一种适用于可变电压域的电压转换电路结构制造技术

技术编号:32600532 阅读:41 留言:0更新日期:2022-03-09 17:47
本实用新型专利技术公开了一种适用于可变电压域的电压转换电路结构,包括第一反相器,所述第一反相器的输出端设有第二反相器,所述第一反相器的输出端还设有第四晶体管,所述第二反相器的输出端设有第三晶体管,所述第三晶体管的输入端设有第一晶体管,所述第三晶体管的输入端还设有第二晶体管,所述第二晶体管的输入端设有第五晶体管。本实用新型专利技术电平转换电路由两组电路组成,分别实现转换到高电压域的高电平相对应的电压值附近及转换到高电压域的低电平相对应的电压值附近的功能,转换电路工作的低电压域的电压值及高电压域的电压值可以较为独立的选择,同时转换后高压域的高电压与低电压的差值可以随选择的电流值和电阻值进行变化。变化。变化。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于可变电压域的电压转换电路结构


[0001]本技术涉及电平转换
,更具体地说,本技术涉及一种适用于可变电压域的电压转换电路结构。

技术介绍

[0002]典型的数模混合电路的电源域一般由至少两组电压组成,数字电路实现输出“0”或者“1”两种状态,考虑到功耗需求,一般由低压供电,如VDD=1V,模拟电路考虑到模拟电路性能需求,一般由较高的电压供电,如1.8V和5V,两组电源域的交互需要用到电平转换电路;
[0003]如附图5为典型的电平转换电路结构,其中反相器INV1及INV2在低电压域工作,晶体管M1

M4在高压域下工作,通过低压逻辑控制晶体管M3及M4的关断与导通,在晶体管M1及M2组成的锁存器中锁存高电压域下的控制逻辑,低电压域的高低电压为VDD及GND,高电压域的高低电压为VCC及VSS,在GND电压和VSS电压相等情况下,该种结构能够较好的完成电平转换的任务,但该结构主要存在如下缺点:
[0004]1、当VSS不等于GND时,该结构的电平转换功能失效;
[0005]2、高电压域下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于可变电压域的电压转换电路结构,其特征在于:包括第一反相器(7),所述第一反相器(7)的输出端设有第二反相器(8),所述第一反相器(7)的输出端还设有第四晶体管(5),所述第二反相器(8)的输出端设有第三晶体管(4),所述第三晶体管(4)的输入端设有第一晶体管(2),所述第三晶体管(4)的输入端还设有第二晶体管(3),所述第二晶体管(3)的输入端设有第五晶体管(6)。2.根据权利要求1所述的一种适用于可变电压域的电压转换电路结构,其特征在于:所述第一反相器(7)的输入端设有输入低电压域电压信号(11),所述输入低电压域电压信号(11)的输出端还设有缓冲器(9),且所述缓冲器(9)与输入低电压域电压信号(11)电性连接。3.根据权利要求1所述的一种适用于可变电压域的电压转换电路结构,其特征在于:所述第四晶体管(5)的栅端与第一反相器(7)电性连接,所述第三晶体管(4)的栅端与第二反相器(8)电性连接。4.根据权利要求1所述的一种适用于可变电压域的电压转换...

【专利技术属性】
技术研发人员:张福泉汪金铭王圣礼王国瑞赵洪飞
申请(专利权)人:上海旻森电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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