用于静电放电保护的电路和方法技术

技术编号:32608907 阅读:15 留言:0更新日期:2022-03-12 17:33
本公开涉及用于静电放电保护的电路和方法。本文公开了一种电路。该电路包括静电放电(ESD)保护开关和ESD驱动器。ESD驱动器被配置为接收第一电压和第二电压。当第一电压和第二电压之间的电压差高于第一电压阈值时,ESD驱动器输出第一触发信号以导通ESD保护开关。当第一电压和第二电压之间的电压差低于第二电压阈值时,ESD驱动器输出第二触发信号以导通ESD保护开关。ESD保护开关。ESD保护开关。

【技术实现步骤摘要】
用于静电放电保护的电路和方法


[0001]本公开涉及用于静电放电保护的电路和方法。

技术介绍

[0002]基于氮化镓(GaN)的电路在商业应用中有着广泛的应用,特别是在大功率应用中。然而,难以用上述基于GaN的电路来制造能够处理双向静电放电(ESD)电流的ESD保护系统。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例,提供了一种用于静电放电保护的电路,包括:静电放电ESD保护开关;以及ESD驱动器,被配置为接收第一电压和第二电压;其中,当所述第一电压和所述第二电压之间的电压差高于第一电压阈值时,所述ESD驱动器输出第一触发信号以导通所述ESD保护开关;其中,当所述第一电压和所述第二电压之间的电压差低于第二电压阈值时,所述ESD驱动器输出第二触发信号以导通所述ESD保护开关。
[0004]根据本公开的另一实施例,提供了一种用于静电放电保护的电路,包括:ESD保护晶体管;以及ESD驱动器,包括:第一晶体管,被配置为接收第一电压;第二晶体管,在耦合到所述ESD保护晶体管的控制端子的节点处耦合到所述第一晶体管,并且被配置为接收第二电压;第一触发电路,被配置为根据所述第一电压输出第一触发信号以导通所述第一晶体管,使得所述第一晶体管将所述第一电压传送到所述ESD保护晶体管的所述控制端子;以及第二触发电路,被配置为根据所述第二电压输出第二触发信号以导通所述第二晶体管,使得所述第二晶体管将所述第二电压传送到所述ESD保护晶体管的所述控制端子。
[0005]根据本公开的又一实施例,提供了一种用于静电放电保护的方法,包括:当第一电压和第二电压之间的电压差高于第一电压阈值时,输出第一触发信号以导通ESD保护开关;以及当所述第一电压和所述第二电压之间的电压差低于第二电压阈值时,输出第二触发信号以导通所述ESD保护开关。
附图说明
[0006]当与附图一起阅读时,根据以下详细描述将最好地理解本公开的各个方面。要注意的是,根据行业标准惯例,未按比例绘制各种特征。事实上,为了论述的清楚,可以任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1是根据一些实施例的静电放电(ESD)保护电路的框图。
[0008]图2是根据本公开的各种实施例的用于操作如图1所示的ESD保护电路的方法的流程图。
[0009]图3是根据本公开的各种实施例的用于操作如图1所示的ESD保护电路的方法的流程图。
[0010]图4是根据一些实施例的如图1所示的ESD保护电路的电路图。
[0011]图5是根据本公开的各种实施例的用于操作如图4所示的ESD保护电路的方法的流
程图。
具体实施方式
[0012]以下公开提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或示例。下面描述了组件和布置的特定示例以简化本公开。当然,这些仅仅是示例,而并不是要进行限制。例如,在下面的描述中,在第二特征之上或在第二特征上形成第一特征可以包括第一特征和第二特征直接接触形成的实施例,并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征的实施例,使得第一特征和第二特征可以不直接接触。此外,本公开可以在各种示例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单清晰的目的,并且其本身并不指示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0013]本说明书中使用的术语通常具有它们在本领域和使用每个术语的特定上下文中的普通含义。本说明书中对示例的使用(包括本文所讨论的任何术语的示例)仅是说明性的,并且绝不限制本公开或任何示例性术语的范围和含义。同样,本公开不限于本说明书中给出的各种实施例。
[0014]现在参考图1。图1是根据一些实施例的静电放电(ESD)保护电路100的框图。
[0015]如图1说明性地示出的,ESD保护电路100包括ESD保护开关110和ESD驱动器120。在一些实施例中,ESD保护电路100用于保护电子电路(未示出)不受损坏,并且在下面的段落中将详细描述保护方式。
[0016]在一些实施例中,当发生ESD事件时,ESD保护电路100的ESD驱动器120被配置为导通ESD保护开关110。因此,由ESD事件引起的过电压可以传导到地或虚拟地,以防止电子设备被上述过电压损坏。
[0017]现在参考图2。图2是根据本公开的各种实施例的用于操作图1中的ESD保护电路100的方法200的流程图。为了说明,图1中的ESD保护电路100的操作通过方法200描述。
[0018]参考图2中的方法200,在操作210中,ESD驱动器120被配置为接收电压V1和电压V2。在一些实施例中,ESD保护电路100被实施在电子设备的输入端,以防止电子设备被由ESD事件引起的过电压损坏。ESD驱动器120的端子T1、T2被配置为从诸如电源(未示出)之类的电力源和/或地接收输入电压,并且输入电压被视为电压V1和电压V2。然而,本公开的范围并不局限于这样的电力源,并且其他合适的电力源也在本公开的预期范围内。
[0019]参考图2中的方法200,在操作220中,当电压V1和电压V2之间的电压差高于电压阈值Vth1时,ESD驱动器120输出第一触发信号以导通ESD保护开关110。在一些实施例在,为了防止电子设备被由ESD事件引起的过电压而损坏,预先设置了电压阈值Vth1。电压阈值Vth1是根据实际需求设置的。例如,如果电子设备的正常工作电压约为5V(伏),则电压阈值Vth1被设置为约10V。因此,当过电压高于电压阈值Vth1时,通过ESD保护开关110将该过电压传导至地或虚拟地。然而,本公开的范围并不旨在局限于这样的阈值(例如,10V),并且其他合适的阈值在本公开的预期范围内。
[0020]在一些实施例中,当发生ESD事件时,产生过电压并且该过电压输入到ESD驱动器120的端子T1中,因此,电压V1和电压V2之间的电压差高于电压阈值Vth1,并且ESD驱动器120输出第一触发信号以导通ESD保护开关110。随后,通过ESD保护开关110将过电压传导至地或虚拟地。因此,过电压不会输入到电子设备中,并且不会损坏电子设备。
[0021]在各种实施例中,当发生ESD事件时,产生例如15V的过电压并且该过电压输入到ESD驱动器120的端子T1中。ESD驱动器120的端子T1接收到过电压,并且该过电压被视为电压V1。同时,ESD驱动器120的端子T2接地,并且电压V2约为0V,因此,电压V1和V2之间的电压差为例如15V,并且该电压差高于电压阈值Vth1(例如10V)。在这种情况下,ESD驱动器120输出第一触发信号以导通ESD保护开关110。随后,由ESD保护开关110将过电压传导到地或虚拟地,以防止电子设备被损坏。然而,本公开的范围不旨在局限于这样的过电压和阈值,并且其他过电压和合适的阈值在本公开的预期范围内。
[0022]参考图2中的方法200,在操作230中,当电压V1和电压V2之间的电压差低于电压阈值Vth2时,ESD驱动器120输出第二触发信号以导通ESD保护开关110。在一些实施本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于静电放电保护的电路,包括:静电放电ESD保护开关;以及ESD驱动器,被配置为接收第一电压和第二电压;其中,当所述第一电压和所述第二电压之间的电压差高于第一电压阈值时,所述ESD驱动器输出第一触发信号以导通所述ESD保护开关;其中,当所述第一电压和所述第二电压之间的电压差低于第二电压阈值时,所述ESD驱动器输出第二触发信号以导通所述ESD保护开关。2.根据权利要求1所述的电路,其中,所述ESD驱动器包括:第一触发电路,包括:第一输入端子,被配置为接收所述第一电压;以及第一输出端子,其中,当所述第一电压和所述第二电压之间的电压差高于所述第一电压阈值时,所述第一输出端子输出所述第一触发信号。3.根据权利要求2所述的电路,其中,所述ESD驱动器还包括:第二触发电路,包括:第二输入端子,被配置为接收所述第二电压;以及第二输出端子,其中,当所述第一电压和所述第二电压之间的电压差低于所述第二电压阈值时,所述第二输出端子输出所述第二触发信号。4.根据权利要求3所述的电路,其中,所述ESD驱动器还包括:第一电压调节器,与所述第一触发电路并联耦合,并且被配置为将所述第一输入端子的电压和所述第一输出端子的电压调节为相同。5.根据权利要求4所述的电路,其中,所述ESD驱动器还包括:第二电压调节器,与所述第二触发电路并联耦合,并且被配置为将所述第二输入端子的电压和所述第二输出端子的电压调节为相同。6.根据权利要求5所述的电路,其中,当所述第一电压和所述第二电压之间的电压差高于所述第一电压阈值时,所述第二电压调节器被配...

【专利技术属性】
技术研发人员:樊航赖明芳郑水明
申请(专利权)人:台积电中国有限公司
类型:发明
国别省市:

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