一种有机无机杂化无铅压电晶体的制备方法及应用技术

本发明专利技术涉及一种有机无机杂化无铅压电晶体的制备方法，包括以下步骤：将氧化铋、氢溴酸和R(+)

【技术实现步骤摘要】
一种有机无机杂化无铅压电晶体的制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及压电材料
，具体涉及一种有机无机杂化无铅压电晶体的制备方法及应用。

技术介绍

[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]压电材料是制作压电器件的一类重要材料，具有性能优异的PZT和BTO压电材料受到众多研究者的广泛关注，但是由于材料固有属性的影响，铁电陶瓷类材料需要较高的制备温度，易碎，几乎没有机械柔性，并且含铅等重金属元素，无论是对生物体还是环境都有着极大的影响。
[0004]对于无铅压电材料而言，硅酸镓镧(LGS)晶体具有优异压电性能，其压电系数和机电耦合系数是石英晶体的3倍，但较高的原料成本限制了它的应用；稀土硼酸盐类晶体同样面临生产成本较高的问题。此外，对于无铅有机压电材料来说，其虽然具有良好的柔性，但是压电性能普遍偏低，无法代替PZT压电材料。
[0005]中国专利“四晶格位结构压电晶体”(CN10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机无机杂化无铅压电晶体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将氧化铋、氢溴酸和R(+)
‑
alpha
‑
甲基苄胺混合均匀后在烘箱中升温后随后进行两次降温过程，即可制备得到有机无机杂化无铅压电晶体。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧化铋和R(+)
‑
alpha
‑
甲基苄胺的摩尔比为(0.3
‑
0.6):(0.7
‑
1.2)，优选为0.5:1。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氢溴酸溶液的体积与氧化铋的质量之比为(10.56
‑
14.32)ml：(0.5
‑
1.3)g，优选为11.45ml：1g。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：升温至90
‑
120℃后保温时间为1.5
‑
3h，优选为2h。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述烘箱为程序控温烘箱，控温精度为0.1℃；进一步，升温至90
‑
120℃后进行降温过程，降温至35
‑
50℃即可制备得到有机无机杂化无铅压电晶体；升至90
‑
120℃所需时间为3
‑
5h，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙绚，张宗一，张一凡，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：