一种紧缩场多路径杂波分析方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种紧缩场多路径杂波分析方法和装置，该方法的一个具体实施方式包括：基于射线弹跳算法，将辐射源设置在紧缩场的静区位置，将观测点设置在所述紧缩场的馈源位置；利用所述辐射源遍历所述静区的各个位置，利用所述观测点获取从所述辐射源到所述观测点的各种路径，从而模拟处在所述静区的各种目标可能产生的回波路径；其中，所述回波路径包括工作路径和杂波路径；对每一回波路径进行仿真分析，从而确定所述回波路径中的工作路径和杂波路径。该实施方式能够准确判别紧缩场暗室内可能的杂波路径。能的杂波路径。能的杂波路径。

【技术实现步骤摘要】
一种紧缩场多路径杂波分析方法和装置


[0001]本专利技术涉及电磁特性
，尤其涉及一种紧缩场多路径杂波分析方法和装置。

技术介绍

[0002]雷达散射截面(Radar Cross Section，RCS)作为一个重要的指标越来越受到人们的重视，目前主流RCS测试场主要分为微波紧缩场暗室和室外测试场地。二者区别在于，前者利用紧缩场技术实现RCS测试的远场条件，利用屏蔽壳体和吸波材料以保证测试区域的纯净，而后者则是利用广阔的测试场地和干净的测试环境来保证测试效果。测试区域又称为“静区”，静区性能是衡量测试场能力的重要参数，也是紧缩场反射面设计的核心指标。因此传统的紧缩场暗室设计时往往将辐射源放置在馈源位置，将观测点设置在静区位置，以此监控静区性能。但是这种分析方法难以应对诸如目标与反射面、目标与馈源等非主要路径引起的杂波，也即多路径杂波。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供一种紧缩场多路径杂波分析方法和装置，能够准确判别紧缩场暗室内可能的杂波路径。
[0004]为了解决上述技术问题，在一个方面，本专利技术实施例提供了一种紧缩场多路径杂波分析方法。
[0005]本专利技术实施例的紧缩场多路径杂波分析方法包括：基于射线弹跳算法，将辐射源设置在紧缩场的静区位置，将观测点设置在所述紧缩场的馈源位置；利用所述辐射源遍历所述静区的各个位置，利用所述观测点获取从所述辐射源到所述观测点的各种路径，从而模拟处在所述静区的各种目标可能产生的回波路径；其中，所述回波路径包括工作路径和杂波路径；对每一回波路径进行仿真分析，从而确定所述回波路径中的工作路径和杂波路径。
[0006]可选地，所述将辐射源设置在紧缩场的静区位置，将观测点设置在所述紧缩场的馈源位置，包括：导入紧缩场模型，在所述紧缩场模型中确定所述馈源位置和所述静区的范围；基于所述馈源位置和所述静区的范围设置所述辐射源和所述观测点。
[0007]可选地，所述利用所述辐射源遍历所述静区的各个位置，包括：针对所述静区的范围分别设置X、Y、Z方向的仿真步进，依据所述仿真步进执行所述遍历。
[0008]可选地，所述方法进一步包括：在确定所述回波路径中的杂波路径之后，在每一杂波路径放置阻隔装置以削弱或消除该杂波路径的杂波。
[0009]可选地，所述阻隔装置为模块化、可拆卸的吸波屏风；所述阻隔装置包括：多层金属骨架和粘贴在每一层金属骨架两侧的尖锥型吸波材料。
[0010]可选地，所述阻隔装置进一步包括：处于底部的可移动平板；在所述阻隔装置中，相邻的金属骨架通过专用接口拼接，多个金属骨架通过逐层拼接可达到预设高度。
[0011]可选地，所述紧缩场为反射面型紧缩场，所述紧缩场中还设置有主反射面和副反射面，所述回波路径经过所述主反射面和所述副反射面的反射。
[0012]为了解决上述技术问题，在另一方面，本专利技术实施例提供了一种紧缩场多路径杂波分析装置。
[0013]本专利技术实施例的紧缩场多路径杂波分析装置可以包括：布置单元，用于：基于射线弹跳算法，将辐射源设置在紧缩场的静区位置，将观测点设置在所述紧缩场的馈源位置；路径获取单元，用于：利用所述辐射源遍历所述静区的各个位置，利用所述观测点获取从所述辐射源到所述观测点的各种路径，从而模拟处在所述静区的各种目标可能产生的回波路径；其中，所述回波路径包括工作路径和杂波路径；仿真单元，用于：对每一回波路径进行仿真分析，从而确定所述回波路径中的工作路径和杂波路径。
[0014]为实现上述目的，根据本专利技术的又一方面，提供了一种电子设备。
[0015]本专利技术的一种电子设备包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现本专利技术所提供的紧缩场多路径杂波分析方法。
[0016]为实现上述目的，根据本专利技术的再一方面，提供了一种计算机可读存储介质。
[0017]本专利技术的一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现本专利技术所提供的紧缩场多路径杂波分析方法。
[0018]实施本专利技术的紧缩场多路径杂波分析方法和装置，具有以下有益效果：首先，基于射线弹跳算法，将辐射源设置在紧缩场的静区位置，将观测点设置在所述紧缩场的馈源位置；接着，利用所述辐射源遍历所述静区的各个位置，利用所述观测点获取从所述辐射源到所述观测点的各种路径，从而模拟处在所述静区的各种目标可能产生的回波路径；最后，对每一回波路径进行仿真分析，从而确定所述回波路径中的工作路径和杂波路径。这样，针对紧缩场暗室内可能发生的多路径杂波问题，本专利技术利用射线弹跳法，将辐射源设置在静区内而不是馈源位置，将观测点设置馈源处以获取可以到达馈源位置的可能的路径分布，并通过遍历静区空间内各个位置，获取全静区可能产生的多路径杂波，最后针对每一杂波路径使用可拆卸吸波屏风进行杂波消除。
附图说明
[0019]图1是本专利技术实施例的紧缩场多路径杂波分析方法的主要步骤示意图；
[0020]图2是本专利技术实施例的紧缩场多路径杂波分析方法的环境示意图；
[0021]图3是本专利技术实施例的阻隔装置的结构示意图；
[0022]图4是本专利技术实施例的紧缩场多路径杂波分析装置的组成部分示意图；
[0023]图5是用来实现本专利技术实施例中紧缩场多路径杂波分析方法的电子设备结构示意图。
[0024]附图标记说明：
[0025]10：阻隔装置；11：金属骨架；12：尖锥型吸波材料；13：可移动平板；14：专用接口。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例
中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]图1是根据本专利技术实施例中紧缩场多路径杂波分析方法的主要步骤示意图。
[0028]如图1所示，本专利技术实施例的紧缩场多路径杂波分析方法可具体按照如下步骤执行：
[0029]步骤S101：基于射线弹跳算法，将辐射源设置在紧缩场的静区位置，将观测点设置在所述紧缩场的馈源位置。
[0030]本步骤所使用的射线弹跳算法是电磁计算中的已知算法。在本专利技术实施例中，所述紧缩场为反射面型紧缩场，所述紧缩场中还设置有主反射面和副反射面。在本步骤中，可以基于该算法进行辐射源和观测点的放置，即将辐射源设置在紧缩场的静区位置，由此能够遍历静区空间内的各个位置；将观测点设置在所述紧缩场的馈源位置，由此能够获取全静区可能产生的多路径杂波。
[0031]实际应用中，实现以上放置的具体执行步骤为：导入紧缩场模型，在所述紧缩场模型中确定所述馈源位置和所述静区的范围；基于所述馈源位置和所述静区的范围设置所述辐射源和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紧缩场多路径杂波分析方法，其特征在于，包括：基于射线弹跳算法，将辐射源设置在紧缩场的静区位置，将观测点设置在所述紧缩场的馈源位置；利用所述辐射源遍历所述静区的各个位置，利用所述观测点获取从所述辐射源到所述观测点的各种路径，从而模拟处在所述静区的各种目标可能产生的回波路径；其中，所述回波路径包括工作路径和杂波路径；对每一回波路径进行仿真分析，从而确定所述回波路径中的工作路径和杂波路径。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将辐射源设置在紧缩场的静区位置，将观测点设置在所述紧缩场的馈源位置，包括：导入紧缩场模型，在所述紧缩场模型中确定所述馈源位置和所述静区的范围；基于所述馈源位置和所述静区的范围设置所述辐射源和所述观测点。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述辐射源遍历所述静区的各个位置，包括：针对所述静区的范围分别设置X、Y、Z方向的仿真步进，依据所述仿真步进执行所述遍历。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在确定所述回波路径中的杂波路径之后，在每一杂波路径放置阻隔装置以削弱或消除该杂波路径的杂波。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述阻隔装置为模块化、可拆卸的吸波屏风；所述阻隔装置包括：多层金属骨架和粘贴在每一层金属骨架两侧的尖锥型吸波材料。6.根据权利要求5所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨景轩，侯鑫，白杨，
申请(专利权)人：北京环境特性研究所，
类型：发明
国别省市：