【技术实现步骤摘要】
聚酰亚胺前驱体树脂、树脂组合物、二胺化合物
[0001]本专利技术涉及光刻技术工艺领域,具体涉及一种聚酰亚胺前驱体树脂、及包含该树脂的正性光敏树脂组合物及应用。
技术介绍
[0002]聚酰亚胺树脂通常是将四羧酸二酐与二胺进行溶液聚合而制造聚酰亚胺前体后,进行热酰亚胺化或化学酰亚胺化而制造的高耐热树脂。聚酰亚胺具有十分优良的耐高低温性、机械性能、介电性能、生物相容性、低的热膨胀系数等诸多性能,被广泛地用作电子器械工业、航空航天工业、先进复合材料、纤维、工程塑料、光刻胶等领域。光敏聚酰亚胺在微电子领域中主要应用于光致抗蚀剂,和普通聚酰亚胺相比,可以很大程度上简化光刻工艺,并且因为其具有良好的耐热性、力学性能、电学性能以及耐腐蚀性等特点,被广泛地应用于大规模的集成电路和绝缘隔层、表面钝化层及离子注入掩膜等,在OLED制造中,其被用于层间绝缘、器件保护、平坦化层(PLN,缓冲作用)像素分割层(PDL)等的制造。
[0003]随着屏下摄像头等技术的逐渐普及,对光敏聚酰亚胺的透光性提出了更高要求。而采用传统的二酐、二胺合成的聚酰 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺前驱体树脂,其特征在于,其包含来源于二胺的结构单元和来源于四羧酸二酐的结构单元,其中来源于二胺的结构单元包含由下述式(I)表示的结构单元,R
b
由下述式(III)表示的2~6价的基团,其中R1表示P、As、Sb或CH中的一种,m为1~3的整数,R2为三氟甲基取代的C5~C30的芳环族基团,波浪线代表与两个NH基团的连接位置,“—”划过的环结构的表达方式,表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置,式(I)中的(OH)
q
表示直接与式(III)中的芳环连接的q个酚羟基,q为0~4的整数,所述来源于四羧酸二酐的的结构单元由下述式(II)表示,R
a
为C6~C30的含有芳香环的4~8价的有机残基或C3~C20的4价环烷基残基中的任意一种,(COOR
c
)表示四羧酸二酐聚合后的羧基残基,R
c
为氢原子或C1~C8的烷基,(OH)
p
表示直接与R
a
中的芳环连接的p个酚羟基,p为0~4的整数。2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺前驱体树脂,其特征在于,R2由下述式(IV)表示n为1-3整数,波浪线代表与R1的连接位置,R1表示P或As。3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺前驱体树脂,其特征在于,来源于二胺的结构单元还包含由下述式(V)表示的结构单元,其中,R
d
选自以下的二价基团,其中,
虚线表示与两个NH基团的连接位置。4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺前...
【专利技术属性】
技术研发人员:王旭,韩红彦,刘永祥,
申请(专利权)人:北京鼎材科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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