一种可低温烧结连接的抗硫化铜焊膏及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种可低温烧结连接的抗硫化铜焊膏及其制备方法。该抗硫化焊膏由铜元素与钯元素、金元素复合而成，复合形式包括铜颗粒与钯颗粒、金颗粒的机械混合，以及铜元素、钯元素、金元素形成的合金颗粒；以该抗硫化铜焊膏的质量计，铜元素的含量为80％

【技术实现步骤摘要】
一种可低温烧结连接的抗硫化铜焊膏及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种可低温烧结连接的抗硫化铜焊膏及其制备方法，属于焊膏制备


技术介绍

[0002]第三代半导体发展迅猛，将逐渐替代现有的硅芯片。但是，与当前硅芯片匹配的封装材料却不能很好的满足其高温服役的需求，或者说连接温度过高导致不能实际应用在器件封装。以纳米银为代表的纳米金属颗粒焊膏烧结技术被认为是最有潜力的第三代半导体封装技术之一。利用纳米颗粒的尺寸效应，金属纳米颗粒烧结可以实现低温连接、高温服役。为了避免纳米颗粒团聚，其一般与各种有机物搅拌在一起形成纳米金属焊膏。银纳米焊膏具有良好的导电、导热性能，是目前研究较多的并已成功得到初步应用的封装材料。然而银极易发生电化学迁移，造成器件短路失效，影响器件的可靠服役。
[0003]铜的成本低于银，并且铜具有很好的抗电化学迁移能力，因此铜纳米颗粒焊膏也受到了研究人员的广泛关注，有望替代银纳米颗粒成为第三代半导体的有效封装解决方案。然而，铜纳米颗粒的缺点是容易氧化以及硫化。针对铜纳米焊膏容易氧化的问题可以通过添加还原性有机物来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可低温烧结连接的抗硫化铜焊膏，其中，该抗硫化焊膏由铜元素与钯元素、金元素复合而成，复合形式包括铜颗粒与钯颗粒、金颗粒的机械混合，以及铜元素、钯元素、金元素形成的合金颗粒；以该抗硫化铜焊膏的质量计，铜元素的含量为80％
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98％，余量为钯元素和金元素，钯元素和金元素的质量比≤1∶1。2.根据权利要求1所述的抗硫化铜焊膏，其中，钯元素和金元素以合金颗粒或者钯颗粒、金颗粒的混合颗粒的形式存在。3.根据权利要求1或2所述的抗硫化铜焊膏，其中，铜颗粒、钯颗粒、金颗粒、合金颗粒的颗粒尺寸范围为5纳米
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10微米。4.根据权利要求1所述的抗硫化铜焊膏，其中，所述钯元素和金元素的质量比≤1∶2。5.权利要求1
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4任一项所述的抗硫化铜焊膏的制备方法，其包括以下步骤：步骤一：将单质铜颗粒与单质钯颗粒、单质金颗粒机械混合得到混合颗粒，或者制备得到铜元素、钯元素、金元素的合金颗粒；步骤二：将所述混合颗粒或合金颗粒与有机物混合，经过超声震荡和机械搅拌混合均匀而得到均匀的焊膏。6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述合金颗粒的制备方法包括化学法、磁控溅射法、激光沉积法真空蒸镀和化学气相沉积中的一种或两种以上的组合。7.根据权利要求5所述的制备方法，其中，将所述混合颗粒或合金颗粒与有机物混合时，混合颗粒或合金颗粒的用量为70
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90wt％，有机物的用量为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏平，
申请(专利权)人：北京清连科技有限公司，
类型：发明
国别省市：