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一种基于欧拉路径算法的自动布局方法及装置制造方法及图纸

技术编号:32582260 阅读:102 留言:0更新日期:2022-03-09 17:13
本申请提出的基于欧拉路径算法的自动布局方法、装置及存储介质中,可以根据待摆放的MOS管的特征参数对其进行分类,得到多个MOS管分组,然后分别对每组MOS管中的MOS管的栅极序列,以MOS管的漏极和源级作为图论的节点,判断图论的节点是否构成欧拉路径,如果图论的节点未构成欧拉路径,则在图论中将度为奇数的节点增加预设元器件,以将未构成欧拉路径的节点转换为构成欧拉路径的节点,再根据构成的欧拉路径的中的排列顺序将MOS管进行摆放,形成摆放后的多个MOS管分组序列。本申请提出的方法,实现了MOS管的自动布局,从而减少了人工考虑集成电路设计MOS管布局需要的时间,同时保证了MOS管有源区正确的被共用,减少了版图占用面积,缩短了集成电路设计周期。缩短了集成电路设计周期。缩短了集成电路设计周期。

【技术实现步骤摘要】
一种基于欧拉路径算法的自动布局方法及装置


[0001]本申请涉及集成电路
,尤其涉及一种基于欧拉路径算法的自动布局方法、装置及存储介质。

技术介绍

[0002]MOS管是当前集成电路的关键组件,同时MOS管也需要进行布局,且MOS管在布局时需要注意有源区的共用。
[0003]相关技术中,MOS管的布局需要集成电路工程师检查MOS管之间的源极与栅极是否一致之后进行手工的摆放,从而使得集成电路设计的效率较低。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种基于欧拉路径算法的自动布局方法、装置及存储介质,以至少解决相关技术中的集成电路设计的效率较低的技术问题。
[0005]本申请第一方面实施例提出一种基于欧拉路径算法的自动布局方法,包括:
[0006]获取待摆放的MOS管,并获取所述待摆放的MOS管的特征参数;
[0007]根据所述特征参数对所述待摆放的MOS管进行分类,得到多个MOS管分组,其中,每个所述MOS管分组中的MOS管具有相同的宽度;
[0008]分别对所述MOS管分组中MOS管的栅极序列,以所述MOS管的漏极和源级作为图论的节点,判断所述图论的节点是否构成欧拉路径,其中,所述构成欧拉路径的节点表征为所述MOS管的有源区互相连通;
[0009]如果所述图论的节点未构成欧拉路径,则在所述图论中将度为奇数的节点增加预设元器件,以将未构成欧拉路径的节点转换为构成欧拉路径的节点;
[0010]根据所述构成欧拉路径的节点,将已构成欧拉路径的栅极序列完成目标路径的拼接,根据拼接后的所述目标路径生成所述多个MOS管分组中连通的MOS管序列;
[0011]将所述MOS管序列中的MOS管,根据欧拉路径的排列顺序进行摆放,形成摆放后的多个MOS管分组序列。
[0012]本申请第二方面实施例提出一种基于欧拉路径算法的自动布局装置,包括:
[0013]获取模块,用于获取待摆放的MOS管,并获取所述待摆放的MOS管的特征参数;
[0014]分类模块,用于根据所述特征参数对所述待摆放的MOS管进行分类,得到多个MOS管分组,其中,每个所述MOS管分组中的MOS管具有相同的宽度;
[0015]判断模块,用于分别对所述MOS管分组中MOS管的栅极序列,以所述MOS管的漏极和源级作为图论的节点,判断所述图论的节点是否构成欧拉路径,其中,所述构成欧拉路径的节点表征为所述MOS管的有源区互相连通;
[0016]第一处理模块,用于如果所述图论的节点未构成欧拉路径,则在所述图论中将度为奇数的节点增加预设元器件,以将未构成欧拉路径的节点转换为构成欧拉路径的节点;
[0017]拼接模块,用于根据所述构成欧拉路径的节点,将已构成欧拉路径的栅极序列完
成目标路径的拼接,根据拼接后的所述目标路径生成所述多个MOS管分组中连通的MOS管序列;
[0018]第二处理模块,用于将所述MOS管序列中的MOS管,根据欧拉路径的排列顺序进行摆放,形成摆放后的多个MOS管分组序列。
[0019]本申请第三方面实施例提出的计算机存储介质,其中,所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令;所述计算机可执行指令被处理器执行后,能够实现如上第一方面所述的方法。
[0020]本申请第四方面实施例提出的计算机设备,其中,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,处理器执行所述程序时,能够实现如上第一方面所述的方法。
[0021]本申请的实施例提供的技术方案至少带来以下有益效果:
[0022]本申请提出的基于欧拉路径算法的自动布局方法、装置及存储介质中,可以根据待摆放的MOS管的特征参数对其进行分类,得到多个MOS管分组,然后分别对每组MOS管中的MOS管的栅极序列,以MOS管的漏极和源级作为图论的节点,判断图论的节点是否构成欧拉路径,如果图论的节点未构成欧拉路径,则在图论中将度为奇数的节点增加预设元器件,以将未构成欧拉路径的节点转换为构成欧拉路径的节点,再根据构成欧拉路径的完成目标路径的拼接,根据拼接后的目标路径生成多个MOS管分组中连通的MOS管序列,将MOS管序列中的MOS管,根据欧拉路径的排列顺序进行摆放,形成摆放后的多个MOS管分组序列。其中,本申请提出的方法,实现了MOS管的自动布局,从而减少了人工考虑集成电路设计MOS管布局需要的时间,同时保证了MOS管有源区正确的被共用,减少了版图占用面积,缩短了集成电路设计周期。
[0023]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0024]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0025]图1为根据本申请一个实施例提供的基于欧拉路径算法的自动布局方法的流程示意图;
[0026]图2为根据本申请一个实施例提供的基于欧拉路径算法的自动布局装置的结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面详细描述本申请的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。
[0028]下面参考附图描述本申请实施例的基于欧拉路径算法的自动布局方法及装置。
[0029]实施例一
[0030]图1为根据本申请一个实施例提供的基于欧拉路径算法的自动布局方法的流程示
意图,如图1所示,可以包括:
[0031]步骤101、获取待摆放的MOS管,并获取待摆放的MOS管的特征参数。
[0032]其中,本申请的实施例中,MOS管的特征参数可以包括:MOS管的栅极宽度。
[0033]步骤102、根据特征参数对待摆放的MOS管进行分类,得到多个MOS管分组,其中,每个MOS管分组中的MOS管具有相同的宽度。
[0034]其中,在本申请的实施例中,上述MOS管的特征参数还可以包括:MOS管的finger。以及,在本申请的实施例中,在根据特征参数对待摆放的MOS管进行分类之前,还需要将MOS管的finger进行打平,以便后续对MOS管进行分类。
[0035]以及,在本申请的实施例中,根据特征参数对待摆放的MOS管进行分类,得到多个MOS管分组的方法可以包括以下步骤:
[0036]步骤a、获取待摆放的MOS管的MOS管一维序列,MOS管一维序列可以包括PMOS管和NMOS管,其中,PMOS管和NMOS管的漏极和源级由PMOS管和NMOS管在MOS管一维序列中的顺序确定。
[0037]步骤b、根据MOS管一维序列,将MOS管一维序列中相同宽度的PMOS管、NMOS管划分为一组,并将每组的PMOS管、NMOS管以不同栅极进行区分,得到PMOS管序列、NMOS管序列。
[0038]其中,在本申请的实施本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于欧拉路径算法的自动布局方法,其特征在于,包括:获取待摆放的MOS管,并获取所述待摆放的MOS管的特征参数;根据所述特征参数对所述待摆放的MOS管进行分类,得到多个MOS管分组,其中,每个所述MOS管分组中的MOS管具有相同的宽度;分别对所述MOS管分组中MOS管的栅极序列,以所述MOS管的漏极和源级作为图论的节点,判断所述图论的节点是否构成欧拉路径,其中,所述构成欧拉路径的节点表征为所述MOS管的有源区互相连通;如果所述图论的节点未构成欧拉路径,则在所述图论中将度为奇数的节点增加预设元器件,以将未构成欧拉路径的节点转换为构成欧拉路径的节点;根据所述构成欧拉路径的节点,将已构成欧拉路径的栅极序列完成目标路径的拼接,根据拼接后的所述目标路径生成所述多个MOS管分组中连通的MOS管序列;将所述MOS管序列中的MOS管,根据欧拉路径的排列顺序进行摆放,形成摆放后的多个MOS管分组序列。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述特征参数包括:所述MOS管的栅极宽度,根据所述特征参数对所述待摆放的MOS管进行分类,得到多个MOS管分组,包括:获取所述待摆放的MOS管的MOS管一维序列,所述MOS管一维序列包括PMOS管和NMOS管,所述PMOS管和NMOS管的漏极和源级由所述PMOS管和NMOS管在所述MOS管一维序列中的顺序确定;根据所述MOS管一维序列,将所述MOS管一维序列中相同宽度的PMOS管、NMOS管划分为一组,并将每组的PMOS管、NMOS管以不同栅极进行区分,得到PMOS管序列、NMOS管序列。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,根据所述构成欧拉路径的节点,将已构成欧拉路径的栅极序列完成目标路径的拼接,根据拼接后的所述目标路径生成所述多个MOS管分组中连通的MOS管序列,包括:在相同宽度的所述PMOS管序列、NMOS管序列中,分别将已构成欧拉路径的栅极序列通过在两两路径之间各加入一个MOS管的漏极为前一条路径最后一个MOS管的源级,MOS管的源级为后一条路径的第一个MOS管的漏极的预设元器件,完成所述目标路径的拼接;在拼接好的所述目标路径的两个端点各加入一个预设元器件,以得到所述多个MOS管分组中连通的PMOS管序列、NMOS管序列。4.如权利要求2所述的方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶佐昌王燕秦仟
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:

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