平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统制造方法及图纸

技术编号:32575245 阅读:22 留言:0更新日期:2022-03-09 17:03
本申请提供一种平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统,平板探测器包括基底、设置在基底一侧的背板层、以及设置在背板层远离基底一侧的感光器件,背板层包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线和复位结构;其中,复位结构与感光器件电连接,用于在平板探测器处于暗态时,对感光器件进行复位。通过在平板探测器中设置复位结构,当平板探测器处于暗态时,复位结构可以清除感光器件由于上一次曝光而残留的电荷。在下一次曝光时,薄膜晶体管只会导出感光器件中因为该次曝光而产生的电荷,因此所得到的显示图像是该次曝光时的图像,不会出现上一次曝光时所产生的图像的残影,由此保证了平板探测器的成像质量。由此保证了平板探测器的成像质量。由此保证了平板探测器的成像质量。

【技术实现步骤摘要】
平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统


[0001]本申请涉及光电检测
,具体而言,本申请涉及一种平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统。

技术介绍

[0002]X射线检测技术广泛应用于工业无损检测、集装箱扫描、电路板检查、医疗、安防、工业等领域,具有广阔的应用前景。传统的X

Ray成像技术属于模拟信号成像,分辨率不高,图像质量较差。X射线数字化成像技术采用X射线平板探测器直接将X影像转换为数字图像,因其转换的数字图像清晰,分辨率高,且易于保存和传送,已得到了广泛的开发与应用。
[0003]X射线平板探测器通常包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)与光电二极管。在X射线照射下,间接转换型X射线平板探测器的闪烁体层或荧光体层将X射线光子转换为可见光,然后在光电二极管的作用下将可见光转换为电信号,最终通过TFT读取电信号并将电信号输出,该电信号经过经过A/D转换后形成数字信号,计算机再将数字信号进行图像处理从而形成X射线数字影像。然而,现有的X射线平板探测器存在曝光后的图像中出现上一帧图像残影的问题,对成像质量造成了影响。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点,提出一种平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统,用以解决现有的X射线平板探测器中存在的在曝光后的图像中出现上一帧图像残影的问题。
[0005]第一个方面,本申请实施例提供了一种平板探测器,包括:
[0006]基底;
[0007]背板层,设置在所述基底的一侧,包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线和复位结构,所述第一薄膜晶体管包括第一源漏极层,所述第一源漏极层与所述数据线电连接;
[0008]感光器件,设置在所述背板层远离所述基底的一侧,与所述第一源漏极层连接;
[0009]其中,所述复位结构与所述感光器件电连接,用于在所述平板探测器处于暗态时,对所述感光器件进行复位。
[0010]可选的,所述复位结构包括复位信号线和第二薄膜晶体管;
[0011]所述复位信号线沿第一方向延伸,所述第二薄膜晶体管包括第二源漏极层,所述第二源漏极层分别与所述复位信号线和所述感光器件电连接,当所述平板探测器处于暗态时,所述第二薄膜晶体管开启,以使所述复位信号线与所述感光器件连接。
[0012]可选的,所述平板探测器包括沿第二方向延伸的栅极线,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层和第一有源层,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层和第二有源层;
[0013]所述栅极线分别与所述第一栅极层和所述第二栅极层电连接,所述第一有源层和所述第二有源层的掺杂类型相反;所述第二方向与所述第一方向交叉。
[0014]可选的,所述感光器件包括沿所述基底指向所述第一薄膜晶体管方向依次层叠设置的第一电极层、吸收层和第二电极层,所述第二源漏极层、所述第一电极层以及所述复位信号线同层设置。
[0015]可选的,所述栅极线、所述第一栅极层以及所述第二栅极层同层设置;
[0016]所述数据线与所述第一源漏极层同层设置。
[0017]可选的,所述第一薄膜晶体管在所述基底上的正投影和所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影无交叠;
[0018]所述平板探测器还包括钝化层,所述钝化层设置在第一薄膜晶体管远离基底的一侧,所述第二薄膜晶体管设置在所述钝化层远离基底的一侧。
[0019]可选的,所述吸收层在所述基底上的正投影与所述第一有源层在所述基底上的正投影无交叠,所述吸收层在所述基底上的正投影与所述第二有源层在所述基底上的正投影无交叠。
[0020]第二个方面,本申请实施例提供了一种探测装置,包括本申请实施例中的平板探测器。
[0021]第三个方面,本申请实施例提供了一种成像系统,包括本申请实施例中的平板探测器或探测装置。
[0022]第四个方面,本申请实施例提供了一种平板探测器的制作方法,包括:
[0023]提供一基底;
[0024]在所述基底的一侧制作背板层,所述背板层包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线、以及复位结构,所述第一薄膜晶体管包括第一源漏极层,所述第一源漏极层与数据线电连接;
[0025]在所述背板层远离所述基底的一侧制作感光器件,并使所述感光器件与所述复位结构电连接,其中,所述复位结构用于在平板探测器处于暗态时,对所述感光器件进行复位。
[0026]可选的,所述在所述基底的一侧制作背板层,包括:
[0027]在所述基底的一侧制作第一薄膜晶体管和数据线;
[0028]在所述第一薄膜晶体管远离所述基底的一侧制作第二薄膜晶体管和复位信号线,并使所述第二薄膜晶体管和所述复位信号线电连接,所述第二薄膜晶体管和所述复位信号线构成复位结构。
[0029]可选的,所述在所述基底的一侧制作第一薄膜晶体管和数据线,包括:
[0030]通过构图工艺在所述基底的一侧制作第一栅极层、栅极线和第二栅极层;
[0031]通过构图工艺在所述第一栅极层远离所述基底的一侧制作第一有源层;
[0032]通过构图工艺在所述第一栅极层和所述第一有源层远离所述基底的一侧制作第一源漏极层和数据线。
[0033]可选的,所述在所述第一薄膜晶体管远离所述基底的一侧制作第二薄膜晶体管和复位信号线,包括:
[0034]通过构图工艺在所述第一薄膜晶体管远离所述基底的一侧制作第二有源层,所述第二有源层的位置与所述第二栅极层的位置对应;
[0035]通过构图工艺在所述第二有源层远离所述基底的一侧制作第二源漏极层和复位
信号线。
[0036]第五个方面,本申请实施例提供了一种平板探测器的驱动方法,所述复位结构包括第二薄膜晶体管和复位信号线,所述驱动方法包括:
[0037]在曝光帧时间内,所述第一薄膜晶体管接收第一电信号,所述第一薄膜晶体管在所述第一电信号的控制下开启,以使所述数据线与所述感光器件导通,所述第二薄膜晶体管接收第二电信号,所述第二薄膜晶体管在所述第二电信号的控制下关闭,以使所述复位信号线与所述感光器件断开;
[0038]在相邻曝光帧之间的时间内,所述第一薄膜晶体管接收第三电信号,所述第一薄膜晶体管在所述第三电信号的控制下关闭,以使所述数据线与所述感光器件断开,所述第二薄膜晶体管接收第四电信号,所述第二薄膜晶体管在所述第四电信号的控制下开启,以使所述感光器件与所述复位信号线导通。
[0039]可选的,所述第一薄膜晶体管包括第一有源层,所述第二薄膜晶体管包括第二有源层,所述第一有源层和所述第二有源层的掺杂类型相反;
[0040]所述第一电信号和所述第二电信号相同,所述第三电信号和所述第四电信号相同,所述第一电信号与所述第三电信号的极性相反。
[0041]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括:
[0042]本申请实施例中平板探测器包括基底、设置在基底一侧的背板本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平板探测器,其特征在于,包括:基底;背板层,设置在所述基底的一侧,包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线和复位结构,所述第一薄膜晶体管包括第一源漏极层,所述第一源漏极层与所述数据线电连接;感光器件,设置在所述背板层远离所述基底的一侧,与所述第一源漏极层连接;其中,所述复位结构与所述感光器件电连接,用于在所述平板探测器处于暗态时,对所述感光器件进行复位。2.根据权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,所述复位结构包括复位信号线和第二薄膜晶体管;所述复位信号线沿第一方向延伸,所述第二薄膜晶体管包括第二源漏极层,所述第二源漏极层分别与所述复位信号线和所述感光器件电连接,当所述平板探测器处于暗态时,所述第二薄膜晶体管开启,以使所述复位信号线与所述感光器件连接。3.根据权利要求2所述的平板探测器,其特征在于,所述平板探测器包括沿第二方向延伸的栅极线,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层和第一有源层,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层和第二有源层;所述栅极线分别与所述第一栅极层和所述第二栅极层电连接,所述第一有源层和所述第二有源层的掺杂类型相反;所述第二方向与所述第一方向交叉。4.根据权利要求3所述的平板探测器,其特征在于,所述感光器件包括沿所述基底指向所述第一薄膜晶体管方向依次层叠设置的第一电极层、吸收层和第二电极层,所述第二源漏极层、所述第一电极层以及所述复位信号线同层设置。5.根据权利要求3所述的平板探测器,其特征在于,所述栅极线、所述第一栅极层以及所述第二栅极层同层设置;所述数据线与所述第一源漏极层同层设置。6.根据权利要求3所述的平板探测器,其特征在于,所述第一薄膜晶体管在所述基底上的正投影和所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影无交叠;所述平板探测器还包括钝化层,所述钝化层设置在第一薄膜晶体管远离基底的一侧,所述第二薄膜晶体管设置在所述钝化层远离基底的一侧。7.根据权利要求6所述的平板探测器,其特征在于,所述吸收层在所述基底上的正投影与所述第一有源层在所述基底上的正投影无交叠,所述吸收层在所述基底上的正投影与所述第二有源层在所述基底上的正投影无交叠。8.一种探测装置,其特征在于,包括权利要求1至7中任意一项所述的平板探测器。9.一种成像系统,其特征在于,包括权利要求1至7中任意一项所述的平板探测器,或包括权利要求8所述的探测装置。10.一种平板探测器的制作方法,其特征在于,包括:提供一基底;在所述基底的一侧制作背板层,所述背板层包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线、以及复...

【专利技术属性】
技术研发人员:姜振武侯学成张冠杨祎凡尚建兴
申请(专利权)人:北京京东方传感技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1