静电放电保护结构及其形成方法技术

一种静电放电保护结构及其形成方法，包括：衬底，衬底包括第一区和若干第二区；位于第一区内的第一阱区，第一阱区内具有第一掺杂离子；位于第二区内的第二阱区，第二阱区内具有第二掺杂离子；位于第一区上的第一栅极结构；位于第二区上的第二栅极结构；分别位于第二栅极结构两侧衬底内的第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层和第二掺杂层内具有第一掺杂离子，第一掺杂层和第二掺杂层分别位于第二阱区内，且第一掺杂层还与第一阱区接触。通过在第一阱区和第二阱区的交界处形成一个反偏结，由于第一栅极结构与反偏结串接，使得第一栅极结构和反偏结形成的支路的电阻值增大，因此降低第一栅极结构被击穿的风险，以此提升最终形成的半导体结构的性能。导体结构的性能。导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
静电放电保护结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种静电放电保护结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成电路容易受到静电的破坏，一般在电路的输入输出端或电源保护装置会设计保护电路，以防止内部电路因受到静电而受损坏。
[0003]在现有的集成电路设计中，常采用静电放电(ESD，Electrostatic Discharge)保护结构以减少静电破坏。现有的静电放电保护结构主要包括：栅接地的N型场效应晶体管(Gate Grounded NMOS，简称GGNMOS)保护电路、可控硅(Silicon Controlled Rectifier，简称SCR)保护电路、横向双扩散场效应晶体管(Lateral Double Diffused MOSFET，简称LDMOS)保护电路、双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor，简称BJT)保护电路等。
[0004]其中，GGNMOS是一种广泛应用的静电放电保护结构。其作用机理为：由于MOS管上的功耗为通过的电流与压降的乘积，在一定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的第一区和若干第二区，所述第一区位于相邻的所述第二区之间；位于所述第一区内的第一阱区，所述第一阱区内具有第一掺杂离子；位于所述第二区内的第二阱区，所述第二阱区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型不同；位于所述第一区上的第一栅极结构；位于所述第二区上的第二栅极结构；分别位于所述第二栅极结构两侧衬底内的第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层内具有所述第一掺杂离子，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层分别位于所述第二阱区内，且所述第一掺杂层还与所述第一阱区接触。2.如权利要求1所述静电放电保护结构，其特征在于，所述第一掺杂离子包括N型离子；所述第一掺杂离子包括：磷或砷。3.如权利要求1所述静电放电保护结构，其特征在于，所述第二掺杂离子包括P型离子；所述第二掺杂离子包括：硼或铟。4.如权利要求1所述静电放电保护结构，其特征在于，所述衬底包括：基底以及位于所述基底上的鳍部，所述鳍部内具有所述第一阱区和所述第二阱区，且所述第一掺杂层和所述第二掺杂层位于所述鳍部内。5.如权利要求4所述静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于所述鳍部内的隔离结构。6.如权利要求1所述静电放电保护结构，其特征在于，所述衬底包括：基底以及位于所述基底上的第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部内具有所述第一阱区和所述第二阱区，且所述第一掺杂层和所述第二掺杂层位于所述第一鳍部内，所述第二鳍部内具有所述第二阱区。7.如权利要求6所述静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于所述第一鳍部和所述第二鳍部之间的隔离结构。8.如权利要求5或7所述静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于所述第二阱区内形成重掺杂区，所述隔离结构位于重掺杂区和所述第二掺杂层之间，所述重掺杂区内具有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子与所述第二掺杂离子的电学类型相同，且所述重掺杂区内的所述第三掺杂离子的浓度大于所述第二阱区内所述第二掺杂离子的浓度。9.如权利要求8所述静电放电保护结构，其特征在于，所述第一掺杂层连接静电输出端；所述第二掺杂层、第二栅极结构以及重掺杂区连接静电输入端。10.如权利要求9所述静电放电保护结构，其特征在于，还包括：分别位于所述第一掺杂层上的第一导电插塞，所述第一导电插塞连接所述静电输出端；分别位于所述第二掺杂层、第二栅极结构以及重掺杂区上的第二导电插塞，所述第二导电插塞连接所述静电输入端。11.如权利要求1所述静电放电保护结构，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一栅介质层以及位于所述第一栅介质层上的第一栅极层。12.如权利要求10所述静电放电保护结构，其特征在于，所述第一导电插塞与所述第一栅极结构沿所述第一方向具有第一间距尺寸，所述第一导电插塞与所述第二栅极结构沿所
述第一方向具有第二间距尺寸，所述第二间距尺寸大于所述第一间距尺寸。13.如权利要求12所述静电放电保护结构，其特征在于，所述第一掺杂层沿所述第一方向具有第一宽度尺寸，所述第二掺杂层沿所述第一方向具有第二宽度尺寸，所述第一宽度尺寸大于所述第二宽度尺寸。14.一种静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的第一区和若干第二区，所述第一区位于相邻的所述第二区之间；在所述第一区内形成第一阱区，所述第一阱区内具有第一掺杂离子；在所述第二区内形成第二阱区，所述第二阱区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的电学类型不同；在所述第一区上形成第一栅极结构；在所述第二区上形成第二栅极结构；在所述第二栅极结构两侧的衬底内分别形成第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层内具有所述第一掺杂离子，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层分别位于所述第二阱区内，且所述第一掺杂层还与所述第一阱区接触。15.如权利要求14所述静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，所述第一阱区和所述第二阱区的形成方法包括：在所述衬底上形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出所述第一区的顶部表面；以所述第一图形化层为掩膜，对所述第一区进行第一掺杂离子的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张茂添，陈芳，张莉菲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：