一种显示基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:32519284 阅读:25 留言:0更新日期:2022-03-02 11:19
一种显示基板及显示装置,显示基板包括依次叠设于基底上的驱动结构层和发光结构层,发光结构层包括第一电极层、像素界定层、水氧阻挡层、有机功能层和第二电极层;第一电极层包括设置在驱动结构层上的多个第一电极,像素界定层设于多个第一电极的远离基底一侧并设有多个第一像素开口,每个第一像素开口将对应的一个第一电极的远离基底的表面暴露出;水氧阻挡层至少部分地设置在第一像素开口的周向侧壁上;有机功能层包括有机发光层,有机功能层和第二电极层依次叠设于第一电极的远离基底的一侧。本公开实施例的显示基板可以阻挡像素界定层挥发出的水和氧侵入有机发光层。界定层挥发出的水和氧侵入有机发光层。界定层挥发出的水和氧侵入有机发光层。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及显示装置


[0001]本公开实施例涉及显示
,具体涉及一种显示基板及显示装置。

技术介绍

[0002]一些有机电致发光二极管(OLED)显示产品需要销售到高海拔地区,这些地方紫外光(UV光)照射比较强,客户会评价UV照射对电子产品的影响。以某型号产品为例,模组屏幕点亮时,调试Normal W255画面,测试T0时刻初始亮度L0;模组屏幕未点亮,UV光持续照射580h,然后屏幕点亮,同样调试Normal W255画面,测试T580h时刻亮度L580h,L580h/L0<80%,即亮度出现大幅度下降。
[0003]对上述问题分析如下:1、现象分析,模组屏幕经过UV光持续照射580h后,RGB(红绿蓝)像素出现了不同程度收缩。以B像素(即蓝色子像素P1)为例,T0时刻B像素的发光面积如图1a所示,图1a为一些技术的显示基板在T0时刻B像素的发光面积的示意图;当用UV光照射后,T580h时刻B像素出现明显的像素收缩(即像素发光面积缩小),如图1b所示,图1b为一些技术的显示基板在T580h时刻B像素(即蓝色子像素P1)的发光面积的示意图。2、根本原因分析,如图2所示,图2为一些技术的显示基板的局部剖面结构示意图,当用UV光(图2中用带箭头的虚线表示)长时间照射后,像素界定层(PDL,材料比如为聚酰亚胺系列有机物)32会挥发出水和氧(图2中用虚线圆圈表示),有机发光层36的材料对水和氧比较敏感,有机发光层36的材料吸收PDL层32挥发的水和氧之后会发生失效,失效部分3601从像素的四周边缘向像素中心位置延伸,最终导致像素收缩,造成亮度衰减。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种显示基板及显示装置,可以阻挡像素界定层挥发出的水和氧侵入有机发光层,以避免显示基板亮度的大幅衰减。
[0005]本公开实施例提供一种显示基板,包括依次叠设于基底上的驱动结构层和发光结构层,所述驱动结构层包括像素驱动电路;所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、水氧阻挡层、有机功能层和第二电极层;所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层上的多个第一电极,所述像素界定层设于所述多个第一电极的远离所述基底一侧并设有多个第一像素开口,每个所述第一像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出;所述水氧阻挡层至少部分地设置在所述第一像素开口的周向侧壁上;所述有机功能层包括有机发光层,所述有机功能层和所述第二电极层依次叠设于所述第一电极的远离所述基底的一侧,每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个发光器件。
[0006]可选地,所述水氧阻挡层的一部分还设置在所述像素界定层的远离所述基底的表面的靠近所述第一像素开口的部分上。
[0007]可选地,所述水氧阻挡层的材料为导电材料,所述水氧阻挡层包括多个连接电极,每个所述连接电极设置在对应的一个所述第一电极的被所述第一像素开口暴露的表面上,并且部分地设置在所述第一像素开口的周向侧壁上,以及部分地设置在所述像素界定层的
远离所述基底的表面的靠近所述第一像素开口的部分上;所述有机功能层设置在所述水氧阻挡层的远离所述基底的表面上。
[0008]可选地,所述连接电极在所述基底上的正投影包含所述第一像素开口在所述基底上的正投影。
[0009]可选地,所述有机发光层包括多个子发光层,所述子发光层设置在所述第一像素开口内,所述第一像素开口在所述基底上的正投影包含所述子发光层在所述基底上的正投影。
[0010]可选地,所述第一电极包括第一导电材料层,所述连接电极包括第四导电材料层;
[0011]所述第一电极还包括第二导电材料层,所述第二导电材料层叠设在所述第一导电材料层和所述第四导电材料层之间;或/和,所述连接电极还包括第三导电材料层,所述第三导电材料层叠设在所述第一导电材料层和所述第四导电材料层之间。
[0012]可选地,所述第一电极包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一导电材料层和第二导电材料层,所述连接电极包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第三导电材料层和第四导电材料层;所述第一导电材料层的材料与所述第四导电材料层的材料相同,所述第二导电材料层的材料与所述第三导电材料层的材料相同。
[0013]可选地,所述第一导电材料层的材料与所述第四导电材料层的材料均为氧化铟锡或氧化铟锌,所述第二导电材料层的材料与所述第三导电材料层的材料均为银、钛或铝;
[0014]所述第一导电材料层的厚度为至所述第二导电材料层的厚度为至所述第三导电材料层的厚度为至所述第四导电材料层的厚度为至
[0015]可选地,所述水氧阻挡层的材料为绝缘材料,所述水氧阻挡层设有多个第二像素开口,每个所述第二像素开口将对应的一个所述第一电极的被所述第一像素开口暴露的表面暴露出;
[0016]所述有机功能层设置在所述第一电极的被所述第一像素开口和所述第二像素开口暴露的表面上,以及设置在所述水氧阻挡层的远离所述基底的表面上。
[0017]可选地,所述水氧阻挡层为一体结构。
[0018]可选地,所述水氧阻挡层的材料包括硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅中的一种或多种。
[0019]可选地,所述有机功能层还包括设于所述第一电极和所述有机发光层之间的以下任一个或多个膜层:空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层;
[0020]所述有机功能层还包括设于所述有机发光层和所述第二电极层之间的以下任一个或多个膜层:空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。
[0021]本公开实施例还提供一种显示装置,包括任一实施例所述的显示基板。
[0022]本公开实施例的显示基板,通过设置水氧阻挡层,且水氧阻挡层至少部分地设置在像素界定层的第一像素开口的周向侧壁上,这样,水氧阻挡层可以阻挡像素界定层挥发出的水和氧侵入有机发光层,避免造成有机发光层材料失效的问题,从而可以避免显示基板亮度的大幅衰减。
附图说明
[0023]附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案,并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本公开内容。
[0024]图1a为一些技术的显示基板在T0时刻蓝色子像素的发光面积的示意图;
[0025]图1b为一些技术的显示基板在T580h时刻蓝色子像素的发光面积的示意图;
[0026]图2为一些技术的显示基板的局部剖面结构示意图;
[0027]图3a为一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图;
[0028]图3b为在一些示例性实施例中图3a的显示基板的俯视结构示意图;
[0029]图4a为另一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图;
[0030]图4b为在一些示例性实施例中图4a的显示基板的俯视结构示意图;
[0031]图5为一些示例性实施例的显示基板在形成有源层后的局部剖面结构示意图;
[0032]图6为一些示本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,包括依次叠设于基底上的驱动结构层和发光结构层,所述驱动结构层包括像素驱动电路;其特征在于:所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、水氧阻挡层、有机功能层和第二电极层;所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层上的多个第一电极,所述像素界定层设于所述多个第一电极的远离所述基底一侧并设有多个第一像素开口,每个所述第一像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出;所述水氧阻挡层至少部分地设置在所述第一像素开口的周向侧壁上;所述有机功能层包括有机发光层,所述有机功能层和所述第二电极层依次叠设于所述第一电极的远离所述基底的一侧,每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个发光器件。2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于:所述水氧阻挡层的一部分还设置在所述像素界定层的远离所述基底的表面的靠近所述第一像素开口的部分上。3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于:所述水氧阻挡层的材料为导电材料,所述水氧阻挡层包括多个连接电极,每个所述连接电极设置在对应的一个所述第一电极的被所述第一像素开口暴露的表面上,并且部分地设置在所述第一像素开口的周向侧壁上,以及部分地设置在所述像素界定层的远离所述基底的表面的靠近所述第一像素开口的部分上;所述有机功能层设置在所述水氧阻挡层的远离所述基底的表面上。4.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于:所述连接电极在所述基底上的正投影包含所述第一像素开口在所述基底上的正投影。5.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于:所述有机发光层包括多个子发光层,所述子发光层设置在所述第一像素开口内,所述第一像素开口在所述基底上的正投影包含所述子发光层在所述基底上的正投影。6.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于:所述第一电极包括第一导电材料层,所述连接电极包括第四导电材料层;所述第一电极还包括第二导电材料层,所述第二导电材料层叠设在所述第一导电材料层和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:包征王明强陈功胡宏锦杨皓天张家祥郝晓东王康张燚左堃傅晓亮张斌
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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