图像传感器及其制造方法技术

提供了图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板，包括光入射在其上的第一侧和与第一侧相对的第二侧，所述基板包括光接收区域和位于所述光接收区域周围的遮光区域；第一隔离图案，从第二侧延伸，第一隔离图案在光接收区域和遮光区域中介于基板中的多个单位像素之间；第二隔离图案，从第一侧延伸并与第一隔离图案交叠，第二隔离图案在光接收区域中设置在基板中；以及接触膜，电连接到第一隔离图案，接触摸在遮光区域中设置在基板中。从第一侧延伸的接触沟槽在遮光区域中形成在基板中，并暴露第一隔离图案，并且接触膜填充接触沟槽的至少一部分。的至少一部分。的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月1日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0110963的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]与示例实施例一致的设备、方法和系统涉及图像传感器及其制造方法，更具体地，涉及包括像素隔离图案的图像传感器及其制造方法。

技术介绍

[0004]图像传感器用于将光学信息转换为电信号并且可以包括一个或更多个半导体元件。此种图像传感器可以包括电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
[0005]图像传感器可以以封装的形式配置，并且该封装可以被配置为保护图像传感器并且允许光进入图像传感器的光接收表面或感测区的结构。
[0006]最近，已经研究了背照式(BSI)图像传感器，其中入射光辐射通过半导体基板的背面，以便在图像传感器中形成的像素具有改进的光接收效率和灵敏度。

技术实现思路

[0007]根据示例实施例的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：基板，所述基板包括光入射在其上的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述基板包括光接收区域和位于所述光接收区域周围的遮光区域；第一隔离图案，所述第一隔离图案从所述第二侧延伸，所述第一隔离图案在所述光接收区域和所述遮光区域中介于所述基板中的多个单位像素之间；第二隔离图案，所述第二隔离图案从所述第一侧延伸并且与所述第一隔离图案交叠，所述第二隔离图案在所述光接收区域中设置在所述基板中；以及接触膜，所述接触膜电连接到所述第一隔离图案，所述接触膜在所述遮光区域中设置在所述基板中，其中，从所述第一侧延伸的接触沟槽在所述遮光区域中形成在所述基板中，并暴露所述第一隔离图案，并且所述接触膜填充所述接触沟槽的至少一部分。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一隔离图案的宽度随着与所述基板的所述第二侧的距离增加而减小，并且所述第二隔离图案的宽度随着与所述基板的所述第一侧的距离增加而减小。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，从所述第二侧延伸的第一隔离沟槽在所述光接收区域和所述遮光区域中形成在所述基板中，所述第一隔离图案包括间隔物膜和填充膜，所述间隔物膜沿着所述第一隔离沟槽的侧面延伸并且包括绝缘物质，所述填充膜设置在所述间隔物膜上，填充所述第一隔离沟槽的至少一部分并且包括导电物质，并且所述接触膜电连接到所述填充膜。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，从所述第一侧延伸的第二隔离沟槽在所述光接收区域中形成在所述基板中并且暴露所述第一隔离图案，并且所述第二隔离图案填充所述第二隔离沟槽并包括绝缘物质。5.根据权利要求1的图像传感器，其中，所述接触沟槽的第一部分从所述第一侧延伸，并且所述接触沟槽的第二部分从所述接触沟槽的所述第一部分的下侧延伸并暴露所述第一隔离图案。6.根据权利要求5所述的图像传感器，所述图像传感器还包括沿着所述第一侧和所述第一部分延伸的表面绝缘膜，其中，所述接触膜沿着所述表面绝缘膜和所述第二部分延伸。7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述第一部分的所述下侧与所述第一隔离图案分开。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，相对于所述第二侧，所述第一隔离图案在所述遮光区域中被形成的第一深度大于所述第一隔离图案在所述光接收区域中被形成的第二深度。9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，在所述遮光区域中所述第一隔离图案的第一宽度大于在所述光接收区域中所述第一隔离图案的第二宽度。10.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
基板，所述基板包括光入射在其上的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述基板包括光接收区域和位于所述光接收区域周围的遮光区域；以及第一隔离图案，所述第一隔离图案从第二侧延伸，所述第一隔离图案在所述光接收区域和所述遮光区域中介于所述基板中的多个单位像素之间，其中：从所述第一侧延伸的第一子沟槽在所述遮光区域中形成在所述基板中，表面绝缘膜沿着所述第一子沟槽延伸，形成在所述基板中并且从所述第一子沟槽延伸的第二子沟槽暴露所述第一隔离图案和所述表面绝缘膜，并且接触膜设置在所述表面绝缘膜上，并且沿所述第一子沟槽和所述第二子沟槽延伸以接触所述第一隔离图案。11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁海成，李泰宪，金振泳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：