基于XC8222AIC的负电压生成电路制造技术

技术编号:32604418 阅读:47 留言:0更新日期:2022-03-09 17:57
本实用新型专利技术公开了一种基于XC8222AIC的负电压生成电路,包括电压变换电路,电压变换电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第四电容C4、第五电容C5、XC8222AIC芯片D1和第一电感L1;输入电压经过第一电阻R1与第二电阻R2分压后供给XC8222AIC芯片使能端,输出电压经第四电阻R4、第五电容C5、第五电阻R5反馈至芯片反馈端,用于调节输出电压。第三电阻R3用于设置芯片的开关频率。本实用新型专利技术具有输入范围宽、输出电流大、动态响应快等特点。动态响应快等特点。动态响应快等特点。

【技术实现步骤摘要】
基于XC8222AIC的负电压生成电路


[0001]本技术属于航空电子工程领域,特别是指一种宽输入快速动态响应的负电压生成电路。

技术介绍

[0002]在航空电子设备中,电路设计时经常需要使用负电压供电,比如:很多的模拟量采集电路需要使用到

15V供电、模数转换电路需要使用

5V供电等等。
[0003]在以往的设计中,经常使用进口芯片以实现负电压的生成,比如:使用 LTM8025实现+5V到

5V的转换,使用XXX实现+15V到

15V的转换,存在输入范围窄的问题

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术经常使用进口器件且输入范围窄等问题,本技术提供了一种基于XC8222AIC的负电压生成电路,能够达到100%国产化,实现输入范围宽、输出电流大、动态响应快的负电压生成电路。
[0005]本技术的专利技术目的通过以下技术方案实现:
[0006]一种基于XC8222AIC的负电压生成电路,包括电压变换电路,电压变换电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第四电容C4、第五电容C5、XC8222AIC芯片D1和第一电感L1;第一电阻R1的一端与电源输入端连接,第一电阻R1的另一端与XC8222AIC芯片D1的8脚、第二电阻R2 的一端连接,第二电阻R2的另一端与输出电源端Vout连接,XC8222AIC芯片D1 的1脚与第四电阻R4的一端、第五电容C5的一端、第五电阻R5的一端连接,第四电阻R4的另一端接地,第五电容C5的另一端接地,第五电阻R5的另一端接电源输出端Vout,XC8222AIC芯片D1的2脚与第三电阻R3的一端连接,第三电阻R3 的另一端接输出电源端Vout,XC8222AIC芯片D1的3、4脚接地,XC8222AIC芯片D1的5脚与电源输入端Vin连接,XC8222AIC芯片D1的6脚一端与第四电容C4的一端、第一电感L1的一端连接,第四电容C4的另一端与XC8222AIC芯片的7脚连接,第一电感L1的另一端与地连接。
[0007]优选地,第四电容C4为低ESR的多层瓷介电容器,容量为100nF。
[0008]优选地,第一电感L1为铁氧体心绕线式片式电感器,容量为100uH。
[0009]优选地,第四电阻R4和第五电阻R5的阻值在10KΩ到1MΩ,Vout=

0.6V* (R4+R5)/R5。
[0010]优选地,基于XC8222AIC的负电压生成电路还包含输入滤波电路,输入滤波电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3,第一电容C1的一端连接外部输入电源端Vin,第一电容C1的另一端连接地,第二电容C2的一端与电源输入端连接,第二电容C2的另一端与输出电源端Vout连接,第三电容C3的一端与电源输入端连接,第三电容C3的另一端与输出电源端Vout连接。
[0011]优选地,第一电容C1为多层瓷介电容器,等级为X7R,容量大于4.7uF。
[0012]优选地,第二电容C2为多层瓷介电容器。
[0013]优选地,基于XC8222AIC的负电压生成电路还包含输出滤波电路,输出滤波电路包括第六电容C6、第七电容C7,第六电容C6的一端接地,第六电容C6的另一端接电源输出端Vout,第七电容C7的一端接地,第七电容C7的另一端接电源输出端Vout。
[0014]优选地,第六电容C6为多层瓷介电容器,等级为X7R,容量不低于22uF。
[0015]本技术的有益效果在于:基于XC8222AIC的负电压生成电路输入电压范围能够达到4.5V~40V,输出电流最大能达到3A,输出电压可调节,具有输入范围宽、输出电流大、动态响应快的特点。且使用的器件全部为国产器件,使得国产化率达到100%。
附图说明
[0016]图1为本技术的负电压生成电路结构示意图;
[0017]图2为本技术负电压生成电路的输出波形示意图;
[0018]图3为本技术负电压生成电路的另一输出波形示意图。
具体实施方式
[0019]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白,以下结合附图和实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
[0020]如图1所示,本实施例所示一种基于XC8222AIC的负电压生成电路,包括:输入滤波电路、电压变换电路、输出滤波电路。
[0021]输入滤波电路用于滤除输入电压引起的电压干扰。电压变换电路用于将输入的电压进行变换,变换成负电压。输出滤波电路用于滤除输出电压产生的干扰。
[0022]作为举例说明,本实施例中输入滤波电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3。第一电容C1的一端连接外部输入电源端Vin,第一电容C1的另一端连接地。第二电容C2的一端与电源输入端连接,第二电容C2的另一端与输出电源端Vout连接。第三电容C3的一端与电源输入端连接,第三电容C3的另一端与输出电源端Vout连接。
[0023]第一电容C1连接输入电压与地,可以起到滤除输入与地间的干扰,第二电容C2、第三电容C3连接输入电压与输出电压,可以起到滤除输入与输出电压间的干扰,
[0024]优选地,第一电容C1为多层瓷介电容器,等级为X7R,容量大于4.7uF。第二电容C2为多层瓷介电容器。
[0025]作为举例说明,本实施例中电压变换电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第四电容C4、第五电容C5、XC8222AIC 芯片D1、第一电感L1。第一电阻R1的一端与电源输入端连接,第一电阻R1的另一端与XC8222AIC芯片D1的8脚、第二电阻R2的一端连接,第二电阻R2的另一端与输出电源端Vout连接。XC8222AIC芯片D1的1脚与第四电阻R4的一端、第五电容C5的一端、第五电阻R5的一端连接,第四电阻R4的另一端接地,第五电容C5 的另一端接地,第五电阻R5的另一端接电源输出端Vout。XC8222AIC芯片D1的2 脚与第三电阻R3的一端连接,第三电阻R3的另一端接输出电源端Vout。 XC8222AIC芯片D1的3、4脚接地。XC8222AIC芯片D1的5脚与电源输入端Vin连接。XC8222AIC芯片D1的6脚一端与第四电容C4的一端、第一电感L1的一端连接,第四电容C4的另一端与XC8222AIC芯片的7脚连接,第一电感L1的另一端与地连接。
[0026]输入电压经过第一电阻R1与第二电阻R2分压后供给XC8222AIC芯片使能端,输出电压经反馈网络(第四电阻R4、第五电容C5、第五电阻R5)反馈至芯片反馈端,用于调节输出电压。第三电阻R3用于设置芯片的开关频率。
[0027]优选地,第四电容C4为低ESR的多层瓷介电容器。容量为100nF。第本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于XC8222AIC的负电压生成电路,包括电压变换电路,其特征在于电压变换电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第四电容C4、第五电容C5、XC8222AIC芯片D1和第一电感L1;第一电阻R1的一端与电源输入端连接,第一电阻R1的另一端与XC8222AIC芯片D1的8脚、第二电阻R2的一端连接,第二电阻R2的另一端与输出电源端Vout连接,XC8222AIC芯片D1的1脚与第四电阻R4的一端、第五电容C5的一端、第五电阻R5的一端连接,第四电阻R4的另一端接地,第五电容C5的另一端接地,第五电阻R5的另一端接电源输出端Vout,XC8222AIC芯片D1的2脚与第三电阻R3的一端连接,第三电阻R3的另一端接输出电源端Vout,XC8222AIC芯片D1的3、4脚接地,XC8222AIC芯片D1的5脚与电源输入端Vin连接,XC8222AIC芯片D1的6脚一端与第四电容C4的一端、第一电感L1的一端连接,第四电容C4的另一端与XC8222AIC芯片的7脚连接,第一电感L1的另一端与地连接。2.根据权利要求1所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路,其特征在于第四电容C4为低ESR的多层瓷介电容器,容量为100nF。3.根据权利要求1所述的一种基于XC8222AIC的负电压生成电路,其特征在于第一电感L1为铁氧体心绕线式片式电感器,容量为100uH。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陶大勇苍胜王艳龙
申请(专利权)人:中国航空无线电电子研究所
类型:新型
国别省市:

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