【技术实现步骤摘要】
具有芯片焊盘和相关的助焊剂排气沟槽的芯片
[0001]本公开大体上涉及半导体芯片的领域,并且尤其涉及将半导体芯片焊接到载板的技术。
技术介绍
[0002]当将半导体芯片焊接到芯片载板时,不期望的焊料空洞可能会困在芯片焊盘和载板之间的固化焊料材料中。这种焊料空洞可能会发展到相当大的尺寸,并且可能会显著降低焊点的质量和可靠性。
[0003]真空焊接是一种已知用于减少在焊接期间生成的焊料空洞的量或尺寸的技术。然而,真空焊接是一种昂贵的方法,并不总是适合于整合在制造过程中。
[0004]因此,高质量焊点的生成是向高度可靠半导体器件发展的持续挑战。
技术实现思路
[0005]根据本公开的一方面,一种半导体芯片包括布置在半导体芯片的表面处的芯片焊盘。介电层布置在半导体芯片的表面处。介电层具有开口,在所述开口内暴露芯片焊盘的接触部分,开口具有至少一个直边。介电层包括助焊剂排气沟槽,该助焊剂排气沟槽被布置成与所述开口的至少一个直边分离并且在其附近,并且横向延伸超过开口的与直边邻接的边。
[0006]根 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片,包括:芯片焊盘,布置在所述半导体芯片的表面处;介电层,布置在所述半导体芯片的表面处,所述介电层具有开口,在所述开口内暴露所述芯片焊盘的接触部分,所述开口具有至少一个直边;并且其中,所述介电层包括助焊剂排气沟槽,所述助焊剂排气沟槽被布置成与所述开口的所述至少一个直边分离并且在其附近,并且横向延伸超过所述开口的与所述直边邻接的边。2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述助焊剂排气沟槽包括平行于所述开口的所述直边延伸的直沟槽部分。3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片,其中,所述助焊剂排气沟槽具有矩形形状。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片,其中,所述助焊剂排气沟槽围绕所述开口。5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片,其中,所述开口的所述直边的长度等于或小于所述开口的与所述直边邻接的边的长度。6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片,其中,所述助焊剂排气沟槽具有10μm至20μm之间的宽度。7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片,其中,所述助焊剂排气沟槽具有6μm至10μm之间的深度。8. 根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片,其中,所述芯片焊盘的所述接触部分具有沿着所述直边等于或大于0.2 mm或0.3 mm和/或沿着与所述直边邻接的边等于或大于0.4 mm或0.5 mm的焊盘尺寸。9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片,其中,所述半导体芯片是功率晶体管,并且所述芯片焊盘是所述功率晶体管的栅极焊盘和/或感测焊盘。10. 一种半导体器件,包括:芯片载板;以及根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片,所述半导体芯...
【专利技术属性】
技术研发人员:M,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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