复合导电膜及异质结太阳能电池制造技术

本发明专利技术公开了一种复合导电膜，复合导电膜为叠层结构，依次包括：增透层，混合物镀层，及透明导电层；所述混合物镀层为金属与金属氧化物混合的镀层，或金属与金属氮化物混合的镀层，或金属与金属氧化物及金属氮化物混合的镀层。混合物镀层可以降低导电膜的方阻，本发明专利技术的还提供一种使用复合导电膜的异质结太阳能电池。电池。电池。

【技术实现步骤摘要】
复合导电膜及异质结太阳能电池


[0001]本专利技术涉及光伏领域，具体地说，涉及异质结太阳能电池及其复合导电膜。

技术介绍

[0002]太阳能电池是直接将光能转换成电能的元件，由于太阳辐射光谱的范围(0～4eV)非常宽，根据光伏效应原理，由单一半导体材料构成的单结太阳能电池，仅能将太阳能辐射光谱中的一部分光能转换成电能，太阳能的有效利用率低，且输出电压低。异质结太阳能电池由于其高转换效率、高稳定性以及可双面发电等优势成为了最有前景的太阳能电池，但由于导电膜的电阻问题，太能能转换效率依然难以提供。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种复合导电膜及应用该复合导电膜的异质结太阳能电池，复合导电膜具有良好的电学性能和光透过性，可以提高异质结太阳能电池的转换效率。
[0004]根据本专利技术所提供的复合导电膜，复合导电膜为叠层结构，依次包括：增透层，混合物镀层，及透明导电层；混合物镀层为金属与金属氧化物混合的镀层，或金属与金属氮化物混合的镀层，或金属与金属氧化物及金属氮化物混合的镀层。
[0005]优选地，所述至少一种金属包括Ag、Cu、Al、Mo、或Ag合金、Cu合金、Al合金、Mo合金；所述Ag合金中Ag的质量比大于50％，所述Cu合金中Cu的质量比大于50％，所述Al合金中Al的质量比大于80％，所述Mo合金中Mo的质量比大于80％；优选的，所述Ag合金中其他成分为Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种；所述Cu合金中其他成分为Zn、Ag、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种；所述Mo合金中的其余其他成分为Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种；所述Al合金层中的其他成分为Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种。
[0006]优选地，所述透明导电层为金属氧化物，所述金属氧化物In2O3、SnO2、ZnO、ITO、IZO、AZO、ITiO、ITiZO、FTO中的一种或多种；其中，ITO中SnO2掺杂重量百分比0～50％；IZO中ZnO掺杂重量百分比0～50％；AZO中Al2O3掺杂重量百分比0～50％；ITiO中TiO2掺杂重量百分比0～10％；ITiZO中TiO2掺杂重量百分比0～10％、ZnO掺杂重量百分比0～40％；FTO中F掺杂重量百分比0～10％。
[0007]根据本专利技术所提供的异质结太阳能电池，包括N型晶圆，N型晶圆的第一表面上依次设置i
‑
型非晶硅氧化物，n
‑
型非晶硅及上述复合导电膜，N型晶圆相对的另一表面上依次设置i
‑
型非晶硅氧化物，p
‑
型非晶硅及上述复合导电膜。
[0008]优选地，所述透明导电层与所述混合物镀层之间还设有导电的耐候层，所述耐候层的材料为金属氮化物、金属氧化物、金属氮化物及其掺杂物、或金属氧化物及其掺杂物。
[0009]优选地，所述增透层和所述混合物镀层之间还设有至少一层牺牲层，所述牺牲层为金属、金属氧化物或金属氮化物，所述牺牲层的所含的金属不同于混合物镀层中的主要金属。
[0010]本专利技术提供的复合导电膜和异质结太阳能电池，可明显提高异质结太阳能电池的转换效率。
附图说明
[0011]附图1为本专利技术异质结太阳能电池结构示意图；
[0012]附图2为本专利技术的复合导电膜结构示意图；
[0013]附图3为本专利技术另一实施例的复合导电膜结构示意图；
[0014]附图4为本专利技术另一实施例的复合导电膜结构示意图；
[0015]附图5为本专利技术另一实施例的复合导电膜结构示意图；
[0016]附图6为应用复合导电膜的异质结太阳能电池结构示意图。
[0017]其中：
[0018]100n型晶圆
[0019]110i型非晶硅
[0020]120n型非晶硅
[0021]130p型非晶硅
[0022]140 复合导电膜
[0023]100
’
为100、110、120、130的示意性简化
[0024]141 增透层
[0025]142 牺牲层
[0026]143 混合物镀层
[0027]144 耐候层
[0028]145 透明导电层
[0029]150 电极线
具体实施方式
[0030]有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考图式的一优选实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本专利技术。下面结合附图对本专利技术作进一步详细的说明：
[0031]如图1所示，为本专利技术的异质结太阳能电池结构示意图，图2为复合导电膜结构示意图。如图1所示，异质结太阳能电池包括N型晶圆100，其上表面依次设有i型非晶硅氧化物110、n型非晶硅120、复合导电膜140及银栅线150，N型晶圆100的下表面依次设有i型非晶硅氧化物110、p型非晶硅130、复合导电膜140及银栅线150。如图2所述，在本实施例中，复合导电膜140包括增透层141，混合物镀层143及透明导电层145。其中，透明导电层145为金属氧化物，金属氧化物可选自In2O3、SnO2、ZnO、ITO、IZO、AZO、ITiO、ITiZO、FTO中的一种或多种，其中，ITO中SnO2掺杂重量百分比0～50％；IZO中ZnO掺杂重量百分比0～50％；AZO中Al2O3掺杂重量百分比0～50％；ITiO中TiO2掺杂重量百分比0～10％；ITiZO中TiO2掺杂重量百分比0～10％、ZnO掺杂重量百分比0～40％；FTO中F掺杂重量百分比0～10％。专利技术人经过研究发现，在透明导电层的基础上增设一层厚度小于10nm的镀层，可以进一步降低导电层的方阻，
这一镀层即混合物镀层143，混合物镀层143为金属与金属氧化物混合的镀层，或金属与金属氮化物混合的镀层，或金属与金属氧化物及金属氮化物混合的镀层。在制作该镀层时，采用物理气相沉积法，并在反应腔室内通入少量的氧气和/或氮气，控制通入气体的量，使金属靶材溅射的金属不完全反应，即可形成满足要求的镀层。靶材可选自Ag、Cu、Al、Mo、Ag合金、Cu合金、Al合金、Mo合金，其中，Ag合金中，Ag的质量比大于50％，其余为Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种掺杂；Cu合金中，Cu的质量比大于50％，其余为Zn、Ag、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种掺杂；Mo合金层中，Mo的质量比大于80％，其余为Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种掺杂；Al合金层中，Al的质量比大于80％，其余为Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合导电膜，所述复合导电膜为叠层结构，依次包括：增透层，混合物镀层，及透明导电层，其特征在于，所述混合物镀层为金属与金属氧化物混合的镀层，或金属与金属氮化物混合的镀层，或金属与金属氧化物及金属氮化物混合的镀层。2.根据权利要求1所述的复合导电膜，其特征在于，所述混合物镀层中的金属为Ag、Cu、Al、Mo、Ag合金、Cu合金、Al合金、Mo合金。3.根据权利要求2所述的复合导电膜，其特征在于，所述Ag合金中，Ag的质量比大于50％，其余为Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种掺杂；Cu合金中，Cu的质量比大于50％，其余为Zn、Ag、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种掺杂；Mo合金层中，Mo的质量比大于80％，其余为Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种掺杂；Al合金层中，Al的质量比大于80％，其余为Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni中的一种或多种掺杂。4.根据权利要求1所述的复合导电膜，其特征在于，所述透明导电层为金属氧化物，所述金属氧化物In2O3、SnO2、ZnO、ITO、IZO、AZO、ITiO、ITiZO、FTO中的一种或多种。5.根据权利要求4所述的复合导电膜，其特征在于，所述ITO中SnO2掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉春，仲树栋，
申请(专利权)人：北京载诚科技有限公司，
类型：发明
国别省市：