一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电极技术领域，提供了一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法，透明电极组件包括：透明基底层；经过图案化的透明电极，透明电极设于基底层的表面；消影层，由光致变色材料制成，包括第一消影区和第二消影区，第一消影区设于透明电极背向基底层的表面，第二消影区设于经过蚀刻的透明电极之间且位于基底层的表面。制备方法包括：在经过图案化的透明电极表面设置消影层，消影层由光致变色材料制成；在透明电极背向消影层的一侧采用预设波段的光谱进行照射，使得消影层在光谱的作用下变色，形成第一消影区和第二消影区，以获取透明电极组件。本发明专利技术可使得透明电极组件对于光谱的透过率相同，从而达到消影的目的。从而达到消影的目的。从而达到消影的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法


[0001]本专利技术涉及电极
，更具体地说，是涉及一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法。

技术介绍

[0002]随着显示技术的高速发展，显示器的发展也可谓日新月异，例如触摸屏幕结构中，显示屏幕的表面还设有需要导电的结构，以实现触控功能。这些结构将或多或少地对发光产生吸收或反射，对发光效率甚至显示效果产生影响，必须使用具有高透过率的导电材料。例如，商业应用中广泛使用的是以掺杂锡的氧化铟薄膜(Indium tin oxide，ITO)为代表金属氧化物薄膜。
[0003]然而，在制作触摸屏幕的过程中，需要对其中的电极结构进行图案化，以满足设计需求，图案化会导致电极结构各个部分的光线透过率发生变化，使得各个部分的光线透过率不同，容易出现电极的底影，影响整体透明效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种透明电极组件，以解决现有技术中图案化导致容易出现电极的底影，影响整体透明效果的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的第一方面，提供一种透明电极组件，透明电极组件包括：
[0006]透明基底层；
[0007]经过图案化的透明电极，所述透明电极设于所述基底层的表面；
[0008]消影层，由光致变色材料制成，包括第一消影区和第二消影区，所述第一消影区设于所述透明电极背向所述基底层的表面，所述第二消影区设于经过蚀刻的所述透明电极之间且位于所述基底层的表面。
[0009]在一个实施例中，所述第二消影区由所述光致变色材料经预设波段的光谱照射后形成。
[0010]在一个实施例中，所述光谱为紫外光。
[0011]在一个实施例中，所述第二消影区的透光率低于所述第一消影区的透光率。
[0012]在一个实施例中，所述光致变色材料为共轭有机分子材料。
[0013]在一个实施例中，所述共轭有机分子材料包括以下材料中的至少一种：共轭二烯烃、α，β不饱和醛酮、苯乙烯、苯乙酮。
[0014]在一个实施例中，所述第一消影区的厚度为200纳米～1000纳米；
[0015]所述第二消影区的厚度为200纳米～1000纳米。
[0016]在一个实施例中，所述第一消影区的透光率为86～90％；
[0017]所述第二消影区的透光率为86～90％。
[0018]在一个实施例中，所述透明电极包括：
[0019]第一透明介质层，设于所述基底层的表面；
[0020]第二透明介质层，设于所述第一透明介质层和所述消影层之间；
[0021]导电单元，设于所述第一透明介质层和所述第二透明介质层之间，所述导电单元包括至少两层透明导电层和第三透明介质层，相邻两所述导电层之间设有所述第三透明介质层。
[0022]在一个实施例中，所述导电层由金属材料制成，所述金属材料包括银、金、铜、铝中的至少一种；
[0023]或者，以银、金、铜、铝中的至少一种金属为主要成分的合金。
[0024]在一个实施例中，所述导电层的厚度范围为2～25纳米。
[0025]在一个实施例中，所述透明电极的透光率为40％～90％，所述透明电极的电阻为0.05～20欧姆/平方。
[0026]在一个实施例中，所述透明电极还包括透明外导电层；
[0027]所述第二透明介质层背向所述导电单元一侧的表面设有所述外导电层；
[0028]和/或，所述第一透明介质层背向所述导电单元一侧的表面设有所述外导电层。
[0029]本专利技术提供的一种透明电极组件的有益效果至少在于：本专利技术实施例通过分别设置第一消影区和第二消影区，可以使得整个透明电极组件对于光谱(例如可见光)的透过率相同，从消影层一侧观看时，不会观看到其中透明电极的底影，从而达到消影的目的。
[0030]本专利技术的第二方面，提供了一种装置，包括上述的透明电极组件。
[0031]在一个实施例中，所述装置为显示装置，所述显示装置包括液晶显示器、OLED显示器、投影显示器、平板显示器、眼睛佩戴显示器、透明显示器或透视显示器。
[0032]在一个实施例中，所述装置为触控装置。
[0033]在一个实施例中，所述装置为透明天线，所述透明天线适用于4G通讯波段和/或5G通讯波段和/或6G通讯波段。
[0034]本专利技术的第三方面，提供了一种透明电极组件制备方法，包括：
[0035]在经过图案化的透明电极表面设置消影层，所述消影层由光致变色材料制成；
[0036]在所述透明电极背向所述消影层的一侧采用预设波段的光谱进行照射，以使得所述消影层在光谱的作用下变色，形成第一消影区和第二消影区，以获取透明电极组件，其中所述第一消影区设于所述透明电极背向基底层的表面，所述第二消影区设于经过蚀刻的所述透明电极之间且位于基底层的表面。
[0037]在一个实施例中，所述光谱为紫外光。
[0038]在一个实施例中，所述光致变色材料为共轭有机分子材料。
[0039]本专利技术提供的一种透明电极组件制备方法的有益效果至少在于：本专利技术实施例通过在图案化的透明电极表面设置消影层，并通过预设波段的光谱从背向消影层的一侧对其进行照射，可以使得消影层的结构发生变化，从而形成透射率不同的第一消影区和第二消影区，可以使得整个透明电极组件对于光谱的透过率相同，从消影层一侧观看时，不会观看到其中透明电极的底影，从而达到消影的目的。
附图说明
[0040]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述
中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041]图1为本专利技术实施例提供的透明电极组件的结构示意图；
[0042]图2为本专利技术实施例提供的透明电极组件中第一种透明电极的结构示意图；
[0043]图3为本专利技术实施例提供的透明电极组件中第二种透明电极的结构示意图；
[0044]图4为本专利技术实施例提供的透明电极组件中第三种透明电极的结构示意图；
[0045]图5为本专利技术实施例提供的透明电极组件中第四种透明电极的结构示意图；
[0046]图6为本专利技术实施例提供的透明电极组件制备方法的流程示意图；
[0047]图7为本专利技术实施例提供的透明电极组件制备方法中透明电极组件的形成示意图。
具体实施方式
[0048]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0049]需要说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接位于该另一个部件上。当一个部件被称为“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明电极组件，其特征在于，所述透明电极组件包括：透明基底层；经过图案化的透明电极，所述透明电极设于所述基底层的表面；消影层，由光致变色材料制成，包括第一消影区和第二消影区，所述第一消影区设于所述透明电极背向所述基底层的表面，所述第二消影区设于经过蚀刻的所述透明电极之间且位于所述基底层的表面。2.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述第二消影区由所述光致变色材料经预设波段的光谱照射后形成。3.如权利要求2所述的透明电极组件，其特征在于，所述光谱为紫外光。4.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述第二消影区的透光率低于所述第一消影区的透光率。5.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述光致变色材料为共轭有机分子材料。6.如权利要求5所述的透明电极组件，其特征在于，所述共轭有机分子材料包括以下材料中的至少一种：共轭二烯烃、α，β不饱和醛酮、苯乙烯、苯乙酮。7.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述第一消影区的厚度为200纳米～1000纳米；所述第二消影区的厚度为200纳米～1000纳米。8.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述第一消影区的透光率为86～90％；所述第二消影区的透光率为86～90％。9.如权利要求1～8任一项所述的透明电极组件，其特征在于，所述透明电极包括：第一透明介质层，设于所述基底层的表面；第二透明介质层，设于所述第一透明介质层和所述消影层之间；导电单元，设于所述第一透明介质层和所述第二透明介质层之间，所述导电单元包括至少两层透明导电层和第三透明介质层，相邻两所述导电层之间设有所述第三透明介质层。10.如权利要求9所述的透明电极组件，其特征在于，所述导电层由金属材料制成，所述金属材料包括银、金、铜、铝中的至少一种；或者，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭凌杰，
申请(专利权)人：北京载诚科技有限公司，
类型：发明
国别省市：