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本实用新型一个或多个实施例提供一种垂直栅控忆阻器，包括：基底；设置在所述基底上的栅介质层；间隔设置在所述栅介质层上的底电极层和栅极层；依次设置在所述底电极层上的中间层和顶电极层。本实用新型能够实现复杂的功能，制备工艺简单，方便控制，且更环保...
该专利属于中南大学所有，仅供学习研究参考，未经过中南大学授权不得商用。

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