垂直栅控忆阻器制造技术

本实用新型专利技术一个或多个实施例提供一种垂直栅控忆阻器，包括：基底；设置在所述基底上的栅介质层；间隔设置在所述栅介质层上的底电极层和栅极层；依次设置在所述底电极层上的中间层和顶电极层。本实用新型专利技术能够实现复杂的功能，制备工艺简单，方便控制，且更环保。且更环保。且更环保。

【技术实现步骤摘要】
垂直栅控忆阻器


[0001]本技术属于一种半导体
，具体是涉及到一种垂直栅控忆阻器。

技术介绍

[0002]忆阻器全称记忆电阻器(Memristor)，表示磁通与电荷关系的电路器件。基于忆阻器的随机存储器的集成度，功耗，读写速度都要比传统的随机存储器优越。此外忆阻器是硬件实现人工神经网络突触的最好方式。由于忆阻器的非线性性质，可以产生混沌电路，从而在保密通信中也有很多应用。
[0003]现有的忆阻器多为平面型忆阻器，利用衬底的Si去调控忆阻器。平面型忆阻器较为常用，但不利于集成，常规忆阻器只有两个端口，限制其应用场景。平面型忆阻器的栅介质大部分不是无毒无害的，制备工艺较复杂，不易于大规模制备。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是提供一种垂直栅控忆阻器，以解决制备工艺较复杂，不易控制，不易于大规模制备的问题。
[0005]基于上述目的，本技术一个或多个实施例提供了一种垂直栅控忆阻器，包括：基底；设置在所述基底上的栅介质层；间隔设置在所述栅介质层上的底电极层和栅极层；依次设置在所述底电极层上的中间层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直栅控忆阻器，其特征是，所述垂直栅控忆阻器包括：基底；设置在所述基底上的栅介质层；间隔设置在所述栅介质层上的底电极层和栅极层；依次设置在所述底电极层上的中间层和顶电极层。2.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述顶电极层部分覆盖所述中间层，所述中间层部分覆盖所述底电极层。3.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述底电极层的未被所述中间层覆盖的部分以及所述中间层的未被所述顶电极层覆盖的部分设置在朝向所述栅极层的一侧，和/或远离所述栅极层的一侧。4.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述栅介质层采用生物可降解的环保材料。5.如权利要求4所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述栅介质层为采用旋涂或者滴涂方法制备的海藻酸钠薄膜，厚度为1μm～100μm。6.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋杰，谷丽娟，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：新型
国别省市：