晶圆支撑柱及晶圆处理设备制造技术

本发明专利技术提供了一种晶圆支撑柱，设置于半导体基座内用于承托晶圆，其包括支撑柱本体，所述支撑柱本体的外表面设有至少一个凹陷部，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷，所述凹陷部设置于所述支撑柱本体的侧壁，且所述凹陷部的顶部与支撑柱本体的顶端部相接，所述凹陷部的底部与支撑柱本体的底端部相接，减小了支撑柱本体的顶端部的面积，使得在工艺过程中晶圆支撑柱与晶圆之间的静电力或其他吸附力减至最小，大大降低晶圆支撑柱从孔内脱出的风险，且使得晶圆支撑柱和基座孔之间具有空隙，从而减少基座孔内因气体热膨胀而导致晶圆支撑柱从孔内脱出的风险，以及减少晶圆支撑柱在基座孔内卡死的风险。本发明专利技术还提供了一种晶圆处理设备。了一种晶圆处理设备。了一种晶圆处理设备。

【技术实现步骤摘要】
晶圆支撑柱及晶圆处理设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆支撑柱及晶圆处理设备。

技术介绍

[0002]现有的半导体镀膜设备，尤其是12英寸半导体镀膜设备中，因铝制加热盘具有热效率高、成本低等优势，故铝制加热盘在当前的半导体镀膜设备中仍担当主角。在工艺过程中加热盘表面需要均布支撑体来支撑晶圆(Wafer)，以使晶圆保持水平，保证晶圆表面沉积膜厚度的均匀及工艺稳定性。
[0003]公开号为CN203983243U的中国专利公开了一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，在加热盘凸台表面的不同圆周上均布一定数量的销孔，加热盘上的销孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座，陶瓷圆柱座的下底面与加热盘的销孔底面配合。陶瓷圆柱座的上表面与加热盘凸台表面平齐。陶瓷柱的上顶端部分为半球结构，顶端面为球面结构；陶瓷柱的下部分为圆柱结构，保持有一定的直线度。但该专利存在以下问题：
[0004](1)工艺过程中，晶圆与陶瓷柱之间存在静电力或其他吸附力，若晶圆与陶瓷柱之间的静电力或其他吸附力过大，将会将陶瓷柱从基座孔内吸附脱出，从而造成晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆支撑柱，设置于半导体基座内，用于承托晶圆，其特征在于，所述晶圆支撑柱包括支撑柱本体，所述支撑柱本体的外表面设有至少一个凹陷部，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷，所述凹陷部设置于所述支撑柱本体的侧壁，且所述凹陷部的顶部与所述支撑柱本体的顶端部相接，所述凹陷部的底部与所述支撑柱本体的底端部相接。2.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的径向长度由所述支撑柱本体的顶端部朝所述支撑柱本体的底端部逐渐减小。3.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部包括第一凹陷部和第二凹陷部，所述第一凹陷部设置于所述支撑柱本体的上部，所述第二凹陷部设置于所述支撑柱本体的下部，且所述第一凹陷部和所述第二凹陷部通过台阶部相接设置，所述第一凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的径向长度为第一径向长度，所述第二凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的径向长度为第二径向长度，所述第一径向长度大于所述第二径向长度。4.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部的表面为平面和曲面中的任意一种。5.根据权利要求3所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述第一径向长度与所述第二径向长度的差值为0.2mm
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1mm。6.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的径向长度...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭月，谈太德，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：