图像传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种图像传感器，包括电路连接层、光学结构层以及位于电路连接层和光学结构层之间的半导体结构层，半导体结构层内具有呈阵列分布的感光像素区以及将多个感光像素区间隔开的沟槽隔离结构，感光像素区内设有感光元件，沟槽隔离结构包括相互对应的反射结构和吸光结构，反射结构位于沟槽隔离结构靠近光学结构层的一端并用于反射光线，吸光结构位于沟槽隔离结构靠近电路连接层的一端并用于吸收光线。反射结构可以增加感光元件对光线的接收性能，还可避免或减少光线在靠近光学结构层附近发生光学串扰，吸光结构可以吸收靠近电路连接层附近的光线，从而避免或减少光线在电路连接层附近发生串扰。电路连接层附近发生串扰。电路连接层附近发生串扰。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器


[0001]本技术涉及图像传感器
，特别是涉及一种图像传感器。

技术介绍

[0002]图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，通常大规模商用的图像传感器芯片包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片两大类。
[0003]CMOS图像传感器和传统的CCD传感器相比，具有低功耗，低成本和与CMOS工艺兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用。现在CMOS图像传感器不仅用于消费电子领域，例如微型数码相机(DSC)，手机摄像头，摄像机和数码单反(DSLR)中，而且在汽车电子，监控，生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。
[0004]CMOS图像传感器的像素单元是图像传感器实现感光的核心器件。最常用的像素单元为包含一个光电二极管和多个晶体管的有源像素结构。这些器件中光电二极管是感光单元，实现对光线的收集和光电转换，其它的MOS晶体管是控制单元，主要实现对光电二极管的选中，复位，信号放大和读出的控制。
[0005]CMOS图像传感器按照入射光进入光电二极管的路径不同，可以分为前照式和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括电路连接层(10)、光学结构层(30)以及位于该电路连接层(10)和该光学结构层(30)之间的半导体结构层(20)，该半导体结构层(20)内具有呈阵列分布的感光像素区(21)以及将多个该感光像素区(21)间隔开并贯穿半导体结构层(20)的沟槽隔离结构(22)，该感光像素区(21)内设有感光元件，该沟槽隔离结构(22)包括相互对应的反射结构(221)和吸光结构(222)，该反射结构(221)位于该沟槽隔离结构(22)靠近该光学结构层(30)的一端并用于反射光线，该吸光结构(222)位于该沟槽隔离结构(22)靠近该电路连接层(10)的一端并用于吸收光线。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，该电路连接层(10)和该半导体结构层(20)之间设有绝缘层(40)，该电路连接层(10)包括金属互联层(11)和第一介质层(12)，该第一介质层(12)位于该金属互联层(11)和该绝缘层(40)之间，该吸光结构(222)远离该反射结构(221)的一端与该绝缘层(40)的表面接触。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：石文杰，王婉晴，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：