触的部分介置作为密封部的O形环13。由此，可将处理容器10气密地密封。
[0018]将氮气供给部21、离子交换水供给部22及镀覆液供给部23连接于处理容器10。氮气供给部21、离子交换水供给部22及镀覆液供给部23例如分别配置在处理容器10的1个侧面。
[0019]作为惰性气体供给部的氮气供给部21具备供给口21s、闸阀21g及供给管21p。供给口21s是设置于处理容器10的开口。
[0020]作为第1阀的闸阀21g连接于从处理容器10延伸出的供给口21s的端部。通过打开或关闭闸阀21g，而开始或停止向处理容器10内供给氮气。
[0021]在闸阀21g的连接于供给口21s一侧的相反侧连接供给管21p的一端。供给管21p的另一端例如连接于作为惰性气体供给源的储气罐51，该储气罐51储存着作为惰性气体的氮气。
[0022]通过所述构成，氮气供给部21构成为可向处理容器10内供给氮气。但是，所供给的气体除氮气外，也可例如为稀有气体等其它惰性气体。另外，氮气供给部21也可构成为可酌情切换供给氮气、稀有气体等多种惰性气体。
[0023]作为冲洗液供给部的离子交换水供给部22具备供给口22s、闸阀22g及供给管22p。供给口22s是设置于处理容器10的开口。
[0024]作为第2阀的闸阀22g连接于从处理容器10延伸出的供给口22s的端部。通过打开或关闭闸阀22g，而开始或停止向处理容器10内供给离子交换水。
[0025]在闸阀22g的连接于供给口22s一侧的相反侧连接供给管22p的一端。供给管22p的另一端例如连接于作为冲洗液供给源的贮槽52，该贮槽52储存着作为冲洗液的离子交换水(DI Water：De
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Ionization Water，去离子水)。
[0026]通过所述构成，离子交换水供给部22构成为可向处理容器10内供给离子交换水。
[0027]作为处理液供给部的镀覆液供给部23具备供给口23s、闸阀23g及供给管23p。供给口23s是设置于处理容器10的开口。
[0028]作为第3阀的闸阀23g连接于从处理容器10延伸出的供给口23s的端部。通过打开或关闭闸阀23g，而开始或停止向处理容器10内供给镀覆液。
[0029]在闸阀23g的连接于供给口23s一侧的相反侧连接供给管23p的一端。供给管23p的另一端例如连接于作为处理液供给源的贮槽53，该贮槽53储存着作为处理液的镀覆液。
[0030]通过所述构成，镀覆液供给部23构成为可向处理容器10内供给镀覆液。通过使用铜镀覆液、镍镀覆液、金镀覆液等各种镀覆液，在晶圆W上形成铜、镍、金等的各种金属膜。
[0031]将排气部31、离子交换水排出部32及镀覆液排出部33连接于处理容器10。排气部31、离子交换水排出部32及镀覆液排出部33分别配置在处理容器10的1个侧面，该侧面与例如设置着所述氮气供给部21等的侧面相对向。
[0032]排气部31具备排出口31s、闸阀31g、排出管31d及泵31v。排出口31s是设置于处理容器10的开口。
[0033]作为第4阀的闸阀31g连接于从处理容器10延伸出的排出口31s的端部。通过打开或关闭闸阀31g，而开始或停止排出氮气、大气等处理容器10内的气体。
[0034]在闸阀31g的连接于排出口31s一侧的相反侧连接排出管31d的一端。在排出管31d中设置泵31v，排出管31d的另一端延伸到衬底处理装置1的外部。
[0035]通过所述构成，排气部31构成为可将处理容器10内的气体排出。也就是说，通过使泵31v运转，同时打开所述闸阀31g，而将处理容器10内的气体排出到衬底处理装置1外。
[0036]作为冲洗液排出部的离子交换水排出部32具备排出口32s、闸阀32g及排出管32d。排出口31s是设置于处理容器10的开口。
[0037]作为第5阀的闸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于将衬底搬入到处理容器内，将被搬入所述衬底的所述处理容器密封，将经密封的所述处理容器内减压，向经减压的所述处理容器内供给处理液，使用所述处理液实施所述衬底的处理，将用于所述处理的所述处理液从所述处理容器排出，在排出所述处理液后，将所述处理容器开封，从所述处理容器搬出所述处理后的所述衬底。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述处理是镀覆处理及洗净处理的至少任一种。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述处理为镀覆处理，且在供给所述处理液前，向所述处理容器内供给第1冲洗液，实施所述衬底的洗净处理。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述处理为镀覆处理，且在所述处理之后，向所述处理容器内供给第2冲洗液，实施所述衬底的洗净处理。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在排出所述处理液后且将所述处理容器开封前，向所述处理容器内供给惰性气体。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于向所述处理容器内供给所述惰性气体是包括将惰性气体供给到所述处理容器内，将所述处理容器内设为大气压。7.一种衬底处理装置，其特征在于具备：衬底收容部；盖部，经由密封部而与所述衬底收容部连接，由此形成可密封的处理容器；衬底保持部，可在所述处理容器中保持衬底；第1开口，设置于所述处理容器，对所述处理容器内供给惰性气体；第2开口，设置于所述处理容器，对所述处理容器内供给冲洗液；第3开口，设置于所述处理容器，对所述处理容器内供给处理液；第4开口，设置于所述处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：猪山诚，庄子史人，正村将利，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：