一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构，包括窄脉冲产生器，所述窄脉冲产生器的输出端设有第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的输出端设有缓冲器，所述缓冲器的输出端设有第二开关晶体管，所述第二开关晶体管的输出端设有驱动器，所述第一开关晶体管的输出端设有第一电容器、第二电容器以及第三电容器，且所述第一电容器与第一开关晶体管电性连接。本实用新型专利技术电路结构产生一个随时间线性变化的三角波上冲补偿信号，相比业界通用的指数衰减型补偿信号，在

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构


[0001]本技术涉及功率放大器
，更具体地说，本技术涉及一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构。

技术介绍

[0002]在时分双工(TDD)模式的通讯系统中，所使用的功率放大器，其输入放大管的偏置电位需要跟随TDD切换信号不停地在建立/关闭两种状态之间进行快速切换以节省整个发射链路功耗，当功率放大器的输入偏置电位由0V快速建立至稳定工作状态下的电位值时，功率放大器的工作点及输出性能并不能立即达到稳定工作值，而是需要经历一定延时
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t(一般约100us量级)才能达到稳态，因此在
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t时段内发射系统的动态EVM性能较差；
[0003]为了解决此问题，现有技术解决方案一般是，当TDD使能信号来临，芯片内部产生一个时域上冲补偿信号，使得在
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t时段内功率放大器的输入放大管栅极偏置电位略高于正常工作状态下的稳态值，从而在一定程度上改善
⊿
t时段内的动态EVM性能，域上冲补偿信号一般是通过电荷泵+RC放电原理实现。
[0004]现有技术存在以下不足：
[0005]1、RC放电时间决定了上冲补偿持续时长，它随工艺、温度、电压等因素波动较大，因此补偿信号时长指标波动离散度较大，实际量产中中一定数量比率的芯片在TDD切换时刻的动态EVM性能未能被补偿到目标范围内；
[0006]2、RC放电曲线呈指数特性，相比线性放电特性而言，对TDD切换时刻的动态EVM性能补偿效果相对较差。

技术实现思路

[0007]为了克服现有技术的上述缺陷，本技术的实施例提供一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构，通过能够产生随时间线性变化的三角波上冲补偿信号，在
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t时段内对EVM性能的补偿效果更优，且补偿信号持续时长参数对工艺、温度、电压等因素波动更加不敏感，在
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t时段内EVM性能的量产稳定性好，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0008]为实现上述目的，本技术提供一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构：包括窄脉冲产生器，所述窄脉冲产生器的输出端设有第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的输出端设有缓冲器，所述缓冲器的输出端设有第二开关晶体管，所述第二开关晶体管的输出端设有驱动器。
[0009]在一个优选的实施方式中，所述第一开关晶体管与窄脉冲产生器电性连接，所述缓冲器与第一开关晶体管电性连接，所述第二开关晶体管与缓冲器电性连接，所述驱动器与第二开关晶体管电性连接。
[0010]在一个优选的实施方式中，所述第一开关晶体管的输出端设有第一电容器、第二电容器以及第三电容器，且所述第一电容器与第一开关晶体管电性连接。
[0011]在一个优选的实施方式中，所述第一电容器、第二电容器以及第三电容器之间串
联，所述第三电容器与第二电容器的比值等于1：N，所述第一电容器与缓冲器并联。
[0012]在一个优选的实施方式中，所述第一电容器的输入端设有电流源，且所述第一电容器与电流源电性连接，所述第一电容器以及电流源的输出端接地。
[0013]在一个优选的实施方式中，所述第一开关晶体管的输入端设有VDD电源，且所述第一开关晶体管与VDD电源电性连接，所述窄脉冲产生器的输入端设有TDD控制信号。
[0014]在一个优选的实施方式中，所述第二开关晶体管的输入端设有VREF基准电压，所述驱动器的输出端设有VREF_COMP输出信号。
[0015]在一个优选的实施方式中，所述第一开关晶体管与第三电容器之间设有节点V1，所述缓冲器与第二开关晶体管之间设有节点V2，所述第二开关晶体管与驱动器之间设有节点V3。
[0016]本技术的技术效果和优点：
[0017]本技术电路结构产生一个随时间线性变化的三角波上冲补偿信号，相比业界通用的指数衰减型补偿信号，在
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t时段内对EVM性能的补偿效果更优，且补偿信号持续时长参数对工艺、温度、电压等因素波动更加不敏感，
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t时段内EVM性能的量产稳定性更好。
附图说明
[0018]图1为本技术的电路模块示意图。
[0019]图2为本技术的电路原理图。
[0020]图3为本技术节点放电波形曲线示意图。
[0021]附图标记为：1、窄脉冲产生器；2、缓冲器；3、驱动器；4、第一开关晶体管；5、第二开关晶体管；6、第一电容器；7、第二电容器；8、第三电容器；9、电流源。
[0022]电路原理图符号：
[0023]A：窄脉冲产生器
[0024]B：缓冲器
[0025]C：驱动器
[0026]Q1：第一开关晶体管
[0027]Q2：第二开关晶体管
[0028]C1：第一电容器
[0029]C2：第二电容器
[0030]C3：第三电容器
[0031]I1：电流源
[0032]V1\V2\V3：节点
[0033]TDD：控制信号
[0034]VDD：电源
[0035]GND：接地
[0036]Pulse：窄脉冲信号
[0037]VREF：基准电压
[0038]VREF_COMP：输出信号
具体实施方式
[0039]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0040]参照说明书附图1
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3，本技术一实施例的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构，包括窄脉冲产生器1，所述窄脉冲产生器1的输出端设有第一开关晶体管4，所述第一开关晶体管4的输出端设有缓冲器2，所述缓冲器2的输出端设有第二开关晶体管5，所述第二开关晶体管5的输出端设有驱动器3，所述第一开关晶体管4与窄脉冲产生器1电性连接，所述缓冲器2与第一开关晶体管4电性连接，所述第二开关晶体管5与缓冲器2电性连接，所述驱动器3与第二开关晶体管5电性连接。
[0041]进一步的，所述第一开关晶体管4的输出端设有第一电容器6、第二电容器7以及第三电容器8，且所述第一电容器6与第一开关晶体管4电性连接，所述第一电容器6、第二电容器7以及第三电容器8之间串联，所述第三电容器8与第二电容器7的比值等于1：N，所述第一电容器6与缓冲器2并联，当TDD控制信号TDD的上升沿来临时，窄脉冲产生电路产生一个负的窄脉冲信号Pulse，用于控制第一开关晶体管4的栅极，第一开关晶体管4的漏极与电流源9的正端、第一电容器6的上极板、缓冲器2(子电路B)的输入端以及第三电容器8的上极板相连接。
[0042]进一步的，所述第一电容器6的输入端设有电流源9，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构，其特征在于：包括窄脉冲产生器(1)，所述窄脉冲产生器(1)的输出端设有第一开关晶体管(4)，所述第一开关晶体管(4)的输出端设有缓冲器(2)，所述缓冲器(2)的输出端设有第二开关晶体管(5)，所述第二开关晶体管(5)的输出端设有驱动器(3)。2.根据权利要求1所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构，其特征在于：所述第一开关晶体管(4)与窄脉冲产生器(1)电性连接，所述缓冲器(2)与第一开关晶体管(4)电性连接，所述第二开关晶体管(5)与缓冲器(2)电性连接，所述驱动器(3)与第二开关晶体管(5)电性连接。3.根据权利要求1所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构，其特征在于：所述第一开关晶体管(4)的输出端设有第一电容器(6)、第二电容器(7)以及第三电容器(8)，且所述第一电容器(6)与第一开关晶体管(4)电性连接。4.根据权利要求3所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构，其特征在于：所述第一电容器(6)、第二电容器(7)以及第三电容器(8)之间串联，所述第三电容器(8)与第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国瑞，张福泉，汪金铭，王圣礼，
申请(专利权)人：上海旻森电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：