基于自激式降压变换器的高功率密度辅助电源制造技术

本发明专利技术公开了一种高功率密度的自激式降压变换器辅助电源电路。该辅助电源包括：降压主回路(1)、复位驱动电路(2)、限流保护电路(3)、稳压电路(4)；其中，降压主回路(1)的输入端接限流保护电路(3)，降压主回路(1)的输出端接稳压电路(4)，稳压电路(4)的输出端即输出电压(V

【技术实现步骤摘要】
基于自激式降压变换器的高功率密度辅助电源


[0001]本专利技术涉及一种高功率密度的自激式直流
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直流降压变换器辅助电源，可适用于高电压输入低电压输出的应用场合。

技术介绍

[0002]在一些小功率电源应用场合，自激式变换器相比于线性稳压器和他激式变换器相比，具有电路结构简单，高效率，低成本等优点。
[0003]传统的自激式降压变换器的主开关管以及各个控制管通常采用双极型晶体管实现。中国专利ZL99108088.2公开了一种双极性晶体管形自激式直流
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直流变换器如图1所示。包括由PNP晶体管Q1，电感L1，二极管D1和电容C2构成的降压变换器电路，Vo是直流输出电压，Vi是直流输入电压，Vi的负端与Vo的负端直接相连，R7是输出负载，电容C2并联在负载R7两端。耦合电感L2分别通过电容C1和电阻R3与晶体管Q1的发射极和基极相连接，与晶体管Q2的发射极和集电极相连接。晶体管Q1的基极通过电阻R4连接至直流输入与直流输出的负端。晶体管Q2分别通过电阻R1和电阻R2与晶体管Q1的发射极和晶体管Q3的集电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率密度的自激式降压变换器辅助电源，其特征在于，该辅助电源包括：降压主回路(1)、复位驱动电路(2)、限流保护电路(3)、稳压电路(4)；其中，降压主回路(1)的输入端接限流保护电路(3)，降压主回路(1)的输出端接稳压电路(4)，稳压电路(4)的输出端即输出电压(V
out
)接负载(Load)，限流保护电路(3)的输入端接输入电压(V
in2
)；复位驱动电路(2)的一端接限流保护电路(3)，另一端接输出电压(V
out
)。2.根据权利要求1所述的高功率密度的自激式降压变换器辅助电源，其特征在于，所述降压主回路(1)包括第八电容(C8)、第九电容(C9)，第六二极管(D6)，第二电感(L2)，第五PMOS管(Q5)；其中，降压主回路(1)通过第五PMOS管(Q5)源极连接限流保护电路(3)，降压主回路(1)的漏极接第八电容(C8)、第六二极管(D6)，通过第二电感(L2)连接于输出电压(V
out
)正端。3.根据权利要求1所述的高功率密度的自激式降压变换器辅助电源，其特征在于，所述复位驱动电路(2)包括第十一电容(C11)、第十三电容(C13)，第十电阻(R10)、第十一电阻(R11)，第八NMOS管(Q8)，第五二极管(D5)、第七二极管(D7)以及一个控制信号接口(Control)；复位驱动电路(2)通过第五二极管(D5)连接于第六PMOS管(Q6)，通过第十三电容(C13...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱钦松，董天昊，谷诚，郑德军，孙伟锋，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学—无锡集成电路技术研究所，
类型：发明
国别省市：