有机化合物、电子元件及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种有机化合物、电子元件及电子装置。本发明专利技术的有机化合物结构式如化学式I表示，所述有机化合物应用于有机电致发光器件中，可显著改善器件的性能。可显著改善器件的性能。可显著改善器件的性能。可显著改善器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
有机化合物、电子元件及电子装置


[0001]本申请属于有机材料
，尤其涉及一种有机化合物、电子元件及电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。
[0003]以有机电致发光器件为例，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的电致发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。
[0004]通常，在高温环境下驱动或保管有机电致发光元件时，有机电致发光元件会产生光颜色的变化、发光效率的降低、驱动电压的升高、发光寿命的缩短等不良影响。为了防止该影响，必须升高空穴传输层材料的玻璃化转变温度(Tg)。目前报道的空穴传输层材料由于分子量普遍较小，材料的玻璃化温度较低；在材料使用过程中，反复充电放电会使材料容易结晶、薄膜的均一性被破坏，从而影响材料使用寿命。
[0005]因此，开发稳定、高效的空穴传输层材料，以改善电荷迁移率、降低驱动电压、提高器件发光效率、延长器件寿命具有非常重要的实际应用价值。
专利技术内容
[0006]本申请的目的在于提供一种有机化合物、电子元件及电子装置，该有机化合物用于有机电致发光器件中，可以提高器件的性能。
[0007]根据本申请的第一方面，提供一种有机化合物，其具有如化学式Ⅰ表示的结构：
[0008][0009]其中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0010]L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的
亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0011]Ar1、Ar2、L1、L2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；任选地，在Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基形成取代或未取代的3～15元环，所述3～15元环中的取代基独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～6的三烷基硅基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的卤代烷基。
[0012]根据本申请的第二方面，提供一种电子元件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的有机化合物。
[0013]根据本申请的第三方面，提供了一种电子装置，包括第二方面的电子元件。
[0014]本申请的有机化合物以1,8
‑
二苯基取代的萘基为母核，1号位上的苯连接氟原子(F)，8号位上的苯连接三芳胺结构，其中，1,8
‑
二苯基取代的萘基具有较大的位阻，调整了分子的空间构型可以有效避免分子之间的堆叠，提高成膜性，该基团的电子分布效应还可提升空穴迁移率；进一步地，1号位上的苯连接的F具有较高的电负性，使得化合物HOMO能级与LUMO能级可以更好的分离，保证材料具有更高的T1，另外，F原子具有较小的范德华半径以及较小的空间位阻可以增强F与H的非共价相互作用，进一步改善分子间的聚集，可以保证器件具有较高的空穴迁移率，并且能够有效的阻挡电子、激子进入到空穴传输层中。本申请的有机化合物应用到有机电致发光器件中，能同时提高器件的发光效率和使用寿命。
[0015]本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0016]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
[0017]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0018]图2是本申请一种实施方式的第一电子装置的结构示意图。
[0019]图3是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。
[0020]图4是本申请一种实施方式的第二电子装置的结构示意图。
[0021]附图标记
[0022]100、阳极200、阴极300、功能层310、空穴注入层
[0023]320、空穴传输层321、第一空穴传输层322、第二空穴传输层330、有机发光层
[0024]340、电子传输层350、电子注入层360、光电转化层400、第一电子装置
[0025]500、第二电子装置
具体实施方式
[0026]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施方式的充分理解。
[0027]第一方面，本申请提供一种有机化合物，其具有如化学式Ⅰ表示的结构：
[0028][0029]其中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0030]L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0031]Ar1、Ar2、L1、L2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；任选地，在Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基形成取代或未取代的3～15元环，所述3～15元环中的取代基独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～6的三烷基硅基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的卤代烷基。
[0032]本申请中，术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以但不必发生，该说明包括该事情或者环境发生或者不发生的场合。例如，“任选地，任意两个相邻取代基
××
形成环”意味着这两个取代基可以形成环但不是必须形成环，包括：两个相邻的取代基形成环的情景和两个相邻的取代基不形成环的情景。再比如，“任选地，在Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基形成取代或未取代的3～15元环”包括：在Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基可以相互连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机化合物，所述有机化合物具有如化学式Ⅰ表示的结构：其中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；Ar1、Ar2、L1、L2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；任选地，在Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基形成取代或未取代的3～15元环，所述3～15元环中的取代基独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～6的三烷基硅基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的卤代烷基。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，Ar1和Ar2各自独立地选自碳原子数为6～33的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基；优选地，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为3～6的三烷基硅基、碳原子数为1～5的卤代烷基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基；任选地，在Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基形成取代或未取代的5～13元环；所述5～13元环中的取代基独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基。3.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基；优选地，Ar1和Ar2中的取代基选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基；任选地，在Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基形成环戊烷、环己烷、芴环、或叔丁基取代的芴环。4.根据权利要求1所述的有机化合物，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾志艳，张鹤鸣，李应文，金荣国，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：